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フォトリソグラフィ装置群 (photo lighography system)

設備ID
NU-223
設置機関
名古屋大学
設備画像
フォトリソグラフィ装置群
メーカー名
共和理研 (Kyowariken)
型番
K310P100S
仕様・特徴
・最大2インチ基板
・マスクサイズ:3インチ
・最小パタンサイズ 2µm
・スピンコータ,ベーク炉,ドラフトチャンバー利用可

電子ビーム蒸着装置 (Electron beam evaporation)

設備ID
NU-224
設置機関
名古屋大学
設備画像
電子ビーム蒸着装置
メーカー名
アルバック (ULVAC)
型番
EBX-10D
仕様・特徴
・最大投入電力:5kW
・るつぼ数4
・ハースライナー使用

ICPエッチング装置 (ICP etching)

設備ID
NU-225
設置機関
名古屋大学
設備画像
ICPエッチング装置
メーカー名
アルバック (ULVAC)
型番
CE-300I
仕様・特徴
・化合物エッチング
・対応基板サイズ:最大6インチ基板
・プロセスガス:Cl2

RIEエッチング装置 (RIE etching)

設備ID
NU-226
設置機関
名古屋大学
設備画像
RIEエッチング装置
メーカー名
サムコ (Samco)
型番
RIE-10NR
仕様・特徴
・シリコン系エッチング
・対応基板サイズ:最大8インチ
・プロセスガス:CF4,Ar,SF6,O2

走査型電子顕微鏡 (Scanning electron microscope)

設備ID
NU-227
設置機関
名古屋大学
設備画像
走査型電子顕微鏡
メーカー名
日立ハイテクノロジーズ (Hitachi High-Tech)
型番
S5200
仕様・特徴
・加速電圧:0.5kV~30kV
・分解能:0.5nm(30kV)
・倍率:~2,000,000
・最大試料サイズ:5mm x 9.5mm

走査型電子顕微鏡 (Scanning electron microscope)

設備ID
NU-228
設置機関
名古屋大学
設備画像
走査型電子顕微鏡
メーカー名
日立ハイテクノロジーズ (Hitachi High-Tech)
型番
S4300
仕様・特徴
・加速電圧:0.5kV~15kV
・分解能:15nm(30kV)
・倍率:~500,000
・最大試料サイズ:直径100 mm

スパッタ絶縁膜作製装置 (Insulator sputtering system)

設備ID
NU-229
設置機関
名古屋大学
設備画像
スパッタ絶縁膜作製装置
メーカー名
MESアフティ (MES Afty)
型番
AFTEX-3420
仕様・特徴
・対応基板サイズ:最大3インチ
・酸化膜,窒化膜用

マスクレス露光装置 (Maskless lithography)

設備ID
NU-231
設置機関
名古屋大学
設備画像
マスクレス露光装置
メーカー名
ナノシステムソリューションズ (Nanosystem Solutions)
型番
DL-1000
仕様・特徴
・最大露光面積:200 mm x 200 mm
・最小画素:1 µm(高精細露光機能付)
・つなぎ合わせ精度:0.1 µm
・重ね合わせ精度:±1 µm
・オートフォーカス機能有

原子層堆積装置 (Atomic layer deposition)

設備ID
NU-232
設置機関
名古屋大学
設備画像
原子層堆積装置
メーカー名
サムコ (Samco)
型番
AD-100LE
仕様・特徴
・Al2O3, SiO2, AlOxNy, SiOxNy成膜用
・基板サイズ:212 mmΦ
・加熱温度:最大500℃
・ガス導入系:有機金属系2系統,H2O,O2,N2

蛍光りん光分光光度計 (Fluorescence spectroscopy)

設備ID
NU-233
設置機関
名古屋大学
設備画像
蛍光りん光分光光度計
メーカー名
堀場製作所 (HORIBA)
型番
Fluoromax-4P
仕様・特徴
・光源:オゾンレスキセノンランプ,燐光用フラッシュランプ
・試料最大サイズ:~10mm角程度
・燐光寿命計測範囲:10μs以上
・発光波長計測範囲:290-970nm
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