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コンパクトスパッタ装置 (Compact Sputter)
- 設備ID
- HK-610
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像

- メーカー名
- アルバック (Ulvac)
- 型番
- ACS-4000-C3-HS
- 仕様・特徴
- カソード4元(DC3元、RF1元)
成膜材料:SiO2、Au,Cr、Mo等
基板サイズ:10mm~4インチ(リフトオフ仕様では25mm角まで)
基板加熱機構有り(~550℃)
- 設備状況
- 稼働中
多元スパッタ装置 (Multi-target Sputtering sysutem)
- 設備ID
- HK-611
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像

- メーカー名
- アルバック (Ulvac)
- 型番
- QAM-4-STS
- 仕様・特徴
- カソード7元(ヘリコン2台含む)
試料:小片~最大Φ100㎜
垂直成膜可能(25mm角まで)
コスパッタ(DC/RF)、逆スパッタ
ターゲット:Au、Cr、Pt、Ag他
700度加熱可能
ラジカルイオンガン搭載(N,O)
- 設備状況
- 稼働中
イオンビームスパッタ装置 (Ion beam sputtering system)
- 設備ID
- HK-612
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像

- メーカー名
- アルバック (Ulvac)
- 型番
- IBS-6000
- 仕様・特徴
- 成膜材料:4元、Ni、Cr、SiO2、W-Si他
試料サイズ:最大3インチ
- 設備状況
- 稼働中
プラズマCVD装置 (Plasma Enhanced CVD system)
- 設備ID
- HK-613
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像

- メーカー名
- サムコ (samco)
- 型番
- PD-220ESN
- 仕様・特徴
- 成膜材料:SiO2、SiN
試料サイズ:最大8インチ
- 設備状況
- 稼働中
液体ソースプラズマCVD装置 (Liquid Source CVD Systems)
- 設備ID
- HK-614
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像

- メーカー名
- サムコ (samco)
- 型番
- PD-10C1
- 仕様・特徴
- 成膜材料:SiO2他(原料持ち込み可)
キャリアガス:N2、He、Ar、H2
試料サイズ:最大3インチ
- 設備状況
- 稼働中
パルスレーザー堆積装置 (Pulse Laser Deposition system)
- 設備ID
- HK-615
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像

- メーカー名
- パスカル (Pascal)
- 型番
- PAC-LMBE
- 仕様・特徴
- レーザー光源:248nm
基板サイズ:
成膜材料:TiO2、STOなど
- 設備状況
- 稼働中
原子層堆積装置 (Atomic Layer Depositon system)
- 設備ID
- HK-616
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像

- メーカー名
- ピコサン (Picosun)
- 型番
- SUNALE-R
- 仕様・特徴
- 成膜材料:SiO2、TiO2、Al2O3他(原料持ち込み可)
試料サイズ:最大6インチ
- 設備状況
- 稼働中
原子層堆積装置(粉末対応型) (Atomic Layer Depositon system (Powder))
- 設備ID
- HK-617
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像

- メーカー名
- ピコサン (Picosun)
- 型番
- R-200 Advanced
- 仕様・特徴
- 成膜材料:TiO2、Al2O3
試料サイズ:最大8インチ、粉末試料(1g~15g)
- 設備状況
- 稼働中
プラズマ原子層堆積装置 (Plasma Enhanced ALD system)
- 設備ID
- HK-618
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像

- メーカー名
- サムコ (samco)
- 型番
- AD-230LP
- 仕様・特徴
- 成膜材料:Al2O3他
試料サイズ:最大8インチ
- 設備状況
- 稼働中
ICP高密度プラズマエッチング装置(塩素) (ICP-RIE Etching Systems(Cl))
- 設備ID
- HK-619
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像

- メーカー名
- サムコ (samco)
- 型番
- RIE-101iHS
- 仕様・特徴
- 使用ガス:Ar、O2、SiCl4、Cl2
試料サイズ:最大4インチ
- 設備状況
- 稼働中