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電子線描画装置 (Electron beam lithography system)

メーカー名
エリオニクス (Elionix)
型番
ELS-7500EX
設備画像
電子線描画装置
設置機関
香川大学
仕様・特徴
加速電圧:50kV、30kV、20kV
描画可能な最小線幅10nm
フィールドつなぎ精度50nm 以下
描画対象:6インチまで対応可能
所要時間:線幅1μm/2インチウエハ;5~6時間
線幅10nm/2インチウエハ;4日間

マスクレス露光装置 (Mask-less exposure system)

メーカー名
大日本科研 (Jpn.Sci.Eng.)
型番
MX-1204
設備画像
マスクレス露光装置
設置機関
香川大学
仕様・特徴
DMDによるパターン生成露光、
光源:LD(波長375±5nm)
描画方法:直接描画
描画対象:150mm角、
最小描画精度:最小線幅1μm程度、
アライメント精度±0.15μm

スピンコータ- (Spin-coater)

メーカー名
ミカサ (MIKASA)
型番
MS-B150
設備画像
スピンコータ-
設置機関
香川大学
仕様・特徴
回転塗布式 1ヘッド
真空吸着方式
試料サイズ:最大154mmφ1mmt
回転数:300–7000r.p.m
回転精度:±1r.p.m
回転時間:最大999.9sec(合計)
回転制御:プログラム方式・最大100段入力可

デュアルイオンビ-ムスパッタ装置 (Dual ion beam sputtering system)

メーカー名
ハシノッテク (Hashino-tech)
型番
10W-IBS
設備画像
デュアルイオンビ-ムスパッタ装置
設置機関
香川大学
仕様・特徴
4in-IBS
熱陰極型イオン源:2基(:50~1000eV)
基板加熱温度:最大700゜C
膜形成中のイオン同時照射機能
イオンビ-ムエッチング機能
【ビームガン1:エッチング用】
イオン銃:熱陰極型
イオン化ガス:Ar
ビーム電圧:100~1200V
ビーム電流:50~300mA
加速電圧:75~500V
イオン流密度:0.3~0.6mA/cm2 (500V加速時)
ビーム有効径:φ4インチ(分布測定可能)
真空度:~8x10-5Pa
試料寸法:φ4インチまで
【ビームガン2:デポジション用】
イオン銃:熱陰極型
イオン化ガス:Ar
ビーム電圧:100~1200V
ビーム電流:50~300mA
加速電圧:75~500V
ターゲット:Au、Cr、Tiほか
ステージ角度:ターゲットに対し-90~+90℃設定可
ステージ位置:上下50mm調整可
真空度:~8x10-5Pa
試料寸法:φ4インチまで

触針式表面形状測定器 (Stylus-type surface shape measuring system)

メーカー名
アルバック (ULVAC)
型番
Dektak8
設備画像
触針式表面形状測定器
設置機関
香川大学
仕様・特徴
測定分解能:最小:0.1nm
垂直分解能/レンジ:1Å/65kÅ、10Å/655kÅ、40Å/2620kÅ
サンプルサイズ:直径210mm
測定長さ:50μm〜50mm
最大サンプリング数:30,000点
測定加重:1〜15mg
自動多点測定数:最高200点
サンプル観察:
トップビュー(低倍率カラー)10mm
サイドビュー(高倍率カラー)1mm
測定再現性:1nm以下

・走査電子顕微鏡群(EDS付き)・イオンコータ (・Electron scanning microscope (EDS)・Ion Coater)

メーカー名
・日本電子 (・JEOL)
型番
・JSM-6060-EDS・ JFC-1600
設備画像
・走査電子顕微鏡群(EDS付き)・イオンコータ
設置機関
香川大学
仕様・特徴
・走査電子顕微鏡
分解能:5nm
倍率:×8~300,000
照射電流:1 pA ~0.3 mA
試料台:2.5インチ
加速電圧:0.5~30kV
EDS元素分析
・イオンコータ
ターゲット : Pt

白色干渉式非接触三次元形状測定器 (White light interference type non-contact three-dimensional shape measuring system)

メーカー名
ブルカー・エイエックスエス (Bruker)
型番
NT91001A-in motion
設備画像
白色干渉式非接触三次元形状測定器
設置機関
香川大学
仕様・特徴
in-situ駆動観察
測定方式:垂直走査型干渉方式
位相シフト干渉方式
分解能:X,Y方向:1μm
Z方向:0.1~1nm
試料ステージ:6インチ

デジタルマイクロスコープ (Digital microscope)

メーカー名
ハイロックス (Hirox)
型番
KH-7700
設備画像
デジタルマイクロスコープ
設置機関
香川大学
仕様・特徴
有効画素数 : 201万画素
最高解像度 : 3000万画素
倍率 : ~400倍

ダイシングマシン (Dicing system)

メーカー名
DISCO (Disco)
型番
DAD3220
設備画像
ダイシングマシン
設置機関
香川大学
仕様・特徴
切削方法:ダイヤモンドブレードを用いた切削
切削可能範囲:Φ6インチ、厚さ1mm程度まで対応可能
加工対象:Si、ガラス、半導体パッケージ、セラミックス、石英、水晶等
切削精度:5μm程度
切削速度:0.1~500mm/sec

ウェハプローバ (Wafer prober)

メーカー名
カール・ズース (SUSS MicroTec)
型番
PM5
設備画像
ウェハプローバ
設置機関
香川大学
仕様・特徴
対応基板サイズ:直径1インチ~150mm
X・Y移動範囲(粗動):最大150mm×150mm
X・Y移動範囲(微動):10mm×10mm
Θ調整範囲:360°
高さ調整範囲:10mm
顕微鏡X・Y移動範囲:50mm×50mm
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