共用設備検索結果
アネルバRIE装置 (Anelva RIE)
- 設備ID
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- アネルバ (Anelva)
- 型番
- DEA-506
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ・同時処理枚数：4インチ×12枚、6インチ×5枚、8インチ×3枚
基板固定方式：静置
プラズマ方式：CCP
ガス：CF4、CHF3、Ar、O2
メタルマスク（Al、Crなど）不可
アネルバSi RIE装置 (Anelva Si RIE)
- 設備ID
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- アネルバ (Anelva)
- 型番
- L-507DL
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ：4、6インチ
プラズマ方式：CCP
ガス：SF6、Ar、O2
Al-RIE装置 (Al-RIE)
- 設備ID
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- 芝浦メカトロニクス (Shibaura Mechatronics)
- 型番
- HIRRIE-100
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ：4、6インチ
プラズマ方式：CCP
ガス：Cl2、BCl3、N2、O2、Ar
塩素除去用の水洗、ベーク機構付
プラズマクリーナー (Plasma cleaner)
- 設備ID
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- ヤマト科学 (Yamato)
- 型番
- PDC210
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ：小片～6インチ
基板固定方式：静置（温度制御不可）
プラズマ方式：CCP、バレル式
ガス：O2、Ar
アルバック アッシング装置 (Ulvac asher)
- 設備ID
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- アルバック (Ulvac)
- 型番
- UNA-2000
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ：4、6インチ
カセットtoカセット
プラズマ方式：CCP（2.45GHz）
ガス：O2、H2フォーミングガス
ブランソン アッシング装置 (Branson Asher)
- 設備ID
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- ブランソン (Branson)
- 型番
- IPC4000
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ：小片～6インチ
サンプルは石英治具に載せる
プラズマ方式：バレル式
ガス：O2
ケミカルドライエッチャー(CDE) (Chemical Dry Etcher (CDE))
- 設備ID
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- 芝浦メカトロニクス (Shibaura Mechatronics)
- 型番
- CDE7
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ：小片～5インチ
基板固定方式：静置（温度制御不可）
プラズマ方式：2.45GHzリモートプラズマ
ガス：CF4、O2、N2
イオンミリング装置 (Ion milling)
- 設備ID
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- エヌ・エス／伯東 (NS/Hakuto)
- 型番
- 20IBE-C
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ・同時処理枚数：4インチ×6枚、6インチ×3枚、8インチ×1枚
Vapor HFエッチング装置 (Vapor HF etching)
- 設備ID
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- 住友精密工業 (Sumitomo Precision Products)
- 型番
- Primaxx uEtch
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ：小片～8インチ
KOHエッチング槽 (KOH etching)
- 設備ID
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- - (-)
- 型番
- -
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ・同時処理枚数：4インチ×10枚、6インチ×10枚