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パリレンコーティング装置 (Parylene coating system)

メーカー名
KISCO (KISCO)
型番
DACS-LAB
設備画像
パリレンコーティング装置
設置機関
名古屋大学
仕様・特徴
・蒸着チャンバー寸法:ID300×H350 mm
・回転:0.5~10rpm

高精度電子線描画装置 (Scanning electron microscope with add-on lithography system )

メーカー名
日本電子 サンユー電子 (JEOL Sanyu Electron)
型番
JSM-7000FK SPG-724
設備画像
高精度電子線描画装置
設置機関
名古屋大学
仕様・特徴
・分解能:1.2 nm(30kV)
・倍率:×10~×1,000,000
・試料室:最大200 mm
・描画方式:ラスタースキャン方式/ブロックスキャン方式
・描画フィールド:50 µm□/100 µm□/200 µm□/500 µm□(ラスタースキャン),2,500 µm□,1ブロック=2.5 µm□(ブロックスキャン)

両面露光用マスクアライナ (Mask aligner)

メーカー名
Suss MicroTec AG (Suss MicroTec AG)
型番
MJB-3
設備画像
両面露光用マスクアライナ
設置機関
名古屋大学
仕様・特徴
・最大ウェーハサイズ:3 inch(吸引モード),4 inch(ソフトコンタクト)
・照射範囲:3×3 inch
・対応基板厚さ:4.5 mm
両面露光:可能(赤外線照明)

マスクアライナ (Mask aligner)

メーカー名
ナノテック (Nanometric Technology)
型番
LA410
設備画像
マスクアライナ
設置機関
名古屋大学
仕様・特徴
・適応マスク:最大 5 inch
・適応資料:最大Φ4 inch
・有効露光範囲:Φ80 mm以上

共焦点レーザ顕微鏡 (Confocal laser microscope)

メーカー名
ニコン (Nikon)
型番
A1Rsi-N
設備画像
共焦点レーザ顕微鏡
設置機関
名古屋大学
仕様・特徴
・蛍光励起レーザ:405 nm,488 nm,561 nm,635 nm
・対物レンズ:100倍,10倍,20倍

SEM用断面試料作製装置 (Cross section polisher)

メーカー名
JEOL (JEOL)
型番
SM-09010
設備画像
SEM用断面試料作製装置
設置機関
名古屋大学
仕様・特徴
・イオン加速電圧:2~6 kV
・イオンビーム径:500 μm(半値幅)
・最大搭載試料サイズ:幅11 mm × 長さ10 mm × 厚さ2 mm
・試料移動範囲:X軸:±3 mm,Y軸:±3 mm

デジタルマイクロスコープ (Digital microscope)

メーカー名
KEYENCE (KEYENCE)
型番
VK-9700
設備画像
デジタルマイクロスコープ
設置機関
名古屋大学
仕様・特徴
・分解能:高さ方向 0.01 μm
・水平方向 0.13 μm
・最大観察倍率:3,000倍
・測定用光源:波長 408 nm

デジタルマイクロスコープ (Digital microscope)

メーカー名
KEYENCE (KEYENCE)
型番
VK-9510
設備画像
デジタルマイクロスコープ
設置機関
名古屋大学
仕様・特徴
・分解能:高さ方向 0.01 μm
・水平方向 0.14 μm
・最大観察倍率:3,000倍
・測定用光源:波長 408 nm

Deep Si Etcher (Deep Si Etcher)

メーカー名
住友精密工業 (Sumitomo Precision Products)
型番
Multiplex-ASE
設備画像
Deep Si Etcher
設置機関
名古屋大学
仕様・特徴
・ウェーハサイズ:6 inch
・ボッシュプロセス対応

両面露光用マスクアライナ (Mask aligner)

メーカー名
ユニオン光学 (Union)
型番
PEM800
設備画像
両面露光用マスクアライナ
設置機関
名古屋大学
仕様・特徴
・両面露光が可能
・対応基板サイズ:最大4インチ
・最小パターン:3.0μm
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