共用設備検索結果
超高精度電子ビーム描画装置(100kV) (Ultra-high precision electron-beam lithography system(100kV))
- 設備ID
- HK-601
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像
- メーカー名
- エリオニクス (ELIONIX)
- 型番
- ELS-7000HM
- 仕様・特徴
- 加速電圧：100kV
試料サイズ：最大6インチ
超高精度電子ビーム描画装置(125kV) (Ultra-high precision electron-beam lithography system(125kV))
- 設備ID
- HK-602
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像
- メーカー名
- エリオニクス (ELIONIX)
- 型番
- ELS-F125
- 仕様・特徴
- 加速電圧：125kV
試料サイズ：最大6インチ
超高速スキャン電子線描画装置(130kV) (High-speed scanning electron-beam lithography system(130kV))
- 設備ID
- HK-603
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像
- メーカー名
- エリオニクス (ELIONIX)
- 型番
- ELS-F130HM
- 仕様・特徴
- 加速電圧：130kV
試料サイズ：最大8インチ
レーザー描画装置 (Laser lithography system)
- 設備ID
- HK-604
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像
- メーカー名
- ハイデルベルグ (Heidelberg)
- 型番
- DWL66+
- 仕様・特徴
- 光源：405nm半導体レーザー
描画エリア：最大8インチ角
最小描画線幅：0.3ミクロン(HiRes)、0.8ミクロン（WMII）
255階調グレースケールモード搭載
バックアライメント機能
レーザー直接描画装置 (Laser direct lithography system)
- 設備ID
- HK-605
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像
- メーカー名
- ネオアーク (NEOARK)
- 型番
- DDB-201
- 仕様・特徴
- 光源：375nm半導体レーザー
描画エリア：最大50mm
試料サイズ：最大6インチ
マスクアライナ (Mask aligner)
- 設備ID
- HK-606
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像
- メーカー名
- ミカサ (MIKASA)
- 型番
- MA-20
- 仕様・特徴
- コンタクト露光
試料サイズ：最大4インチ
マスクサイズ：最大5インチ
EB蒸着装置 (EB vacuume evaporation system)
- 設備ID
- HK-607
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像
- メーカー名
- エイコー (Eiko)
- 型番
- EB-580S
- 仕様・特徴
- 蒸着源:Au,Ti,Al,Cu,Nb
基板加熱可(600℃程度まで)
水晶振動式膜厚計
真空蒸着装置 (Vacuume evaporation system)
- 設備ID
- HK-608
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像
- メーカー名
- サンバック (SANVAC)
- 型番
- ED-1500R
- 仕様・特徴
- 蒸着源:抵抗加熱3元、EB3元
基板加熱可
水晶振動式膜厚計
ヘリコンスパッタリング装置 (Helicon sputtering system)
- 設備ID
- HK-609
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像
- メーカー名
- アルバック (Ulvac)
- 型番
- MPS-4000C1/HC1
- 仕様・特徴
- カソード：3元（マグネトロン4インチ、ヘリコンDC2インチ、ヘリコンRF2インチ）
成膜材料：Au,Cr,Ti
試料サイズ：最大4インチ
コンパクトスパッタ装置 (Compact Sputter)
- 設備ID
- HK-610
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像
- メーカー名
- アルバック (Ulvac)
- 型番
- ACS-4000-C3-HS
- 仕様・特徴
- カソード4元（DC3元、RF1元）
成膜材料：SiO2、Au,Cr、Mo等
基板サイズ：10mm～4インチ（リフトオフ仕様では25mm角まで）
基板加熱機構有り（～550℃）