【公開日：2023.08.01】【最終更新日：2023.05.21】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22KT1229
利用課題名 / Title
テラヘルツ反射ミラーの作製
利用した実施機関 / Support Institute
京都大学
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials（副 / Sub）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed
キーワード / Keywords
テラヘルツ,金属メタマテリアル,リソグラフィ/Lithography,EB,3D積層技術/ 3D lamination technology,メタマテリアルメタマテリアル/ Metamaterial
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
廣理 英基
所属名 / Affiliation
京都大学化学研究所
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
海津利行
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術代行/Technology Substitution
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
本研究では、高強度のTHzパルスの電場・磁場成分の自由度を金属メタマテリアルによって制御し、超高速レーザー分光技術を駆使して超高速電場応答計測技術を創出すことを目的としている。このために、マスクレス露光装置、真空蒸着装置を利用して、マイクロスケールの金属メタマテリアル構造を作製した。
実験 / Experimental
水晶基板に、マスクレス露光装置を用いてメタマテリアル構造のパターンを転写し、化学エッチングによりフォトレジストを除去した。真空蒸着装置により、金を蒸着し、残りのフォトレジストをアセトンで除去することにより目的のメタマテリアル構造を得た。
結果と考察 / Results and Discussion
マスクレス露光装置と真空蒸着装置を使いメタマテリアル(split ring resonator)構造を作製した（Fig. 1）。印可したテラヘルツ電場を効率的に磁場に変換することが可能になった。電磁波シミュレーション解析により、試料の深さに最大1Tesla程度のテラヘルツ磁場を発生できたことを確認した。今後、他の構造を作製することによりさらに、電場・磁場の増強効率向上の最適化を行っていく予定である。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig.1 Microscopic image of split ring resonator.
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件