【公開日：2023.07.28】【最終更新日：2023.05.17】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22BA0036
利用課題名 / Title
イオンミリングによるダイヤモンド電界放出電子源の試作
利用した実施機関 / Support Institute
筑波大学
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）その他/Others（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
膜加工・エッチング/Film processing and Etching
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
佐々木 正洋
所属名 / Affiliation
筑波大学
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
太田樹,柄澤岬
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術補助/Technical Assistance
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
イオンミリングを用いたダイヤモンド電子源基体形成の可能性を検討する。
実験 / Experimental
{100}面を端面にもつダイヤモンド丸棒を用いて、マスクを介して選択的にイオンミリングを照射し、成形を試みるとともに、エッチングの面方位依存性に注目して、端面だけでなく、側面も{100}面で構成されたダイヤモンド角棒を用いた同様の実験を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
一般には物理的プロセスであるイオンミリングにおいて、マスクによる選択性に加えて、結晶面方位に依存した形状が現れた。結晶方位依存性が現れるのは、ここでのダイヤモンドのイオンミリングには化学的過程を含むことを意味する。機構の理解のためには、追加実験を含む詳細な検討が必要である。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件