【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.03.28】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23TU0183

利用課題名 / Title

レーザ描画によるDOE試作検討

利用した実施機関 / Support Institute

東北大学 / Tohoku Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions

キーワード / Keywords

表面・界面・粒界制御/ Surface/interface/grain boundary control,光デバイス/ Optical Device,膜加工・エッチング/ Film processing/etching,光リソグラフィ/ Photolithgraphy

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

深田 和岐

所属名 / Affiliation

パナソニックプロダクションエンジニアリング株式会社

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

TU-052：アクテス スピンコータ#1
TU-054：ホットプレート
TU-057：レーザ描画装置
TU-205：アルバックICP-RIE#1
TU-310：レーザ／白色共焦点顕微鏡

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

DOE（回折光学素子）は多段の微細構造となっており、高い加工精度が必要である。
そのため、本取組みでは試作検証によって、合成石英基板上に狙い形状を得るための製造プロセス条件を検討する。

実験 / Experimental

合成石英基板上のレジスト膜に対して、グレースケールレーザ露光を行い、現像後の加工深さを確認した。
その後、ドライエッチングを行い、合成石英基板の加工深さを確認した。

結果と考察 / Results and Discussion

レーザ露光時の出力パワーが４５％で仕上がり現像深さが２．７μｍとなった。
ドライエッチング加工後の合成石英基板の加工深さが２．３μｍとなり、期待する成果を得ることができた。
現像後およびドライエッチング後の形状プロファイルを図１に示す。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

図１　現像後およびドライエッチング後の形状プロファイル

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件