共用設備検索結果
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汎用高品位ICPエッチング装置 ( ICP-RIE machine)
- 設備ID
- UT-603
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- アルバック (ULVAC)
- 型番
- NE-550
- 仕様・特徴
- CE-300Iの上位機種（ULVACのフラッグシップモデル）です。大津・八井研究室の協力により利用可能になりました。SiO2、ガラスのエッチングも可能です。
4”装置 塩素・フッ素系汎用。 Cl2, BCl3, Ar, O2, CF4，CHF3, SF6, C3F8
- 設備状況
- 稼働中
高速シリコン深掘りエッチング装置 (Ultra Rapid Silicon Deep Reactive Ion Etching Machine)
- 設備ID
- UT-604
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- SPTS (SPTS)
- 型番
- MUC-21 ASE-Pegasus
- 仕様・特徴
- 高密度プラズマにより（ICPパワー3kWまで。1800W常用）、低ダメージ、高速にてエッチングが可能です。（例：EBレジストを用い、scalloping100nm程度で100μm開口のトレンチを20分エッチングして深さ135μm可能）。4”装置。100nmクラスの開口可能。特殊レシピ有。また、SF6による「ドライリリース」や、C4F8による酸化膜エッチングなど、組み合わせで便利に使えるレシピも利用できます。
- 設備状況
- 稼働中
塩素系ICPエッチング装置 ( ICP-RIE machine)
- 設備ID
- UT-605
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- アルバック (ULVAC)
- 型番
- CE-S
- 仕様・特徴
- オペレーションの容易さで評判のCE-300Iの後継機。
8”装置（任意サンプル貼り付けエッチング可能）
Cl2, BCl3, SF6, CHF3, Ar, O2によるエッチングが可能ですが、主に使い分けとしてCl系のエッチングを行っています。
- 設備状況
- 稼働中
汎用平行平板RIE装置 (Reactive Ion Etching system)
- 設備ID
- UT-606
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- サムコ (SAMCO)
- 型番
- RIE-10NR
- 仕様・特徴
- 8”装置。SF6, CHF3, CF4, Ar, O2によるエッチングが可能。ヘリウム背圧冷却が不要
- 設備状況
- 稼働中
集積回路パターン微細加工（FIB）装置 (FIB for LSI Repair)
- 設備ID
- UT-607
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- FEI (FEI)
- 型番
- 400ACE
- 仕様・特徴
- LSI配線を効率的に修正するための装置です。DCG P2Xを置き換えました。ガスを利用した金属配線カット、絶縁膜堆積、金属配線堆積が可能。大規模集積回路（VLSI）の配線修正を最も得意とする装置です。それ以外の利用は東大拠点では微細構造解析で公開しているXvision 200TBの利用がお勧めです。（案内します）
- 設備状況
- 稼働中
汎用NLDエッチング装置 (Neutral Loop Discharge (NLD) plasm dry etching system)
- 設備ID
- UT-608
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- アルバック (ULVAC)
- 型番
- NLD-5700Si
- 仕様・特徴
- ガラスの深掘りが可能なニュートラルループディスチャージ（NLD）エッチング装置。当面は技術補助のみ。
- 設備状況
- 稼働中
XeF2ドライエッチングシステム (XeF2 Dry Etching System)
- 設備ID
- UT-609
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- サムコ株式会社 (SAMCO Inc.)
- 型番
- VPE-4F
- 仕様・特徴
- MEMSの中空構造が得られるXeF2ガスを用いドライエッチング装置
- 設備状況
- 稼働中
クロスセクションポリッシャー (Cross Section Polisher)
- 設備ID
- UT-610
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子㈱ (JEOL)
- 型番
- IB15930CP
- 仕様・特徴
- アルゴンプラズマにより断面出しが容易になる。位置合わせ顕微鏡あり。電子顕微鏡撮影用サンプル作製に最適。
- 設備状況
- 稼働中
4インチ高真空EB蒸着装置 ( Ultra high vacuum evaporator)
- 設備ID
- UT-700
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 自作 (DIY)
- 型番
- NSPⅡ
- 仕様・特徴
- 東大拠点で独自設計・自作した蒸着装置で、いわゆる抵抗加熱蒸着と電子線（EB）加熱蒸着との両方がが可能。
主な材料はAu,Cr,Al。
- 設備状況
- 稼働中
川崎ブランチスパッタリング装置 (Multple Cathode Magnetron Sputtering System, CFS-4EP-LL)
- 設備ID
- UT-701
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 芝浦メカトロニクス (SHIBAURA MECHATRONICS)
- 型番
- CFS-4EP-LL
- 仕様・特徴
- ターゲット材をアルゴンプラズマによってスパッタリングし、基板に製膜するスパッタリング装置です。
ターゲット材は日々変動するので都度相談ください。φ200以下のシリコン、ガラス専用。
- 設備状況
- 稼働中