【公開日：2023.07.28】【最終更新日：2023.04.25】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22NM0006
利用課題名 / Title
光デバイス用シリコン加工
利用した実施機関 / Support Institute
物質・材料研究機構 / NIMS
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
シリコン基材料・デバイス/ Silicon-based materials and devices,半導体微細構造/ Semiconductor microstructure,プラズマエッチング/ Plasma etching,リソグラフィ/Lithography,膜加工・エッチング/Film processing and Etching,EB
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
今福 諒平
所属名 / Affiliation
慶應義塾大学
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
大矢 秀真,古川 全裕,弓場 凜太郎,高橋 海斗
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
NM-601：電子ビーム描画装置 [ELS-F125]
NM-605：水蒸気プラズマ洗浄装置 [AQ-500 #1]
NM-614：CCP-RIE装置 [RIE-200NL]
NM-616：シリコンDRIE装置 [ASE-SRE]
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
同機構にある装置（125kV電子ビーム描画装置、シリコン深堀エッチング装置、プラズマアッシャー）を利用し、課題遂行に必要であるラインアンドスペース基板の微細加工を行った。
実験 / Experimental
事前に用意した酸化膜をもつシリコン基板にスピンコーターを用いて電子線レジストを塗布した。
その後、125kV電子ビーム描画装置を諸条件(Dose: 680)で用いてラインアンドスペースのパターンを作製し、キシレンを用いて現像した。
次に多目的ドライエッチング装置にて気体(CHF3, Ar, O2)を用いてシリコン酸化膜層をエッチングした。
さらにシリコン深堀りエッチング装置にて気体(He, O2, SF6, C4F8)を用いてシリコン層をエッチングした。
最後にNMPを用いてレジストをリフトオフした。
結果と考察 / Results and Discussion
弊大学内の電子線顕微鏡(SEM)を用いて、作製したラインアンドスペース基板を観察した。
本基板では1000 mnの溝が問題なく描画及びエッチングされていることが確認できた(図1参照)。
以上から、使用している条件が適切であると考えられる。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1. 作製したラインアンドスペース基板のトレンチ幅1000 nmのSEM像
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件