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- 22AT0067
- 6インチSi基板上GaN HEMTの試作
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT0065
- 単層カーボンナノチューブ凝集体上に成長したナノリボン構造の元素分析
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT0063
- ステッパ露光適用によるセンサの高精度化検証
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT0059
- 半導体デバイスの特性調査
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT0057
- AlGaAs膜のドライエッチングの検討
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT0056
- GaN薄膜の原子層堆積
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT0054
- 表面弾性波デバイスの絶対振動量計測
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT0053
- 酸化状態を制御した固体電解質のイオン化ポテンシャルの評価
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT0052
- MIM構造作製プロセスの検討と試作
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT0051
- プラズマCVDにおけるSiO2成膜レートの基板枚数依存性
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所