共用設備検索結果
マスクレス露光装置 (Maskless lithography)
- 設備ID
- NU-231
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- ナノシステムソリューションズ (Nanosystem Solutions)
- 型番
- DL-1000
- 仕様・特徴
- ・最大露光面積：200 mm x 200 mm
・最小画素：1 µm（高精細露光機能付）
・つなぎ合わせ精度：0.1 µm
・重ね合わせ精度：±1 µm
・オートフォーカス機能有
原子層堆積装置 (Atomic layer deposition)
- 設備ID
- NU-232
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- サムコ (Samco)
- 型番
- AD-100LE
- 仕様・特徴
- ・Al2O3, SiO2, AlOxNy, SiOxNy成膜用
・基板サイズ：212 mmΦ
・加熱温度：最大500℃
・ガス導入系：有機金属系2系統，H2O，O2，N2
蛍光りん光分光光度計 (Fluorescence spectroscopy)
- 設備ID
- NU-233
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- 堀場製作所 (HORIBA)
- 型番
- Fluoromax-4P
- 仕様・特徴
- ・光源：オゾンレスキセノンランプ，燐光用フラッシュランプ
・試料最大サイズ：～10mm角程度
・燐光寿命計測範囲：10μs以上
・発光波長計測範囲：290-970nm
ICPエッチング装置 (ICP etching)
- 設備ID
- NU-234
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- サムコ (Samco)
- 型番
- RIE-200iPN
- 仕様・特徴
- ・対応基板サイズ：2インチ x 4枚
・プロセスガス：Cl2, BCl3, O2
超高密度大気圧プラズマ装置 (Ultra-high density atomospheric pressure plasma system)
- 設備ID
- NU-235
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- FUJI (FUJI)
- 型番
- 特注
- 仕様・特徴
- ・大気圧プラズマ中のラジカルを用いた材料の表面処理（改質、洗浄）
・使用ガス：Ar，N2．Ar+O2
・電源：AC交流電源、9 kV，60 Hz
In-situ電子スピン共鳴 (In-situ electron spin resonance)
- 設備ID
- NU-236
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- Bruker (Bruker)
- 型番
- EMX Premium X
- 仕様・特徴
- ・試料中に存在する不対電子のリアルタイム計測
・気体分析可能
・サンプルサイズ： 5 mm幅以下
ラジカル計測付多目的プラズマプロセス装置 (Multipurpose plasma process system with radical monitor)
- 設備ID
- NU-237
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- 自作 (Lab made)
- 型番
- 仕様・特徴
- ・プラズマ処理の際に生成する温度，ラジカル密度，励起種，表面分析をIn-situで行う．
・プロセスガス：H2，N2，Ar，O2，He
・基板温度：－10℃-60℃
・サンプル：4インチウエハ
高温プロセス用誘導結合型プラズマエッチング装置 (High temperature ICP plasma etching)
- 設備ID
- NU-238
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- 自作 (Lab made)
- 型番
- 仕様・特徴
- ・高温でのCl2，BCl3プラズマエッチングプロセス
・基板温度：200℃-600℃
・使用ガス：Cl2，Ar，N2，BCl3，O2
表面解析プラズマビーム装置 (Plasma beam system with surface analysis)
- 設備ID
- NU-239
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- 自作 (Lab made)
- 型番
- 仕様・特徴
- ・プラズマビームを材料表面に照射後のin-situ XPS評価により，表面-プラズマ間の反応の解析が可能．
・使用ガス：HBr，Ar，CF4，C4F8，Cl2，H2，N2，O2
in-situプラズマ照射表面分析装置 (In-situ plasma exposure and analysis system)
- 設備ID
- NU-240
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- 自作 (Lab made)
- 型番
- 仕様・特徴
- ・プラズマ照射後の表面のin-situ XPS，FT-IR，STM分析が可能．
・プロセスガス：H2，N2，O2，Ar，He，SiH4，SF6，CF4