【公開日：2023.08.01】【最終更新日：2023.05.09】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22NI1702
利用課題名 / Title
半導体薄膜の表面構造評価
利用した実施機関 / Support Institute
名古屋工業大学
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者）/Internal Use (by ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）マテリアルの高度循環のための技術/Advanced materials recycling technologies（副 / Sub）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed
キーワード / Keywords
高周波デバイス/ High frequency device,CVD,資源代替技術/ Resource alternative technology,パワーエレクトロニクス/ Power electronics
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
宮川 鈴衣奈
所属名 / Affiliation
名古屋工業大学
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
NI-017：精密形状測定・局所磁気測定・局所電気特性評価装置
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
表面構造をナノオーダーで評価し，結晶成長における基板表面での原子の吸着を理解する．
実験 / Experimental
オフ角度の異なる結晶基板上に，半導体結晶成長を行った．オフ角の違いにより結晶表面のテラス幅やステップ頻度が異なるが，この違いが結晶成長における原子の表面マイグレーションや吸着に与える影響を調べた．本装置は，結晶成長前のオフ角の異なる下地基板の表面観察により，原子ステップとテラス幅の観察を行うために使用した．
結果と考察 / Results and Discussion
本装置で，狙いとしていた原子ステップとテラス幅の観察はできなかった．これは，プローブ先端の曲率が，原子ステップを観察するのに十分な分解能でなかったことが原因と考える．所望の情報は得られなかったが，表面粗さなど得られた情報を有益に生かしていく．
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件