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高温プロセス用誘導結合型プラズマエッチング装置 (High temperature ICP plasma etching)

メーカー名
自作 (Lab made)
型番
設備画像
高温プロセス用誘導結合型プラズマエッチング装置
設置機関
名古屋大学
仕様・特徴
・高温でのCl2,BCl3プラズマエッチングプロセス
・基板温度:200℃-600℃
・使用ガス:Cl2,Ar,N2,BCl3,O2

表面解析プラズマビーム装置 (Plasma beam system with surface analysis)

メーカー名
自作 (Lab made)
型番
設備画像
表面解析プラズマビーム装置
設置機関
名古屋大学
仕様・特徴
・プラズマビームを材料表面に照射後のin-situ XPS評価により,表面-プラズマ間の反応の解析が可能.
・使用ガス:HBr,Ar,CF4,C4F8,Cl2,H2,N2,O2

in-situプラズマ照射表面分析装置 (In-situ plasma exposure and analysis system)

メーカー名
自作 (Lab made)
型番
設備画像
in-situプラズマ照射表面分析装置
設置機関
名古屋大学
仕様・特徴
・プラズマ照射後の表面のin-situ XPS,FT-IR,STM分析が可能.
・プロセスガス:H2,N2,O2,Ar,He,SiH4,SF6,CF4

超高密度液中プラズマ装置 (In-liquid ultra-high density plasma system)

メーカー名
NUシステム (NU System)
型番
特注
設備画像
超高密度液中プラズマ装置
設置機関
名古屋大学
仕様・特徴
・有機溶媒を用いたナノグラフェン合成,液体分析,細胞改質が可能
・電源9 kV,60 Hz
・液体:アルコール類 500 mL
・プロセスガス Ar 3 L/min

大気圧イオン付着質量分析器 (Atmospheric pressure ion attachment mass spectrometry)

メーカー名
キャノンアネルバ (Canon Anelva)
型番
設備画像
大気圧イオン付着質量分析器
設置機関
名古屋大学
仕様・特徴
・大気圧プラズマの質量分析が可能
・検出質量数 1-410

真空紫外吸収分光計 (Ultraviolet absorption spectroscopy )

メーカー名
NUシステム (NU System)
型番
特注
設備画像
真空紫外吸収分光計
設置機関
名古屋大学
仕様・特徴
・プラズマ診断用
・真空チャンバー壁面に設置
・H,O,N,Cラジカル密度計測可

レーザ描画装置 (Laser lithography)

メーカー名
Heidelberg Instruments (Heidelberg Instruments)
型番
mPG101-UV
設備画像
レーザ描画装置
設置機関
名古屋大学
仕様・特徴
・対応基板:100 mm ×100 mm
・加工精度:3 µm
・最小アドレスグリッド:100 nm
・対応データ:DXF,CIF,BMP

スパッタリング装置 (Sputtering system)

メーカー名
キャノンアネルバ (Canon Anelva)
型番
E-200S
設備画像
スパッタリング装置
設置機関
名古屋大学
仕様・特徴
・ターゲット:SiO2,Cr,Au
・膜厚分布:Φ100 mm内±3%
・基板ホルダー:Φ200 mm
・基板加熱:Max 300℃(水冷付)

3次元レーザ・リソグラフィシステム群 (3 dimentional laser lithography system)

メーカー名
Nanoscribe KISCO (Nanoscribe KISCO)
型番
Photonic Professional SCLEAD3CD2000
設備画像
3次元レーザ・リソグラフィシステム群
設置機関
名古屋大学
仕様・特徴
Nanoscribe Photonic Professional
・2次元加工精度:100 nm
・3次元加工精度:150 nm
・対応データ:DXF, STL
KISCO SCLEAD3CD2000
・設計温度:100 ℃
・設計圧力:20 MPa

ナノインプリント装置 (Nanoimprint)

メーカー名
SCIVAX (SCIVAX)
型番
X-300 BVU-ND
設備画像
ナノインプリント装置
設置機関
名古屋大学
仕様・特徴
・形式:熱式,UV式
・最大ワークサイズ:Φ150 mm
・最大荷重:50 kN
・最高仕様温度:250℃,650℃
・UV機能:波長 365 nm/385 nm
・有効照射面積:□100 mm
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