共用設備検索結果
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枚葉式ZEP520自動現像装置 (ZEP520 Auto Developing Machine)
- 設備ID
- UT-506
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- アクテス京三 (Actes Kyosan)
- 型番
- ADE-3000S（Big）
- 仕様・特徴
- ZEP520電子線用レジストの自動現像装置
- 設備状況
- 稼働中
スプレーコーター (Spray Coater)
- 設備ID
- UT-507
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- アクティブ (ACTIVE)
- 型番
- ACT-300AⅡS
- 仕様・特徴
- 厚膜のレジストを塗布できるスプレーコーター
- 設備状況
- 稼働中
電子線描画用近接効果補正ソフト (Procxymity effect correction for electron beam lithography)
- 設備ID
- UT-508
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- GenISys (GenISys GmbH)
- 型番
- Beamer
- 仕様・特徴
- 電子線描画時に生じる近接効果を補正して設計通りのレズストパターンを電子線で描画するためのパターン補正システム。グレースケール露光用のデータ生成が可能。
- 設備状況
- 稼働中
枚葉式自動リフトオフ装置 (Automatic liftoff system)
- 設備ID
- UT-509
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- エイ・エス・エイ・ピイ (ASAP)
- 型番
- LOA34-8-5-09
- 仕様・特徴
- リフトオフを自動で行い成功確立が上がります。
- 設備状況
- 稼働中
自動フォトマスクエッチング装置AEP-3000S (Auto Photomask Etching Machine)
- 設備ID
- UT-510
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- アクテス京三（株） (ActesKyosan Inc)
- 型番
- AEP-3000S
- 仕様・特徴
- 東京大学の電子線描画装置を用いて5009サイズのフォトマスクを作製するために使用する自動クロムエッチング装置。
試料サイズ：Φ2ｰΦ6インチ、または100x100mm
プログラム設定：1プログラム最大99ステップ、50プログラム保存可能
回転数： ０－3000rpm
開店時間： ０－999sec
ノズル：薬液 2系等、リンス １系統
- 設備状況
- 稼働中
レーザー直接描画装置DWL66+2024 (Laser Drawing System DWL66+2024)
- 設備ID
- UT-511
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- ハイデルベルグ (Heidelberg)
- 型番
- DWL66+ (2024，375nm）
- 仕様・特徴
- 波長375nm(半導体レーサー 70mW) 小片アライメントオプション、両面アライメント機能付き。最小リソグラフィサイズ 0.3μm、重ねリソグラフィ精度±３σで500 nm以下(解像度による)、 128階調の「グレイスケールリソグラフィー」により,フォトレジストの立体形状段差をある程度自由に作れる。また、GenISys社の変換ソフトウェア「BEAMER」を使うと、形状を得るために、近接効果の影響を計算して露光補正が可能。
- 設備状況
- 稼働中
枚様式HMDS処理装置APPS-30 (Single-wafer type HMDS surface treatment machine)
- 設備ID
- UT-512
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- リソテックジャパン (Litho Tech Japan)
- 型番
- APPS-30
- 仕様・特徴
- シリコン表面(シラノールSi-O基）をHMDSでメチル基に置換疎水化し、レジスト現像時の密着性を改善する表面処理。スピンコーターを共用してHMDSを塗布すると、発生するアンモニアによって、レジストによっては悪影響が出る。本装置はHMDS塗布専用装置なので悪影響の心配が無い。
基板サイズ：2インチ～300mmウエハ
ベーク温度：60～150℃
HMDS供給：内臓バブリングシステム
- 設備状況
- 稼働中
汎用ICPエッチング装置 (General purpose ICP etching machine)
- 設備ID
- UT-600
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- アルバック (ULVAC)
- 型番
- CE-300I
- 仕様・特徴
- 誘導性結合プラズマ（ICP）エッチング装置で、こちらは汎用装置。
4”丸型ウエーハの入る装置。
利用可能ガスは、アルゴン、SF6、CF4、CHF3、O2。
主に酸化膜のエッチングや、イオンミリングによる金属のエッチングに利用。
- 設備状況
- 稼働中
川崎ブランチ化合物用エッチング装置 (Inductively Coupled Plasma (ICP) Dry Etching System, )
- 設備ID
- UT-601
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- オックスフォード・インストゥルメンツ (Oxford Instruments)
- 型番
- Plasma Pro 100 ICP-180
- 仕様・特徴
- 誘導結合プラズマ（ICP）によるエッチング装置です。
化合物半導体基板（GaAs,InP,GaN等）を得意とします。4”丸型ウエーハ導入可能。
導入ガス種：Ar,O2,H2,CH4,N2,Cl2,SF6,He
- 設備状況
- 稼働中
気相フッ酸エッチング装置 (Vapor Phase HF Etcher )
- 設備ID
- UT-602
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- IDONUS (IDONUS)
- 型番
- 仕様・特徴
- 8インチ装置、Vapor HF専用、気相フッ化水素（HF水溶液を蒸発）によって、選択的にシリコン酸化膜をエッチングし、MEMSデバイスの可動構造体、中空構造を形成するための装置です。独自構造によって、フッ酸に直接触れることなく、安全に利用することができます。静電チャックによって、任意形状の基板をチャック下エッチングのほか、4，6，8インチの丸ウエーハは機械的クランプを行えます。
- 設備状況
- 稼働中