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ICP高密度プラズマエッチング装置(フッ素) (ICP-RIE Etching Systems(F))

設備ID
HK-620
設置機関
北海道大学
設備画像
ICP高密度プラズマエッチング装置(フッ素)
メーカー名
サムコ (samco)
型番
RIE-101iPH
仕様・特徴
使用ガス:SF6、C4F8、CF4、Ar、O2、CHF3、C3F8
試料サイズ:最大4インチ
設備状況
稼働中

反応性イオンエッチング装置 (Reactive ion Etching Systems)

設備ID
HK-621
設置機関
北海道大学
設備画像
反応性イオンエッチング装置
メーカー名
サムコ (samco)
型番
RIE-10NRV
仕様・特徴
使用ガス:CF4、Ar、O2、CHF3
試料サイズ:最大8インチ
設備状況
稼働中

NLDドライエッチング装置 (NLD Dry Etching System)

設備ID
HK-622
設置機関
北海道大学
設備画像
NLDドライエッチング装置
メーカー名
アルバック (Ulvac)
型番
NLD-500
仕様・特徴
使用ガス:SF6、CF4、CHF3、Ar、O2、C3F8
試料サイズ:最大4インチ
設備状況
稼働中

イオンミリング装置 (Ion milling system)

設備ID
HK-623
設置機関
北海道大学
設備画像
イオンミリング装置
メーカー名
アルバック (Ulvac)
型番
IBE-6000S
仕様・特徴
使用ガス:Ar
試料サイズ:最大3インチ
設備状況
稼働中

シリコン深掘りエッチング装置 (Si Deep RIE System)

設備ID
HK-624
設置機関
北海道大学
設備画像
シリコン深掘りエッチング装置
メーカー名
SPPテクノロジーズ (SPP Technologies)
型番
APX-Pegasus-Polestar
仕様・特徴
使用ガス:SF6、C4F8、Ar、O2
試料サイズ:最大4インチ
設備状況
稼働中

高分解能電界放射型走査型電子顕微鏡 (Field emission electron microscope)

設備ID
HK-625
設置機関
北海道大学
設備画像
高分解能電界放射型走査型電子顕微鏡
メーカー名
日本電子 (JEOL)
型番
JSM-6700FT
仕様・特徴
加速電圧:5-30kV
EDS機能
試料サイズ:小片~25mm角
設備状況
稼働中

光学干渉式膜厚計 ( Film thickness measurement instruments)

設備ID
HK-626
設置機関
北海道大学
設備画像
光学干渉式膜厚計
メーカー名
フィルメトリクス (Filmetrics)
型番
F20-UV
仕様・特徴
膜厚測定範囲:1nm - 40µm
測定波長域:190-1100nm
設備状況
稼働中

真空紫外露光装置 (Vacuum ultraviolet light exposure system)

設備ID
HK-627
設置機関
北海道大学
設備画像
真空紫外露光装置
メーカー名
エヌ工房 (N ceator)
型番
PC-01-H
仕様・特徴
試料サイズ:最大1インチ
設備状況
稼働中

卓上型ランプ加熱装置 (Infrared Gold Image Furnace / RTA System Mini Lamp Annealer)

設備ID
HK-628
設置機関
北海道大学
設備画像
卓上型ランプ加熱装置
メーカー名
アドバンス理工 (ADVANCE RIKO,Inc.)
型番
MILA-5000
仕様・特徴
温度範囲:RT ~ 1200℃
試料寸法:角 20mm × 厚 2mm
加熱雰囲気:大気中、真空中、不活性ガス中
到達真空度:6.5Pa(RP使用、室温無負荷)
設備状況
稼働中

ガラスインプリント装置 (High Precision Optical Glass Molding Press Machine)

設備ID
HK-629
設置機関
北海道大学
設備画像
ガラスインプリント装置
メーカー名
東芝機械株式会社 (TOSHIBA MACHINE)
型番
GMP-415V
仕様・特徴
ナノ~マイクロメートルサイズの鋳型をガラス基板上に転写することで、ガラスの微細構造体を作製することが可能
設備状況
稼働中
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