【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.06.25】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23RO0017
利用課題名 / Title
CMOSトランジスタ・IC作製実習
利用した実施機関 / Support Institute
広島大学 / Hiroshima Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）計測・分析/Advanced Characterization
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
リソグラフィ・露光・描画装置、成膜・膜堆積、熱処理、電気計測、RS-FF,リソグラフィ/Lithography,膜加工・エッチング/Film processing and Etching,蒸着・成膜/Evaporation and Deposition,蒸着・成膜/ Vapor deposition/film formation,スパッタリング/ Sputtering,膜加工・エッチング/ Film processing/etching,エリプソメトリ/ Ellipsometry,光リソグラフィ/ Photolithgraphy,先端半導体（超高集積回路）/ Advanced Semiconductor (Very Large Scale Integration)
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
江崎 裕子
所属名 / Affiliation
京都大学 ナノテクノロジーハブ拠点
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
黒木 伸一郎,田部井 哲夫,雨宮 嘉照,Vuong Van Cuong,山田 真司,岡田 和志,水野 恭司,目黒 達也,樋原 純子
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術補助/Technical Assistance（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
RO-131：レイアウト設計ツール
RO-221：酸化炉
RO-113： マスクレス露光装置
RO-212：高温イオン注入装置
RO-224：ウェル拡散炉
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
CMOSトランジスタの試作実習と通して、基礎的な半導体プロセス技術を学んだ。
実験 / Experimental
【上記以外に利用した主な装置】RO-131（レイアウト設計ツール）、RO-221（酸化炉）、RO-113（ﾏｽｸﾚｽ露光装置）、RO-212（高温イオン注入装置）、RO-224（ウェル拡散炉）、RO-321（スパッタ装置(Al用)）、RO-416（エッチング装置(レジスト Ashing用)）、RO-225（ポストメタライゼーションアニール（PMA）炉）、RO-512（半導体パラメータ・アナライザ）【実験方法】1. 回路設計を行った。2. 既にn-wellが形成されたウェハにリソグラフィ、酸化膜ウェットエッチングによりアクティブ領域を形成した。その後、シールド酸化膜を形成、リソグラフィ、イオン注入によりnMOSチャンネルのインプラした。3. S/D形成のため、リソグラフィを行い、pMOSに対してはBF2+、nMOSに対してはAsをインプラした。アッシング、SH洗浄でレジストを除去、SC-1洗浄でシールド酸化膜除去し、活性化アニールを行った。4. 酸化炉にてH2,O2を流してゲート酸化膜を形成し、その後、N2を流し、As押し込みアニールを行った。5. コンタクトホールの形成のため、リソグラフィ、BHFウェットエッチングで酸化膜を取り除いた。6. Al電極を形成するため、Alスパッタ、リソグラフィ、ウェットエッチング、ポストメタライゼーションアニールを行った。
結果と考察 / Results and Discussion
Fig.1に設計した図面とFig.2に完成した光学顕微鏡による写真を示す。設計通りできていることが確認できた。 Fig.3に作成したｎMOS、ｐMOS、CMOSの電気特性測定結果を示す。正常通りに作動していることを確認できた。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig.1 設計図
Fig.2 出来上がり観察写真
Fig.3 nMOS、pMOS、COMS 測定結果
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件