エッチング装置(RIE SiO2用)
設備ID | RO-411 |
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分類 | 膜加工・エッチング > プラズマエッチング |
装置名称 | エッチング装置(RIE SiO2用) (Reactive ion etching system for SiO2) |
設置機関 | 広島大学 |
設置場所 | CR西棟1F |
メーカー名 | 神戸製鋼 (Kobe Steel, Ltd.) |
型番 | |
キーワード | |
仕様・特徴 | 対応wafer:2inch、cut waferは2inchに貼り付けて対応可 CF4, H2使用可能 |