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共用設備検索結果

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スパッタ(金属、絶縁体)蒸着装置 (Sputtering vapor depositing equipment)

メーカー名
芝浦エレテック (Shibaura eletec Corporatoin)
型番
CFS-4ES
設備画像
スパッタ(金属、絶縁体)蒸着装置
設置機関
豊田工業大学
仕様・特徴
・平行平板型
・ターゲット現有(Ti, Al, Ag, Pd, SiO2, Al2O3, SiN, Au)

多機能薄膜作製装置 (Sputtering vapor depositing / Molecular vapor epitaxy equipment)

メーカー名
アルバック (ULVAC)
型番
BC2925(特注装置)
設備画像
多機能薄膜作製装置
設置機関
豊田工業大学
仕様・特徴
超高真空仕様
RF2元、DC2元
ターゲット2インチΦと、分子線エピタキシーMBE3元(EBガン)の複合利用可能
多層膜作成可能、主に磁性材料用

原子層堆積装置 (Atomic layer deposition:ALD)

メーカー名
Ultratech/Cambridge Nano Tech (Ultratech/Cambridge Nano Tech)
型番
Fiji F200
設備画像
原子層堆積装置
設置機関
豊田工業大学
仕様・特徴
成膜する試料は、基板表面に蒸気圧の高い物質が露出していないことが条件。
半導体デバイスのパッシベーションに用いており、汚染を防ぐためであり、ご理解をお願いします。

電子ビーム描画装置 (Electron beam drawing equipment)

メーカー名
クレステック (Crestec)
型番
CABL-8200TFE
設備画像
電子ビーム描画装置
設置機関
豊田工業大学
仕様・特徴
Siやガラスなどの各種基板に描画実績あり。
ガラスに対しては帯電対策が必要。

マスクレス露光装置 (Maskless exposure equipment)

メーカー名
大日本科研 (Japan Science Engineering Co., Ltd.)
型番
MX-1204
設備画像
マスクレス露光装置
設置機関
豊田工業大学
仕様・特徴
φ4インチにポジ型フォトレジスト(膜厚1μm以上)に、2μm幅のラインアンドスペースを全面(外周3mm除く)に描いたときに、描画時間が30分程度。
露光パターン幅のバラツキが100 nm(1σ)以下。

マスクアライナ装置 (Mask aligner)

メーカー名
ズース・マイクロテック  (SUSS MicroTec)
型番
MA6
設備画像
マスクアライナ装置
設置機関
豊田工業大学
仕様・特徴
・裏面アライメント可能、i線フィルタ付き
・付帯装置:レジストのスピンコータ共和理研K-359SDなど

レジスト処理(アッシング)装置 (Asher)

メーカー名
VICインターナショナル (VIC international)
型番
VPA-100改造
設備画像
レジスト処理(アッシング)装置
設置機関
豊田工業大学
仕様・特徴
・材料制限は少ない(要相談)
・φ4インチまで
・付帯装置:UVキュア処理装置(自作)

洗浄ドラフト一式 (Clean draft chambers)

メーカー名
東朋テクノロジー (Toho Technology Co.)
型番
特注
設備画像
洗浄ドラフト一式
設置機関
豊田工業大学
仕様・特徴
シリコン専用および化合物半導体専用のドラフト群
小型~太陽電池156mm角基板等

シリコン専用の各種熱処理(酸化、拡散)装置一式 (Thermal treatment furnaces (oxidation, diffusion))

メーカー名
縦型:ディー・エス・アイ テクノロジー 横型:光洋サーモシステム (縦型:DSITechnology Co.LTD 横型:Koyo Thermo Systems Co., Ltd.)
型番
縦型:MD-100P 横型:4001PSI
設備画像
シリコン専用の各種熱処理(酸化、拡散)装置一式
設置機関
豊田工業大学
仕様・特徴
横型および縦型酸化・拡散炉一式
・シリコンウェハの酸化および不純物拡散(リンおよびボロン)
・φ3インチまでのシリコン基板

Reactive Ion Etching 装置(非Boschプロセス) (Reactive ion etching equipment (Non-Bosch))

メーカー名
サムコ (Samco Inc.)
型番
RIE-10NR
設備画像
Reactive Ion Etching 装置(非Boschプロセス)
設置機関
豊田工業大学
仕様・特徴
CF4, O2, SF6を用いたレジストアッシングや、SiおよびSiO2、石英ガラス、窒化膜のエッチング
Φ6インチまでのガラス及びシリコン基板に対応
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