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- 設備ID
UT-001 |
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子株式会社 (JEOL)
- 型番
- JEM-ARM200CF
- 仕様・特徴
- □ 主な仕様
・冷陰極電界放出電子銃
・加速電圧: 30 - 200 kV
・分解能: 0.071 nm (200 kV), 0.11 nm (60 kV)
・分析機能: EDS, EELS
・収差補正装置（プローブ補正）
・遠隔操作利用可
- 設備ID
UT-002 |
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子株式会社 (JEOL Ltd.)
- 型番
- JEM-ARM200F Cold FE
- 仕様・特徴
- □ 主な特長
照射系球面収差補正装置を標準搭載し、機械的・電気的安定度を極限まで高めることで、世界最高の走査透過像(STEM-HAADF)分解能 0.08nmを実現
□ 主な仕様
・ 加速電圧:200kV、120kV
・ 分解能：走査透過像※ 0.08nm (加速電圧200kV)※環状型暗視野検出器を使用
・ 倍率：走査透過像 200～150,000,000倍
・ 透過顕微鏡像 50～2,000,000倍
・ 収差補正装置：照射系球面収差補正装置 組み込み
・ 検出器：エネルギー分散形X線分析装置 (EDS)、電子線エネルギー損失分光器（EELS）、軽元素対応像検出器、CCD検出器（2k×2k）
- 設備ID
UT-003 |
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子株式会社 (JEOL Ltd.)
- 型番
- JEM-ARM200F Cold FE
- 仕様・特徴
- □ 主な特長
・ 結像系球面収差補正装置を搭載することにより、透過顕微鏡像(TEM)の分解
能が0.11nmまで向上
・ 高圧、対物電流の変動を従来機の50%に抑制し、電気的安定度を大幅に向上
・ 鏡筒径を大きくし剛性を高めるとともに、架台の構造を最適化し、装置全体の機械的強度を従来機の約2倍に強化し、機械的安定度を向上
・ 熱および磁気シールドを標準装備。また、装置周囲の対流の変化による鏡筒表面の温度変化を防ぐために、鏡筒全体をカバーで被覆
□ 主な仕様
・ 加速電圧:200kV、120kV、100kV、80kV、60kV
・ 分解能：粒子像透過顕微鏡分解能 0.10nm(加速電圧200kV)
・ 倍率：走査透過像 200～150,000,000倍
・ 透過顕微鏡像 50～2,000,000倍
・ 収差補正装置：結像系球面収差補正装置
・ 検出器：CCDカメラ、CMOSカメラ×2
- 設備ID
UT-004 |
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子株式会社 (JEOL Ltd.)
- 型番
- JEM-ARM200F Cold FE
- 仕様・特徴
- □ 主な仕様
・ 加速電圧:200kV、80kV
・ 分解能：TEM格子像 0.10nm
TEM粒子像 0.23nm
STEM明視野格子像 0.136nm
STEM暗視野格子像 0.10nm
・ 倍率：TEM像 50～2,000,000倍
STEM像 200～150,000,000倍
・ 収差補正装置：照射系球面収差補正装置 組み込み
・ 検出器：エネルギー分散形X線分析装置 (SDD×2)、電子線エネルギー損失分光器（EELS）、軽元素対応像検出器、CCD検出器（2k×2k,4k×2k）
・試料2軸傾斜スライドカバーホルダー
・高温加熱通電ホルダー
- 設備ID
UT-005 |
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子株式会社 (JEOL Ltd.)
- 型番
-
JEM-ARM200F Thermal FE STEM
- 仕様・特徴
- □ 主な仕様
・ 分解能：STEM明視野格子像 0.136nm
STEM暗視野格子像 0.082nm
TEM格子像 0.10nm
TEM粒子像 0.19nm
・ 倍率： STEM像 200～150,000,000倍
TEM像 50～2,000,000倍
・ 収差補正装置：照射系球面収差補正装置 組み込み
・ 検出器：エネルギー分散形X線分析装置 (SDD)、電子線エネルギー損失分光器（EELS）、
軽元素対応像検出器、CCD検出器（2k×2k,4k×2k）
- 設備ID
UT-006 |
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子株式会社 (JEOL Ltd.)
- 型番
- JEM-2800
- 仕様・特徴
- □ 主な特長
電子顕微鏡観察を自動化。コントラスト＆ブライトネス、試料高さ、結晶方位あわせ、フォーカス、非点補正を自動調整。TEM、STEM、SEM、電子線回折の観察モードを瞬時に切り替え可能。高性能光学系採用により高分解能観察と高速分析を両立している。
□ 主な仕様
・分解能：二次電子像≦0.5nm,走査透過像 0.2nm,透過像(格子像) 0.1nm
・倍率：二次電子像 ×100～×150,000,000 走査透過像×100～×150,000,000 TEM像×500～×20,000,000
・ 電子銃：ショットキー型電界放出電子銃 加速電圧 200kV･100kV
・ 試料系：試料傾斜 X軸±25゜Y軸±30゜
・ 分析：EDS、EELS検出器を装備
- 設備ID
UT-007 |
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子株式会社 (JEOL Ltd.)
- 型番
- JEM-2010F
- 仕様・特徴
- □ 主な仕様
（１）本体
加速電圧：80,100,120,160,200kV
電子線源：熱電界放射型
分解能：0.192nm（粒子像）
試料最大傾斜角：±20°
試料移動：モーター駆動
排気方式：スパッターイオン、油拡散ポンプ
（２）画像記録 Gtan社 UltraScan
（３）分析装置
２）エネルギー分散型分光器（EDS）
- 設備ID
UT-008 |
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子株式会社 (JEOL Ltd.)
- 型番
- JEM-2000EX
- 仕様・特徴
- □ 主な仕様
（１）本体
加速電圧 ： 80、100、120、160、200kV
電子線源 ： 単結晶LaB6
分解能 ： 0.1nm（格子像）
試料最大傾斜角 ： ±10°
排気方式 ： 油拡散ポンプ
（２）画像記録 シートフィルム
- 設備ID
UT-009 |
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子株式会社 (JEOL Ltd.)
- 型番
- JEM-2010HC
- 仕様・特徴
- □ 主な仕様
（１）本体
加速電圧 ： 80、100、120、160、200kV
電子線源 ： 単結晶LaB6
試料最大傾斜角 ： ±30°
試料移動 ： モーター駆動(X、Y、Z)
排気方式 ： ターボ分子ポンプ(TMP)
（２）画像記録 シートフィルムおよびデジタル画像
（３）分析機能：EDS
- 設備ID
UT-010 |
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子株式会社 (JEOL Ltd.)
- 型番
- JEM-2100F
- 仕様・特徴
- □ 主な仕様
・ ショットキー型FE電子銃装備
・ 分解能＜0.31nm
・ EDS、EELS検出器装備
・ TEM/STEM 3次元トモグラフィ機能装備
・ 極低温観察用クライオトランスファホルダ装備
・ CCD検出器（4k×4k,1k×1k）
・加速電圧：200kV、120kV
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