共用設備検索結果
高温プロセス用誘導結合型プラズマエッチング装置 (High temperature ICP plasma etching)
- メーカー名
- 自作 (Lab made)
- 型番
- 設備画像
- 設置機関
- 名古屋大学
- 仕様・特徴
- ・高温でのCl2，BCl3プラズマエッチングプロセス
・基板温度：200℃-600℃
・使用ガス：Cl2，Ar，N2，BCl3，O2
表面解析プラズマビーム装置 (Plasma beam system with surface analysis)
- メーカー名
- 自作 (Lab made)
- 型番
- 設備画像
- 設置機関
- 名古屋大学
- 仕様・特徴
- ・プラズマビームを材料表面に照射後のin-situ XPS評価により，表面-プラズマ間の反応の解析が可能．
・使用ガス：HBr，Ar，CF4，C4F8，Cl2，H2，N2，O2
in-situプラズマ照射表面分析装置 (In-situ plasma exposure and analysis system)
- メーカー名
- 自作 (Lab made)
- 型番
- 設備画像
- 設置機関
- 名古屋大学
- 仕様・特徴
- ・プラズマ照射後の表面のin-situ XPS，FT-IR，STM分析が可能．
・プロセスガス：H2，N2，O2，Ar，He，SiH4，SF6，CF4
超高密度液中プラズマ装置 (In-liquid ultra-high density plasma system)
- メーカー名
- NUシステム (NU System)
- 型番
- 特注
- 設備画像
- 設置機関
- 名古屋大学
- 仕様・特徴
- ・有機溶媒を用いたナノグラフェン合成，液体分析，細胞改質が可能
・電源9 kV，60 Hz
・液体：アルコール類 500 mL
・プロセスガス Ar 3 L/min
大気圧イオン付着質量分析器 (Atmospheric pressure ion attachment mass spectrometry)
- メーカー名
- キャノンアネルバ (Canon Anelva)
- 型番
- 設備画像
- 設置機関
- 名古屋大学
- 仕様・特徴
- ・大気圧プラズマの質量分析が可能
・検出質量数 1-410
真空紫外吸収分光計 (Ultraviolet absorption spectroscopy )
- メーカー名
- NUシステム (NU System)
- 型番
- 特注
- 設備画像
- 設置機関
- 名古屋大学
- 仕様・特徴
- ・プラズマ診断用
・真空チャンバー壁面に設置
・H，O，N，Cラジカル密度計測可
レーザ描画装置 (Laser lithography)
- メーカー名
- Heidelberg Instruments (Heidelberg Instruments)
- 型番
- mPG101-UV
- 設備画像
- 設置機関
- 名古屋大学
- 仕様・特徴
- ・対応基板：100 mm ×100 mm
・加工精度：3 µm
・最小アドレスグリッド：100 nm
・対応データ：DXF，CIF，BMP
スパッタリング装置 (Sputtering system)
- メーカー名
- キャノンアネルバ (Canon Anelva)
- 型番
- E-200S
- 設備画像
- 設置機関
- 名古屋大学
- 仕様・特徴
- ・ターゲット：SiO2，Cr，Au
・膜厚分布：Φ100 mm内±3％
・基板ホルダー：Φ200 mm
・基板加熱：Max 300℃（水冷付）
3次元レーザ・リソグラフィシステム群 (3 dimentional laser lithography system)
- メーカー名
- Nanoscribe KISCO (Nanoscribe KISCO)
- 型番
- Photonic Professional SCLEAD3CD2000
- 設備画像
- 設置機関
- 名古屋大学
- 仕様・特徴
- Nanoscribe Photonic Professional
・2次元加工精度：100 nm
・3次元加工精度：150 nm
・対応データ：DXF, STL
KISCO SCLEAD3CD2000
・設計温度：100 ℃
・設計圧力：20 MPa
ナノインプリント装置 (Nanoimprint)
- メーカー名
- SCIVAX (SCIVAX)
- 型番
- X-300 BVU-ND
- 設備画像
- 設置機関
- 名古屋大学
- 仕様・特徴
- ・形式：熱式，UV式
・最大ワークサイズ：Φ150 mm
・最大荷重：50 kN
・最高仕様温度：250℃，650℃
・UV機能：波長 365 nm／385 nm
・有効照射面積：□100 mm