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ブランソン アッシング装置 (Branson Asher)

設備ID
TU-213
設置機関
東北大学
設備画像
ブランソン アッシング装置
メーカー名
ブランソン (Branson)
型番
IPC4000
仕様・特徴
サンプルサイズ:小片~6インチ
サンプルは石英治具に載せる
プラズマ方式:バレル式
ガス:O2

ケミカルドライエッチャー(CDE) (Chemical Dry Etcher (CDE))

設備ID
TU-214
設置機関
東北大学
設備画像
ケミカルドライエッチャー(CDE)
メーカー名
芝浦メカトロニクス (Shibaura Mechatronics)
型番
CDE7
仕様・特徴
サンプルサイズ:小片~5インチ
基板固定方式:静置(温度制御不可)
プラズマ方式:2.45GHzリモートプラズマ
ガス:CF4、O2、N2

イオンミリング装置 (Ion milling)

設備ID
TU-215
設置機関
東北大学
設備画像
イオンミリング装置
メーカー名
エヌ・エス/伯東 (NS/Hakuto)
型番
20IBE-C
仕様・特徴
サンプルサイズ・同時処理枚数:4インチ×6枚、6インチ×3枚、8インチ×1枚

Vapor HFエッチング装置 (Vapor HF etching)

設備ID
TU-216
設置機関
東北大学
設備画像
Vapor HFエッチング装置
メーカー名
住友精密工業 (Sumitomo Precision Products)
型番
Primaxx uEtch
仕様・特徴
サンプルサイズ:小片~8インチ

KOHエッチング槽 (KOH etching)

設備ID
TU-217
設置機関
東北大学
設備画像
KOHエッチング槽
メーカー名
- (-)
型番
-
仕様・特徴
サンプルサイズ・同時処理枚数:4インチ×10枚、6インチ×10枚

TMAHエッチング槽 (TMAH etching)

設備ID
TU-218
設置機関
東北大学
設備画像
TMAHエッチング槽
メーカー名
- (-)
型番
-
仕様・特徴
サンプルサイズ・同時処理枚数:4インチ×10枚、6インチ×10枚

SUSS ウェハ接合装置 (Wafer bonder)

設備ID
TU-251
設置機関
東北大学
設備画像
SUSS ウェハ接合装置
メーカー名
SUSS (SUSS)
型番
SB6e
仕様・特徴
サンプルサイズ:20mm角~6インチ
チャンバ雰囲気:真空~大気圧~+2気圧
到達真空度:5E-3Pa
最大加圧:13kN
陽極接合最大電圧:-2000V
基板温度:室温~500℃

EVG ウェハ接合用アライナ (EVG aligner for wafer bonding)

設備ID
TU-252
設置機関
東北大学
設備画像
EVG ウェハ接合用アライナ
メーカー名
EVG (EVG)
型番
Smart View Aligner
仕様・特徴
サンプルサイズ:4、6、8インチ
可視光を用いた接合面どうしのアライメント
赤外光を用いた透過アライメントも可能

EVG ウェハ接合装置 (EVG wafer bonder)

設備ID
TU-253
設置機関
東北大学
設備画像
EVG ウェハ接合装置
メーカー名
EVG (EVG)
型番
520
仕様・特徴
サンプルサイズ:4、6、8インチ
到達真空度:5E-3Pa
最大加圧:7kN
基板温度:室温~500℃

EVG プラズマ活性化装置 (EVG plasma activation)

設備ID
TU-254
設置機関
東北大学
設備画像
EVG プラズマ活性化装置
メーカー名
EVG (EVG)
型番
810
仕様・特徴
サンプルサイズ:小片~8インチ
ガス:N2、O2、Ar
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