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高性能半導体デバイス アナライザ+プローバ

設備ID WS-023
分類 デバイス特性 > 電気特性評価
装置名称 高性能半導体デバイス アナライザ+プローバ (semiconductor device analyzer)
設置機関 早稲田大学
設置場所 早稲田大学121号館ナノテクノロジーリサーチセンター
メーカー名 キーサイト・テクノロジー株式会社 (Keysight Technologies, Inc.)
型番 プローバ:長瀬産業社製(特注品) 測定装置:アジレント社製B1500A LCRメータ4284A
キーワード 高精度デバイス用
仕様・特徴 ・0.1 fAおよび0.5 μVまでの電流/電圧(IV)測定をサポート
・ハイ・パワー/メモリ・デバイス・テストのための高電圧パルス発生(最大±40 V)をサポート
・準静的および中間周波数キャパシタンス/電圧(CV)測定をサポート
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