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ICP高密度プラズマエッチング装置(フッ素)

設備ID HK-620
分類 膜加工・エッチング > プラズマエッチング
装置名称 ICP高密度プラズマエッチング装置(フッ素) (ICP-RIE Etching Systems(F))
設置機関 北海道大学
設置場所 創成科学研究棟クリーンルーム
メーカー名 サムコ (samco)
型番 RIE-101iPH
キーワード シリコンエッチング
仕様・特徴 使用ガス:SF6、C4F8、CF4、Ar、O2、CHF3、C3F8
試料サイズ:最大4インチ
    ICP高密度プラズマエッチング装置(フッ素)
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