共用設備検索結果
芝浦スパッタ装置（加熱型） (Shibaura sputtering (Heating))
- 設備ID
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- 芝浦メカトロニクス (Shibaura Mechatronics)
- 型番
- CFS-4ESII
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ：小片～6インチ
サンプルステージ：直径200mm
基板温度：室温～300℃
電源：RF×1
ターゲット：3インチ×3
方式：スパッタSIDE
到達真空度：3E-4Pa
芝浦スパッタ装置（冷却型） (Shibaura sputtering (Cooling))
- 設備ID
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- 芝浦メカトロニクス (Shibaura Mechatronics)
- 型番
- CFS-4ESII
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ：小片～6インチ
サンプルステージ：直径200mm
基板温度：約20℃
電源：RF×1
ターゲット：3インチ×3
方式：スパッタSIDE
到達真空度：3E-4Pa
自動搬送 芝浦スパッタ装置 (Automatic Shibaura sputtering)
- 設備ID
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- 芝浦メカトロニクス (Shibaura Mechatronics)
- 型番
- !-Miller CFS-4EP-LL
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ：小片～8インチ
サンプルステージ：直径220mm
基板温度：室温～300℃
電源：RF×1
ターゲット：3インチ×4
方式：スパッタSIDE
到達真空度：8E-5Pa
ECRロングスロースパッタ (ECR long-throw sputter)
- 設備ID
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- エリオニクス (Elionix)
- 型番
- EIS-200ERP-NPD-TK
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ：小片～6インチ
基板温度：20℃
ターゲット：4インチ× 2
ターゲット‐ステージ間距離 ：350ｍｍ
到達真空度：3E-4Pa
エッチング可
アネルバマルチスパッタ (Anelva multi-sputtering)
- 設備ID
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- アネルバ (Anelva)
- 型番
- SPC-350
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ、同時処理枚数：4インチ×6枚
基板温度：室温～650℃
電源：DC×2、RF×1（同時放電可能）
ターゲット：6インチ×3（強磁性体対応）
酸素加圧RTA付高温スパッタ装置 (High-temp. sputtering and O2 annealing)
- 設備ID
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- ユーテック (Youtec)
- 型番
- 21-0604
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ：小片～8インチ
3チャンバ構成：金属用(DC)スパッタチャンバ、酸化物用(RF)スパッタチャンバ、酸素加圧アニールチャンバ
基板温度：最高700℃（ランプ加熱方式）
アネルバスパッタ装置 (Anelva sputtering )
- 設備ID
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- アネルバ (Anelva)
- 型番
- SPF-730
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ、同時処理枚数：4インチ×9枚、または6インチ×4枚
電源：RF×1
ターゲット：8インチ×1
方式：スパッタUP
球面成膜用スパッタ装置 (Sputtering for ball)
- 設備ID
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- 和泉テック (Izumi-tech)
- 型番
- -
- 仕様・特徴
- サンプル：球体（直径1.0、3.3mm）
O2プラズマクリーニング可
電子ビーム蒸着装置 (EB evaporation)
- 設備ID
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- アネルバ (Anelva)
- 型番
- EVC-1501
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ：小片～6インチ
同時処理枚数：4インチ×18枚、6インチ×4枚
同時に装着できる蒸着源：3個
基板温度：常温～350℃（ランプ加熱方式）
めっき装置 (Electroplating)
- 設備ID
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- 山本鍍金試験器 (Yamamoto)
- 型番
- 特注
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ：3、4、6インチ