【公開日：2023.07.28】【最終更新日：2023.04.25】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

22TU0009

利用課題名 / Title

基板上への微細Ａｌ電極作成と基板の評価 / Fabrication of fine pitch Al electrode and evaluation of substrates

利用した実施機関 / Support Institute

東北大学 / Tohoku Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

リソグラフィ/Lithography,膜加工・エッチング/Film processing and Etching,蒸着・成膜/Evaporation and Deposition,MEMSデバイス

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

丹野 雅行

所属名 / Affiliation

信越化学工業㈱

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

佐々木寛和

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術代行/Technology Substitution

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

TU-063：i線ステッパ
TU-062：コータデベロッパ
TU-207：アルバック多用途RIE装置
TU-054：ホットプレート
TU-059：スプレー現像装置

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

本検討では、電子デバイス用4～6インチ基板上に0.4～0.6 µm程度の線幅のAl微細パターン形成し、さらに同基板上の所望位置にAlのPad電極を形成した。

実験 / Experimental

本検討は東北大学試作コインランドリーにて電子ビーム蒸着装置によるAl成膜、コータデベロッパによるレジスト塗布、i線ステッパを用いた露光、スプレー現像装置による現像、アルバック多用途RIE装置又は、アルバックICP-RIE#1による反応性ドライエッチング、リフトオフ工程を用いて下記のプロセスを検討した。
・検討プロセス
基板へのAl成膜→レジスト塗布→プリベーク→i線露光装置による露光（1層目）→現像→レジストハードニング→反応性エッチング→レジスト剥離→レジスト塗布→i線露光装置による露光（2層目）→現像→Al 製膜→リフトオフ
ここで、前記i線露光装置により、1層目は基板上にファインピッチのレジストを解像させ、2層目の露光ではウエハアライメントにより所望位置に逆テーパ形状のレジスト層を形成した。

結果と考察 / Results and Discussion

本検討で得られた0.45 µm線幅のファインピッチを含むAl膜上のレジスト像及び反応性エッチング後のAl微細パターン形成例をFig. 1に示す。1層目のAlの厚みは0.14 µmである。基板材が6inchである場合、反応性エッチングでアルバック多用途RIE装置を用いるとAl線幅の面内分布が生じた。一方、アルバックICP-RIE#1を用いるとFig. 1に示す様な所望のパターンを基板面全面に解像することができた。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

Fig. 1 Finished Al fine pitch electrode with Al Pad.(Al fine pattern: Line width 0.45 µm,Space width 0.3 µm)

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

・本施設を利用するのに際し、東北大学 マイクロシステム融合研究開発センター 教授 戸津健太郎センター長と試作コインランドリーのスタッフご一同様に大変お世話になりました。感謝申し上げます。

利用した主な設備（欄不足分）
TU-052
TU-205
TU-002

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件