共用設備検索結果
ポストメタライゼーションアニール（PMA）炉 (Post-metallization annealing furnaces)
- 設備ID
- 設置機関
- 広島大学
- 設備画像
- メーカー名
- 神港精機 (SHINKO SEIKI Co., LTD)
- 型番
- 仕様・特徴
- 水素アニール 最高使用温度900℃
燐拡散炉 (Phosphorus diffusion furnaces)
- 設備ID
- 設置機関
- 広島大学
- 設備画像
- メーカー名
- 神港精機 (SHINKO SEIKI Co., LTD)
- 型番
- 仕様・特徴
- 最高使用温度900℃
汎用熱処理装置 (Annealing furnaces for general purpose)
- 設備ID
- 設置機関
- 広島大学
- 設備画像
- メーカー名
- 光洋サーモシステム ()
- 型番
- KTF453N-VP
- 仕様・特徴
- 各種材料窒素アニール用(400～1000℃)
連続発振レーザアニール装置（レーザ結晶化装置） (CW OSC Laser annealing (Laser crystallization))
- 設備ID
- 設置機関
- 広島大学
- 設備画像
- メーカー名
- (自作) ()
- 型番
- (自作)
- 仕様・特徴
- レーザ出力：0.24 ～ 10.0 W、
レーザ径：1.15 mm×50μm (ラインビーム)、
スキャン速度：0.1 ～ 10 cm/s
LPCVD装置（poly-Si用） (Low-pressure chemical vapor deposition (CVD) reactor for poly-Si deposition)
- 設備ID
- 設置機関
- 広島大学
- 設備画像
- メーカー名
- 東京エレクトロン (Tokyo Electron)
- 型番
- 仕様・特徴
- モノシランの熱分解、650℃
LPCVD装置（SiN用） (Low-pressure CVD reactor for SiN deposition)
- 設備ID
- 設置機関
- 広島大学
- 設備画像
- メーカー名
- 東京エレクトロン (Tokyo Electron)
- 型番
- 仕様・特徴
- ジクロルシランとアンモニアの反応基板温度750℃
LPCVD装置（SiO2用） (Low-pressure CVD reactor for SiO2 deposition)
- 設備ID
- 設置機関
- 広島大学
- 設備画像
- メーカー名
- 東京エレクトロン (Tokyo Electron)
- 型番
- 仕様・特徴
- モノシランと一酸化窒素混合モード、TEOS+オゾンの２つのモード可能、最高温度850℃
常圧SiO2CVD装置 (Atmospheric pressure CVD reactor for SiO2 deposition)
- 設備ID
- 設置機関
- 広島大学
- 設備画像
- メーカー名
- 天谷製作所 (Amaya Co., Ltd.)
- 型番
- M01
- 仕様・特徴
- 基板温度400℃、PおよびBドープ可能
プラズマCVD(PECVD)装置 (Plasma-enhanced CVD reactor)
- 設備ID
- 設置機関
- 広島大学
- 設備画像
- メーカー名
- アルパック (ULVAC, Inc.)
- 型番
- CPD-1108S
- 仕様・特徴
- SiO2,SiN薄膜の堆積
ICP - CVD装置 (ICP - CVD reactor)
- 設備ID
- 設置機関
- 広島大学
- 設備画像
- メーカー名
- アユミ工業 (Ayumi INDUSTRY CO.,LTD.)
- 型番
- 仕様・特徴
- アモルファスシリコン膜、アモルファスゲルマニウム膜の成膜