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共用設備検索結果

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両面露光用マスクアライナ (Mask aligner)

メーカー名
Suss MicroTec AG (Suss MicroTec AG)
型番
MA-6
設備画像
両面露光用マスクアライナ
設置機関
名古屋大学
仕様・特徴
・対応基板サイズ:10mm~最大6インチ径ウェハ
・主波長:350 nm〜450 nm
・裏面アラインメント機能(CCD画像記憶方式)
・アライメント精度:±0.5 µm(表面アラインメント),±0.1 µm(裏面アラインメント)

ICPエッチング装置 (ICP etching)

メーカー名
サムコ (Samco)
型番
RIE-800
設備画像
ICPエッチング装置
設置機関
名古屋大学
仕様・特徴
・ロードロック式装置
・ウェーハサイズ:6 inch
・ボッシュプロセス,ウエハー貫通エッチングが可能
・加工速度:50 µm/min
・加工ガス:SF6,O2

ダイシングソー装置 (Dicing saw)

メーカー名
サムコ (Samco)
型番
DAD522
設備画像
ダイシングソー装置
設置機関
名古屋大学
仕様・特徴
・最大ワークサイズ:Φ152.4 mm
・切削可能範囲(XY): 220 mm×160 mm
・有効ストローク(Z):27.2 mm
・回転角:380°
・アラインメント用対物レンズ:100倍

フェムト秒レーザー加工分析システム (fs laser microfabrication and analysis system)

メーカー名
輝創 (Kisoh)
型番
UFL-Hybrid
設備画像
フェムト秒レーザー加工分析システム
設置機関
名古屋大学
仕様・特徴
・光源:1041 nm, 550 fs, 10 µJ
・高調波発生ユニット:40% @520 nm
(加工ステーション)
・最大試料寸法:100 mm x 100 mm
・加工スポット:5 µmφ
(分析ステーション)
・時間分解磁気分析

走査型電子顕微鏡 (Scanning electron microscope)

メーカー名
日本電子 (JEOL)
型番
JSM-6301F
設備画像
走査型電子顕微鏡
設置機関
名古屋大学
仕様・特徴
・線源:冷陰極電界放射型電子銃
・加速電圧:0.5~30kV
・倍率:10~500,000
・エネルギー分散型分光器による組成分析可能

8元マグネトロンスパッタ装置 (8 sources magnetron sputtering)

メーカー名
自作 (Lab made)
型番
設備画像
8元マグネトロンスパッタ装置
設置機関
名古屋大学
仕様・特徴
・2インチカソード8本
・試料サイズ30 mm角
・RF電源 500 W 2台
・1 kV Arイオンエッチング機構
・試料交換室に8サンプルバンク可

8元MBE装置 (8 sources molecular beam epitaxy)

メーカー名
自作 (Lab made)
型番
設備画像
8元MBE装置
設置機関
名古屋大学
仕様・特徴
・蒸着源:4cc蒸着源4個、2cc蒸着源2個
・試料サイズ30 mm角
・高圧電源3台
・基板加熱:1000℃
・1kV Arイオンエッチング機構
・20 kV RHEED表面観察機能

ECR-SIMSエッチング装置 (ECR-SIMS etching)

メーカー名
自作 (Lab made)
型番
設備画像
ECR-SIMSエッチング装置
設置機関
名古屋大学
仕様・特徴
(ECRイオンガン:入江工研社製 RGB-114)
・マイクロ波入力150 W
・加速電圧600 V
・イオン照射径30mm
(SIMS検出器:PFEIFFER社製 EDP400)
・分析質量1-512 amu
・試料角度調整,回転機構付き

スプレーコーター (Spray coater)

メーカー名
サンメイ (Sunmay)
型番
DC110
設備画像
スプレーコーター
設置機関
名古屋大学
仕様・特徴
・対応サイズ:最大 □220 mm
・移動範囲:縦横300 mm
・移動速度:10~200 mm/秒
・粒子径:約5~15 µm

リアクティブイオンエッチング装置 (Reactive ion etching)

メーカー名
サムコ (Samco)
型番
RIE-10N
設備画像
リアクティブイオンエッチング装置
設置機関
名古屋大学
仕様・特徴
・CF4,SF6,O2使用可能
・電極径:210 mmΦ
・最大RF電力::300W
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