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CCP - CVD装置 (CCP - CVD reactor)

設備ID
RO-317
設置機関
広島大学
設備画像
CCP - CVD装置
メーカー名
アユミ工業 (Ayumi INDUSTRY CO.,LTD.)
型番
仕様・特徴
n型アモルファスシリコン膜の成膜

リモートPECVD装置 (Remote Plasma-enhanced CVD reactor)

設備ID
RO-318
設置機関
広島大学
設備画像
リモートPECVD装置
メーカー名
アユミ工業 (Ayumi INDUSTRY CO.,LTD.)
型番
仕様・特徴
SiO2、SiNx膜等の絶縁膜を成膜

スパッタ装置(Al用) (Sputtering system for Al, Ti, and TiN deposition)

設備ID
RO-321
設置機関
広島大学
設備画像
スパッタ装置(Al用)
メーカー名
株式会社エイコー (EIKO CORPORATION)
型番
仕様・特徴
超高真空仕様,Al以外にTi, TiNのスパッタが可能

スパッタ装置(汎用) (Sputtering system for general purpose)

設備ID
RO-322
設置機関
広島大学
設備画像
スパッタ装置(汎用)
メーカー名
株式会社エイコー (EIKO CORPORATION)
型番
仕様・特徴
各種材料スパッタ用
(3インチターゲット交換により広範な材料に対応)
スパッタガス(Ar・O2・N2

スパッタ装置(Cu用) (Sputtering system for Cu deposition)

設備ID
RO-323
設置機関
広島大学
設備画像
スパッタ装置(Cu用)
メーカー名
株式会社エイコー (EIKO CORPORATION)
型番
仕様・特徴
スパッタレート500 nm/8 min

多元スパッタ装置 (Multi-target Sputtering system)

設備ID
RO-324
設置機関
広島大学
設備画像
多元スパッタ装置
メーカー名
アネルバ (Anelva)
型番
仕様・特徴
3元スパッタ

真空蒸着装置 (Vacuum evaporation system)

設備ID
RO-331
設置機関
広島大学
設備画像
真空蒸着装置
メーカー名
アルパック (ULVAC, Inc.)
型番
仕様・特徴
抵抗加熱型の蒸着装置。2種類の材料をセットして多層膜を作成することも可能。Al、Au等。

エッチング装置(RIE SiO2用) (Reactive ion etching system for SiO2)

設備ID
RO-411
設置機関
広島大学
設備画像
エッチング装置(RIE SiO2用)
メーカー名
神戸製鋼 (Kobe Steel, Ltd.)
型番
仕様・特徴
CF4, H2使用可能

汎用プラズマ処理装置 (Reactive ion etching system for general purpose)

設備ID
RO-412
設置機関
広島大学
設備画像
汎用プラズマ処理装置
メーカー名
神戸製鋼 (Kobe Steel, Ltd.)
型番
仕様・特徴
SF6

エッチング装置(Si深掘用) (Si deep etching system)

設備ID
RO-413
設置機関
広島大学
設備画像
エッチング装置(Si深掘用)
メーカー名
住友精密工業 (Sumitomo Precision Products CO.,LTD.)
型番
MUC-21
仕様・特徴
Bosch Processを用いた深掘エッチング装置, C4F8, SF6, O2, Ar使用可能
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