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多元スパッタ装置 (Multi-target Sputtering sysutem)

設備ID
HK-611
設置機関
北海道大学
設備画像
多元スパッタ装置
メーカー名
アルバック (Ulvac)
型番
QAM-4-STS
仕様・特徴
カソード7元(ヘリコン2台含む)
試料:小片~最大Φ100㎜
垂直成膜可能(25mm角まで)
コスパッタ(DC/RF)、逆スパッタ
ターゲット:Au、Cr、Pt、Ag他
700度加熱可能
ラジカルイオンガン搭載(N,O)

イオンビームスパッタ装置 (Ion beam sputtering system)

設備ID
HK-612
設置機関
北海道大学
設備画像
イオンビームスパッタ装置
メーカー名
アルバック (Ulvac)
型番
IBS-6000
仕様・特徴
成膜材料:4元、Ni、Cr、SiO2、W-Si他
試料サイズ:最大3インチ

プラズマCVD装置 (Plasma Enhanced CVD system)

設備ID
HK-613
設置機関
北海道大学
設備画像
プラズマCVD装置
メーカー名
サムコ (samco)
型番
PD-220ESN
仕様・特徴
成膜材料:SiO2、SiN
試料サイズ:最大8インチ

液体ソースプラズマCVD装置 (Liquid Source CVD Systems)

設備ID
HK-614
設置機関
北海道大学
設備画像
液体ソースプラズマCVD装置
メーカー名
サムコ (samco)
型番
PD-10C1
仕様・特徴
成膜材料:SiO2他(原料持ち込み可)
キャリアガス:N2、He、Ar、H2
試料サイズ:最大3インチ

パルスレーザー堆積装置 (Pulse Laser Deposition system)

設備ID
HK-615
設置機関
北海道大学
設備画像
パルスレーザー堆積装置
メーカー名
パスカル (Pascal)
型番
PAC-LMBE
仕様・特徴
レーザー光源:248nm
基板サイズ:
成膜材料:TiO2、STOなど

原子層堆積装置 (Atomic Layer Depositon system)

設備ID
HK-616
設置機関
北海道大学
設備画像
原子層堆積装置
メーカー名
ピコサン (Picosun)
型番
SUNALE-R
仕様・特徴
成膜材料:SiO2、TiO2、Al2O3他(原料持ち込み可)
試料サイズ:最大6インチ

原子層堆積装置(粉末対応型) (Atomic Layer Depositon system (Powder))

設備ID
HK-617
設置機関
北海道大学
設備画像
原子層堆積装置(粉末対応型)
メーカー名
ピコサン (Picosun)
型番
R-200 Advanced
仕様・特徴
成膜材料:TiO2、Al2O3
試料サイズ:最大8インチ、粉末試料(1g~15g)

プラズマ原子層堆積装置 (Plasma Enhanced ALD system)

設備ID
HK-618
設置機関
北海道大学
設備画像
プラズマ原子層堆積装置
メーカー名
サムコ (samco)
型番
AD-230LP
仕様・特徴
成膜材料:Al2O3
試料サイズ:最大8インチ

ICP高密度プラズマエッチング装置(塩素) (ICP-RIE Etching Systems(Cl))

設備ID
HK-619
設置機関
北海道大学
設備画像
ICP高密度プラズマエッチング装置(塩素)
メーカー名
サムコ (samco)
型番
RIE-101iHS
仕様・特徴
使用ガス:Ar、O2、SiCl4、Cl2
試料サイズ:最大4インチ

ICP高密度プラズマエッチング装置(フッ素) (ICP-RIE Etching Systems(F))

設備ID
HK-620
設置機関
北海道大学
設備画像
ICP高密度プラズマエッチング装置(フッ素)
メーカー名
サムコ (samco)
型番
RIE-101iPH
仕様・特徴
使用ガス:SF6、C4F8、CF4、Ar、O2、CHF3、C3F8
試料サイズ:最大4インチ
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