共用設備検索結果
分析電子顕微鏡 (Transmission Electron Microscope)
- 設備ID
- TU-516
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- トプコン株式会社 (Topcon)
- 型番
- EM-002B
- 仕様・特徴
- ・加速電圧 200 kV (LaB6電子銃)
・EDS点分析・マッピング
・プリセッション回折
透過電子顕微鏡 (Transmission Electron Microscope)
- 設備ID
- TU-517
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子 (JEOL)
- 型番
- JEM-2000EXⅡ
- 仕様・特徴
- ・加速電圧 200 kV (LaB6電子銃)
・試料加熱ホルダー（最高温度 約800 ℃）
・試料冷却ホルダー（最低温度 約-170 ℃）
薄膜断面試料作製装置 (Ion Slicer)
- 設備ID
- TU-518
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子 (JEOL)
- 型番
- EM-09100IS
- 仕様・特徴
- ・イオン加速電圧 1～8 kV
・イオン照射角度 0～6°
ジェントルミリング装置 (Gnetle Mill)
- 設備ID
- TU-519
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本フィジテック (Japan Physitec Co.)
- 型番
- Gentle Mill 3
- 仕様・特徴
- ・ビームカレント 5 ～ 80 μA
・イオン照射角度 0～6°
質量分析計 (GC-Tof MS)
- 設備ID
- TU-605
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子 (JEOL)
- 型番
- JMS-T100GCV
- 仕様・特徴
- ・マスレンジ：m/z 4～4,000
・イオン化法：EI、FI（電解イオン化）、FD（電解脱離イオン化）
・質量分解能：m/z 617（PFK）で6000以上
CHN有機微量元素分析装置 (C, H, N Elemental Analyzer)
- 設備ID
- TU-608
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- J-SCIENCE LAB (J-SCIENCE LAB )
- 型番
- JM-11
- 仕様・特徴
- ・測定方式：自己積分方式
・燃焼部の温度制御方式：ソリッドステートリレー制御によるPID制御（各炉の温度設定はパソコンから任意に可能）。
・恒温槽の温度制御方式：ソリッドステートリレー制御によるPID制御。
・検出器：熱伝導度検出方式、 60Ω 4素子タングステンフィラメント 3組を内臓。
・気圧補正：本体に内蔵し、コンピュータに自動入力。
・試料サンプラー：横型で最大20サンプルの自動運転。
・燃焼方式：ヘリウム酸素混合方式。
有機ハロゲン・硫黄分析装置 (Halogen and Sulfur Analyzer)
- 設備ID
- TU-609
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- ヤナコテクニカルサイエンス (Yanaco)
- 型番
- YHS-11
- 仕様・特徴
- ・構成：試料導入装置（HAS-25）、試料燃焼ユニット（HNS-18)、燃焼ガス吸収ユニット（HSU-45）、イオンクロマトグラフ（ICA-2000)
・イオンクロマトグラフ部：電気伝導度検出器（ダイナミツクレンジ：512mS/m）、脱気装置と恒温槽ユニットが一体型
両面アライナ(8") (Double-side aligner)
- 設備ID
- TU-069
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- SUSS (SUSS)
- 型番
- MA8/BA8 Gen3
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ：小片～6インチ
露光波長：ブロードバンド、i線
最小露光線幅：～0.7um
アライメント精度（片面）：～1um
アライメント精度（両面）：～3um
真空アニール炉 (Vacuum annealing)
- 設備ID
- TU-109
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- アドバンス理工 (Advance Riko)
- 型番
- RHL-Pss98/98#
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ：小片～4インチ
赤外線ランプ加熱
基板温度：最高1000℃
自動搬送 芝浦スパッタ装置（冷却型） (Automatic Shibaura sputtering (Cooling))
- 設備ID
- TU-161
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- 芝浦メカトロニクス (Shibaura Mechatronics)
- 型番
- !-Miller CFS-4EP-LL
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ：小片～8インチ
サンプルステージ：直径220mm
基板温度：約20℃
電源：RF×1
ターゲット：3インチ×4
方式：スパッタSIDE
到達真空度：8E-5Pa