【公開日：2023.07.28】【最終更新日：2023.05.22】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22HK0027
利用課題名 / Title
Si基板薄膜の評価
利用した実施機関 / Support Institute
北海道大学
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
電子顕微鏡/Electron microscopy,表面・界面・粒界制御/ Surface/interface/grain boundary control
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
塙 洋祐
所属名 / Affiliation
株式会社SCREENホールディングス 第三技術開発室 開発一課
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
大多亮,遠堂敬史
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）,技術相談/Technical Consultation
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
HK-101：ダブル球面収差補正走査透過型電子顕微鏡
HK-304：集束イオンビーム加工・観察装置
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
Si薄膜は作製方法によって結晶性が異なる。薄膜の結晶性の評価方法として、一般にX線反射率法(XRR)が用いられるところであるが、膜厚が極端に薄い場合は精度が悪くなるため、STEMによる高空間分解能観察および制限視野電子線回折によって評価をする必要があった。
実験 / Experimental
STEMによるSi基板薄膜の評価を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
Si基板について集束イオンビーム加工・観察装置(HK-304)を用いて薄片化し、TEMグリッドへのマイクロサンプリング作業の技術代行をお願いした。作成いただいた試料については、そのまま北海道大学のダブル球面収差補正走査透過型電子顕微鏡(HK-101)にてSTEM観察の技術代行を依頼し、Si薄膜の微細構造（結晶なのかアモルファスなのか、その度合いも含めて）を明らかにすることができた。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件