【公開日：2023.07.28】【最終更新日：2023.05.23】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22TU0212
利用課題名 / Title
SnCu合金層の観察
利用した実施機関 / Support Institute
東北大学 / Tohoku Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
シリコン基材料・デバイス, 光学材料・素子,集束イオンビーム/Focused ion beam
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
村越 裕之
所属名 / Affiliation
日本電波工業株式会社 技術企画部
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術相談/Technical Consultation（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
はんだ実装した電子部品のCu部が破断してオープン故障した．はんだのSnと電子部品のCuによるカーケンダルボイド或いはエレクトロマイグレーションが疑われるため、本技術相談により破断断面観察することで真因追及の一助としたい。
実験 / Experimental
故障品・未故障品を使用し、FIB加工によりTEM試料作製し、構造解析を狙う．破断面及びその周辺領域を観察することで初期の接合界面がSnCu拡散にて破断に至るまでのプロセスを必要な装置にて定性・定量分析から推定する。
結果と考察 / Results and Discussion
今年度は解析を進めるにあたっての情報共有や試料作製の前処理検討までを行い、次年度以降、本格的な解析を実施することとした。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件