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LL式高密度汎用スパッタリング装置(2024)

設備ID UT-716
分類 成膜装置 > スパッタリング(スパッタ)
装置名称 LL式高密度汎用スパッタリング装置(2024) (LL-type High-density General Purpose Sputtering System)
設置機関 東京大学
設置場所 武田先端知クリーンルーム2
メーカー名 芝浦メカトロニクス (SHIBAURA MECHATRONICS)
型番 CFS-4EP-LL !-Miller (2024)
キーワード スパッタ
仕様・特徴 真空引きが速く、通常10分程度でスパッタリング開始が可能。また、膜質の安定も期待できる。ターゲットはCFS-4ESと共通。 デフォルトはPt/Au/Cr/Tiを装着。それ以外のターゲットは支援員の技術補助で交換を行う。UT-711と互換。
サイドスパッタ方式、スパッタターゲット:3inchx3、ホルダーサイズ:Φ220mm、到達圧力:5x10E-4 Pa以下、RF50W(DC)、加熱温度:最大300℃
    LL式高密度汎用スパッタリング装置(2024)
    LL式高密度汎用スパッタリング装置(2024)
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