共用設備検索結果
ランプアニール装置 (Rapid thermal annealing)
- 設備ID
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- AG Associates (AG Associates)
- 型番
- AG4100
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ：小片～6インチ
カセットtoカセット
赤外線ランプ加熱
基板温度：最高1100℃
昇温速度：100℃／sec
水素アニール装置 (Hydrogen annealing)
- 設備ID
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- オリジナル (Original)
- 型番
- -
- 仕様・特徴
- 東北大学大学院工学研究科 金森 義明 教授が開発した装置
赤外線ランプ加熱
温度：最高1100℃
熱CVD (Thermal CVD)
- 設備ID
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- 国際電気 (Kokusai Electric)
- 型番
- -
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ：小片～6インチ
基板温度：最高1100℃
住友精密PECVD (Sumitomo PECVD)
- 設備ID
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- 住友精密工業 (Sumitomo Precision Products)
- 型番
- MPX-CVD
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ：小片～8インチ
基板温度：最高350℃
住友精密TEOS PECVD (Sumitomo TEOS PECVD)
- 設備ID
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- 住友精密工業 (Sumitomo Precision Products)
- 型番
- MPX-CVD
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ：小片～8インチ
基板温度：最高350℃
SPPテクノロジーズ TEOS PECVD (SPP Technologies TEOS PECVD)
- 設備ID
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- SPPテクノロジーズ (SPP Technologies)
- 型番
- APX-Cetus
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ：小片～8インチ
基板温度：350℃
JPEL PECVD (JPEL PECVD)
- 設備ID
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本生産技術研究所 (JPEL)
- 型番
- VDS-5600
- 仕様・特徴
- 同時処理枚数：4インチ×13枚、または6インチ×8枚
W-CVD (W-CVD )
- 設備ID
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- Applied Materials (Applied Materials)
- 型番
- P-5000
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ：小片～4インチ
成膜温度：450℃（ランプ加熱方式）
カセットtoカセット
プロセスガス：SiH4、H2、WF6、NF3、Ar、N2