1. ホーム>
  2. 共用設備検索

共用設備検索結果

フリーワード検索

ポストメタライゼーションアニール(PMA)炉 (Post-metallization annealing furnaces)

メーカー名
神港精機 (SHINKO SEIKI Co., LTD)
型番
設備画像
ポストメタライゼーションアニール(PMA)炉
設置機関
広島大学
仕様・特徴
水素アニール 最高使用温度900℃

燐拡散炉 (Phosphorus diffusion furnaces)

メーカー名
神港精機 (SHINKO SEIKI Co., LTD)
型番
設備画像
燐拡散炉
設置機関
広島大学
仕様・特徴
最高使用温度900℃

汎用熱処理装置 (Annealing furnaces for general purpose)

メーカー名
光洋サーモシステム ()
型番
KTF453N-VP
設備画像
汎用熱処理装置
設置機関
広島大学
仕様・特徴
各種材料窒素アニール用(400~1000℃)

連続発振レーザアニール装置(レーザ結晶化装置) (CW OSC Laser annealing (Laser crystallization))

メーカー名
(自作) ()
型番
(自作)
設備画像
連続発振レーザアニール装置(レーザ結晶化装置)
設置機関
広島大学
仕様・特徴
レーザ出力:0.24 ~ 10.0 W、
レーザ径:1.15 mm×50μm (ラインビーム)、
スキャン速度:0.1 ~ 10 cm/s

LPCVD装置(poly-Si用) (Low-pressure chemical vapor deposition (CVD) reactor for poly-Si deposition)

メーカー名
東京エレクトロン (Tokyo Electron)
型番
設備画像
LPCVD装置(poly-Si用)
設置機関
広島大学
仕様・特徴
モノシランの熱分解、650℃

LPCVD装置(SiN用) (Low-pressure CVD reactor for SiN deposition)

メーカー名
東京エレクトロン (Tokyo Electron)
型番
設備画像
LPCVD装置(SiN用)
設置機関
広島大学
仕様・特徴
ジクロルシランとアンモニアの反応基板温度750℃

LPCVD装置(SiO2用) (Low-pressure CVD reactor for SiO2 deposition)

メーカー名
東京エレクトロン (Tokyo Electron)
型番
設備画像
LPCVD装置(SiO2用)
設置機関
広島大学
仕様・特徴
モノシランと一酸化窒素混合モード、TEOS+オゾンの2つのモード可能、最高温度850℃

常圧SiO2CVD装置 (Atmospheric pressure CVD reactor for SiO2 deposition)

メーカー名
天谷製作所 (Amaya Co., Ltd.)
型番
M01
設備画像
常圧SiO2CVD装置
設置機関
広島大学
仕様・特徴
基板温度400℃、PおよびBドープ可能

プラズマCVD(PECVD)装置 (Plasma-enhanced CVD reactor)

メーカー名
アルパック (ULVAC, Inc.)
型番
CPD-1108S
設備画像
プラズマCVD(PECVD)装置
設置機関
広島大学
仕様・特徴
SiO2,SiN薄膜の堆積

ICP - CVD装置 (ICP - CVD reactor)

メーカー名
アユミ工業 (Ayumi INDUSTRY CO.,LTD.)
型番
設備画像
ICP - CVD装置
設置機関
広島大学
仕様・特徴
アモルファスシリコン膜、アモルファスゲルマニウム膜の成膜
スマートフォン用ページで見る