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共用設備検索結果

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CCP - CVD装置 (CCP - CVD reactor)

メーカー名
アユミ工業 (Ayumi INDUSTRY CO.,LTD.)
型番
設備画像
CCP - CVD装置
設置機関
広島大学
仕様・特徴
n型アモルファスシリコン膜の成膜

リモートPECVD装置 (Remote Plasma-enhanced CVD reactor)

メーカー名
アユミ工業 (Ayumi INDUSTRY CO.,LTD.)
型番
設備画像
リモートPECVD装置
設置機関
広島大学
仕様・特徴
SiO2、SiNx膜等の絶縁膜を成膜

スパッタ装置(Al用) (Sputtering system for Al, Ti, and TiN deposition)

メーカー名
株式会社エイコー (EIKO CORPORATION)
型番
設備画像
スパッタ装置(Al用)
設置機関
広島大学
仕様・特徴
超高真空仕様,Al以外にTi, TiNのスパッタが可能

スパッタ装置(汎用) (Sputtering system for general purpose)

メーカー名
株式会社エイコー (EIKO CORPORATION)
型番
設備画像
スパッタ装置(汎用)
設置機関
広島大学
仕様・特徴
各種材料スパッタ用
(3インチターゲット交換により広範な材料に対応)
スパッタガス(Ar・O2・N2

スパッタ装置(Cu用) (Sputtering system for Cu deposition)

メーカー名
株式会社エイコー (EIKO CORPORATION)
型番
設備画像
スパッタ装置(Cu用)
設置機関
広島大学
仕様・特徴
スパッタレート500 nm/8 min

多元スパッタ装置 (Multi-target Sputtering system)

メーカー名
アネルバ (Anelva)
型番
設備画像
多元スパッタ装置
設置機関
広島大学
仕様・特徴
3元スパッタ

真空蒸着装置 (Vacuum evaporation system)

メーカー名
アルパック (ULVAC, Inc.)
型番
設備画像
真空蒸着装置
設置機関
広島大学
仕様・特徴
抵抗加熱型の蒸着装置。2種類の材料をセットして多層膜を作成することも可能。Al、Au等。

エッチング装置(RIE SiO2用) (Reactive ion etching system for SiO2)

メーカー名
神戸製鋼 (Kobe Steel, Ltd.)
型番
設備画像
エッチング装置(RIE SiO2用)
設置機関
広島大学
仕様・特徴
CF4, H2使用可能

汎用プラズマ処理装置 (Reactive ion etching system for general purpose)

メーカー名
神戸製鋼 (Kobe Steel, Ltd.)
型番
設備画像
汎用プラズマ処理装置
設置機関
広島大学
仕様・特徴
SF6

エッチング装置(Si深掘用) (Si deep etching system)

メーカー名
住友精密工業 (Sumitomo Precision Products CO.,LTD.)
型番
MUC-21
設備画像
エッチング装置(Si深掘用)
設置機関
広島大学
仕様・特徴
Bosch Processを用いた深掘エッチング装置, C4F8, SF6, O2, Ar使用可能
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