共用設備検索結果
超高密度液中プラズマ装置 (In-liquid ultra-high density plasma system)
- 設備ID
- NU-241
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- NUシステム (NU System)
- 型番
- 特注
- 仕様・特徴
- ・有機溶媒を用いたナノグラフェン合成，液体分析，細胞改質が可能
・電源9 kV，60 Hz
・液体：アルコール類 500 mL
・プロセスガス Ar 3 L/min
大気圧イオン付着質量分析器 (Atmospheric pressure ion attachment mass spectrometry)
- 設備ID
- NU-242
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- キャノンアネルバ (Canon Anelva)
- 型番
- 仕様・特徴
- ・大気圧プラズマの質量分析が可能
・検出質量数 1-410
真空紫外吸収分光計 (Ultraviolet absorption spectroscopy )
- 設備ID
- NU-243
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- NUシステム (NU System)
- 型番
- 特注
- 仕様・特徴
- ・プラズマ診断用
・真空チャンバー壁面に設置
・H，O，N，Cラジカル密度計測可
レーザ描画装置 (Laser lithography)
- 設備ID
- NU-244
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- Heidelberg Instruments (Heidelberg Instruments)
- 型番
- mPG101-UV
- 仕様・特徴
- ・対応基板：100 mm ×100 mm
・加工精度：3 µm
・最小アドレスグリッド：100 nm
・対応データ：DXF，CIF，BMP
スパッタリング装置 (Sputtering system)
- 設備ID
- NU-245
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- キャノンアネルバ (Canon Anelva)
- 型番
- E-200S
- 仕様・特徴
- ・ターゲット：SiO2，Cr，Au
・膜厚分布：Φ100 mm内±3％
・基板ホルダー：Φ200 mm
・基板加熱：Max 300℃（水冷付）
3次元レーザ・リソグラフィシステム群 (3 dimentional laser lithography system)
- 設備ID
- NU-246
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- Nanoscribe KISCO (Nanoscribe KISCO)
- 型番
- Photonic Professional SCLEAD3CD2000
- 仕様・特徴
- Nanoscribe Photonic Professional
・2次元加工精度：100 nm
・3次元加工精度：150 nm
・対応データ：DXF, STL
KISCO SCLEAD3CD2000
・設計温度：100 ℃
・設計圧力：20 MPa
ナノインプリント装置 (Nanoimprint)
- 設備ID
- NU-247
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- SCIVAX (SCIVAX)
- 型番
- X-300 BVU-ND
- 仕様・特徴
- ・形式：熱式，UV式
・最大ワークサイズ：Φ150 mm
・最大荷重：50 kN
・最高仕様温度：250℃，650℃
・UV機能：波長 365 nm／385 nm
・有効照射面積：□100 mm
パリレンコーティング装置 (Parylene coating system)
- 設備ID
- NU-248
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- KISCO (KISCO)
- 型番
- DACS-LAB
- 仕様・特徴
- ・蒸着チャンバー寸法：ID300×H350 mm
・回転：0.5～10rpm
高精度電子線描画装置 (Scanning electron microscope with add-on lithography system )
- 設備ID
- NU-249
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子 サンユー電子 (JEOL Sanyu Electron)
- 型番
- JSM-7000FK SPG-724
- 仕様・特徴
- ・分解能：1.2 nm(30kV)
・倍率：×10～×1,000,000
・試料室：最大200 mm
・描画方式：ラスタースキャン方式/ブロックスキャン方式
・描画フィールド：50 µm□/100 µm□/200 µm□/500 µm□（ラスタースキャン），2,500 µm□，1ブロック＝2.5 µm□（ブロックスキャン）
両面露光用マスクアライナ (Mask aligner)
- 設備ID
- NU-250
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- Suss MicroTec AG (Suss MicroTec AG)
- 型番
- MJB-3
- 仕様・特徴
- ・最大ウェーハサイズ：3 inch（吸引モード），4 inch（ソフトコンタクト）
・照射範囲：3×3 inch
・対応基板厚さ：4.5 mm
両面露光：可能（赤外線照明）