共用設備検索結果
多元スパッタ装置 (Multi-target Sputtering sysutem)
- 設備ID
- HK-611
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像
- メーカー名
- アルバック (Ulvac)
- 型番
- QAM-4-STS
- 仕様・特徴
- カソード7元（ヘリコン2台含む）
試料：小片～最大Φ100㎜
垂直成膜可能（25mm角まで）
コスパッタ（DC/RF)、逆スパッタ
ターゲット：Au、Cr、Pt、Ag他
700度加熱可能
ラジカルイオンガン搭載（N,O)
イオンビームスパッタ装置 (Ion beam sputtering system)
- 設備ID
- HK-612
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像
- メーカー名
- アルバック (Ulvac)
- 型番
- IBS-6000
- 仕様・特徴
- 成膜材料：4元、Ni、Cr、SiO2、W-Si他
試料サイズ：最大3インチ
プラズマCVD装置 (Plasma Enhanced CVD system)
- 設備ID
- HK-613
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像
- メーカー名
- サムコ (samco)
- 型番
- PD-220ESN
- 仕様・特徴
- 成膜材料：SiO2、SiN
試料サイズ：最大8インチ
液体ソースプラズマCVD装置 (Liquid Source CVD Systems)
- 設備ID
- HK-614
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像
- メーカー名
- サムコ (samco)
- 型番
- PD-10C1
- 仕様・特徴
- 成膜材料：SiO2他（原料持ち込み可）
キャリアガス：N2、He、Ar、H2
試料サイズ：最大3インチ
パルスレーザー堆積装置 (Pulse Laser Deposition system)
- 設備ID
- HK-615
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像
- メーカー名
- パスカル (Pascal)
- 型番
- PAC-LMBE
- 仕様・特徴
- レーザー光源：248nm
基板サイズ：
成膜材料：TiO2、STOなど
原子層堆積装置 (Atomic Layer Depositon system)
- 設備ID
- HK-616
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像
- メーカー名
- ピコサン (Picosun)
- 型番
- SUNALE-R
- 仕様・特徴
- 成膜材料：SiO2、TiO2、Al2O3他（原料持ち込み可）
試料サイズ：最大6インチ
原子層堆積装置（粉末対応型） (Atomic Layer Depositon system (Powder))
- 設備ID
- HK-617
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像
- メーカー名
- ピコサン (Picosun)
- 型番
- R-200 Advanced
- 仕様・特徴
- 成膜材料：TiO2、Al2O3
試料サイズ：最大8インチ、粉末試料（1g～15g)
プラズマ原子層堆積装置 (Plasma Enhanced ALD system)
- 設備ID
- HK-618
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像
- メーカー名
- サムコ (samco)
- 型番
- AD-230LP
- 仕様・特徴
- 成膜材料：Al2O3他
試料サイズ：最大8インチ
ICP高密度プラズマエッチング装置（塩素） (ICP-RIE Etching Systems(Cl))
- 設備ID
- HK-619
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像
- メーカー名
- サムコ (samco)
- 型番
- RIE-101iHS
- 仕様・特徴
- 使用ガス：Ar、O2、SiCl4、Cl2
試料サイズ：最大４インチ
ICP高密度プラズマエッチング装置（フッ素） (ICP-RIE Etching Systems(F))
- 設備ID
- HK-620
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像
- メーカー名
- サムコ (samco)
- 型番
- RIE-101iPH
- 仕様・特徴
- 使用ガス：SF6、C4F8、CF4、Ar、O2、CHF3、C3F8
試料サイズ：最大４インチ