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超高精度電子ビーム描画装置(100kV) (Ultra-high precision electron-beam lithography system(100kV))

設備ID
HK-601
設置機関
北海道大学
設備画像
超高精度電子ビーム描画装置(100kV)
メーカー名
エリオニクス (ELIONIX)
型番
ELS-7000HM
仕様・特徴
加速電圧:100kV
試料サイズ:最大6インチ

超高精度電子ビーム描画装置(125kV) (Ultra-high precision electron-beam lithography system(125kV))

設備ID
HK-602
設置機関
北海道大学
設備画像
超高精度電子ビーム描画装置(125kV)
メーカー名
エリオニクス (ELIONIX)
型番
ELS-F125
仕様・特徴
加速電圧:125kV
試料サイズ:最大6インチ

超高速スキャン電子線描画装置(130kV) (High-speed scanning electron-beam lithography system(130kV))

設備ID
HK-603
設置機関
北海道大学
設備画像
超高速スキャン電子線描画装置(130kV)
メーカー名
エリオニクス (ELIONIX)
型番
ELS-F130HM
仕様・特徴
加速電圧:130kV
試料サイズ:最大8インチ

レーザー描画装置 (Laser lithography system)

設備ID
HK-604
設置機関
北海道大学
設備画像
レーザー描画装置
メーカー名
ハイデルベルグ (Heidelberg)
型番
DWL66+
仕様・特徴
光源:405nm半導体レーザー
描画エリア:最大8インチ角
最小描画線幅:0.3ミクロン(HiRes)、0.8ミクロン(WMII)
255階調グレースケールモード搭載
バックアライメント機能

レーザー直接描画装置 (Laser direct lithography system)

設備ID
HK-605
設置機関
北海道大学
設備画像
レーザー直接描画装置
メーカー名
ネオアーク (NEOARK)
型番
DDB-201
仕様・特徴
光源:375nm半導体レーザー
描画エリア:最大50mm
試料サイズ:最大6インチ

マスクアライナ (Mask aligner)

設備ID
HK-606
設置機関
北海道大学
設備画像
マスクアライナ
メーカー名
ミカサ (MIKASA)
型番
MA-20
仕様・特徴
コンタクト露光
試料サイズ:最大4インチ
マスクサイズ:最大5インチ

EB蒸着装置 (EB vacuume evaporation system)

設備ID
HK-607
設置機関
北海道大学
設備画像
EB蒸着装置
メーカー名
エイコー (Eiko)
型番
EB-580S
仕様・特徴
蒸着源:Au,Ti,Al,Cu,Nb
基板加熱可(600℃程度まで)
水晶振動式膜厚計

真空蒸着装置 (Vacuume evaporation system)

設備ID
HK-608
設置機関
北海道大学
設備画像
真空蒸着装置
メーカー名
サンバック (SANVAC)
型番
ED-1500R
仕様・特徴
蒸着源:抵抗加熱3元、EB3元
基板加熱可
水晶振動式膜厚計

ヘリコンスパッタリング装置 (Helicon sputtering system)

設備ID
HK-609
設置機関
北海道大学
設備画像
ヘリコンスパッタリング装置
メーカー名
アルバック (Ulvac)
型番
MPS-4000C1/HC1
仕様・特徴
カソード:3元(マグネトロン4インチ、ヘリコンDC2インチ、ヘリコンRF2インチ)
成膜材料:Au,Cr,Ti
試料サイズ:最大4インチ

コンパクトスパッタ装置 (Compact Sputter)

設備ID
HK-610
設置機関
北海道大学
設備画像
コンパクトスパッタ装置
メーカー名
アルバック (Ulvac)
型番
ACS-4000-C3-HS
仕様・特徴
カソード4元(DC3元、RF1元)
成膜材料:SiO2、Au,Cr、Mo等
基板サイズ:10mm~4インチ(リフトオフ仕様では25mm角まで)
基板加熱機構有り(~550℃)
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