【公開日：2023.07.28】【最終更新日：2023.04.24】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22NM0133
利用課題名 / Title
グラフェン電界効果トランジスタための酸化物ゲートの成膜
利用した実施機関 / Support Institute
物質・材料研究機構
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
量子マテリアル,蒸着・成膜/Evaporation and Deposition,PVD,原子層薄膜
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
李 松田
所属名 / Affiliation
量子科学研究開発機構
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術補助/Technical Assistance（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
本利用課題はARIMの真空蒸着装置を利用して、グラフェントランジスタ素子の一部である酸化物ゲートの成膜を実施する。
実験 / Experimental
電子銃型蒸着装置により、グラフェンの上にMgO(10nm)/SiO2(10nm)二層酸化物薄膜ゲートを成膜した。
結果と考察 / Results and Discussion
MgO(10nm)/SiO2(10nm)二層酸化物薄膜が電圧ゲートとして上手く働かなかったことを判明した。可能の原因として、MgO(10nm)/SiO2(10nm)二層酸化物薄膜は薄すぎるため、pinholeによるリーク電流が生じたと推測される。今後、pinholeによるリーク電流を抑制ため、MgO/SiO2二層酸化物薄膜の厚さを増やす必要がある。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件