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住友精密PECVD (Sumitomo PECVD)

設備ID
TU-153
設置機関
東北大学
設備画像
住友精密PECVD
メーカー名
住友精密工業 (Sumitomo Precision Products)
型番
MPX-CVD
仕様・特徴
サンプルサイズ:小片~8インチ
基板温度:最高350℃

住友精密TEOS PECVD (Sumitomo TEOS PECVD)

設備ID
TU-154
設置機関
東北大学
設備画像
住友精密TEOS PECVD
メーカー名
住友精密工業 (Sumitomo Precision Products)
型番
MPX-CVD
仕様・特徴
サンプルサイズ:小片~8インチ
基板温度:最高350℃

SPPテクノロジーズ TEOS PECVD (SPP Technologies TEOS PECVD)

設備ID
TU-155
設置機関
東北大学
設備画像
SPPテクノロジーズ TEOS PECVD
メーカー名
SPPテクノロジーズ (SPP Technologies)
型番
APX-Cetus
仕様・特徴
サンプルサイズ:小片~8インチ
基板温度:350℃

JPEL PECVD (JPEL PECVD)

設備ID
TU-156
設置機関
東北大学
設備画像
JPEL PECVD
メーカー名
日本生産技術研究所 (JPEL)
型番
VDS-5600
仕様・特徴
同時処理枚数:4インチ×13枚、または6インチ×8枚

W-CVD  (W-CVD )

設備ID
TU-157
設置機関
東北大学
設備画像
W-CVD
メーカー名
Applied Materials (Applied Materials)
型番
P-5000
仕様・特徴
サンプルサイズ:小片~4インチ
成膜温度:450℃(ランプ加熱方式)
カセットtoカセット
プロセスガス:SiH4、H2、WF6、NF3、Ar、N2

芝浦スパッタ装置(加熱型) (Shibaura sputtering (Heating))

設備ID
TU-158
設置機関
東北大学
設備画像
芝浦スパッタ装置(加熱型)
メーカー名
芝浦メカトロニクス (Shibaura Mechatronics)
型番
CFS-4ESII
仕様・特徴
サンプルサイズ:小片~6インチ
サンプルステージ:直径200mm
基板温度:室温~300℃
電源:RF×1
ターゲット:3インチ×3
方式:スパッタSIDE
到達真空度:3E-4Pa

芝浦スパッタ装置(冷却型) (Shibaura sputtering (Cooling))

設備ID
TU-159
設置機関
東北大学
設備画像
芝浦スパッタ装置(冷却型)
メーカー名
芝浦メカトロニクス (Shibaura Mechatronics)
型番
CFS-4ESII
仕様・特徴
サンプルサイズ:小片~6インチ
サンプルステージ:直径200mm
基板温度:約20℃
電源:RF×1
ターゲット:3インチ×3
方式:スパッタSIDE
到達真空度:3E-4Pa

自動搬送 芝浦スパッタ装置(加熱型) (Automatic Shibaura sputtering (Heating))

設備ID
TU-160
設置機関
東北大学
設備画像
自動搬送 芝浦スパッタ装置(加熱型)
メーカー名
芝浦メカトロニクス (Shibaura Mechatronics)
型番
!-Miller CFS-4EP-LL
仕様・特徴
サンプルサイズ:小片~8インチ
サンプルステージ:直径220mm
基板温度:室温~300℃
電源:RF×1
ターゲット:3インチ×4
方式:スパッタSIDE
到達真空度:8E-5Pa

ECRロングスロースパッタ (ECR long-throw sputter)

設備ID
TU-162
設置機関
東北大学
設備画像
ECRロングスロースパッタ
メーカー名
エリオニクス (Elionix)
型番
EIS-200ERP-NPD-TK
仕様・特徴
サンプルサイズ:小片~6インチ
基板温度:20℃
ターゲット:4インチ× 2
ターゲット‐ステージ間距離 :350mm
到達真空度:3E-4Pa
エッチング可

アネルバマルチスパッタ (Anelva multi-sputtering)

設備ID
TU-163
設置機関
東北大学
設備画像
アネルバマルチスパッタ
メーカー名
アネルバ (Anelva)
型番
SPC-350
仕様・特徴
サンプルサイズ、同時処理枚数:4インチ×6枚
基板温度:室温~650℃
電源:DC×2、RF×1(同時放電可能)
ターゲット:6インチ×3(強磁性体対応)
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