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共用設備検索結果

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電子ビーム露光装置 (Electron beam lithograph system)

メーカー名
日本電子 (JEOL)
型番
JBX-6300SJ 
設備画像
電子ビーム露光装置
設置機関
東京工業大学
仕様・特徴
スポットビーム、ベクタースキャン方式。 ビーム径3nm以下(100kV)、最少線幅10nm以下。 重ね合わせ精度/重ね合わせ精度10nm以下。試料最大100㎜φウエハまで(不定形可能)

電子ビーム露光データ加工ソフトウェア (Electron beam exposure )

メーカー名
GenISys (GenISys)
型番
Beamer
設備画像
電子ビーム露光データ加工ソフトウェア
設置機関
東京工業大学
仕様・特徴
JEOL01,51,52などの日本電子製電子ビーム露光用パターンデータファイルが入出力可能。
各露光基板形状に基づいたモンテカルロシミュレーションによって点拡がり関数(PSF)を導出でき、得られたPSFに基づく近接効果補正が可能。

マスクレス露光装置  (Maskless exposure system)

メーカー名
大日本科研 (Japan Science Engineering Co., Ltd.)
型番
MX-1205
設備画像
マスクレス露光装置
設置機関
東京工業大学
仕様・特徴
DMDによるパターン生成露光、100mm角露光サイズ、最小描画画素1μm、アライメント精度±0.15μm データ取り込み機能

マスクレス露光装置  (Maskless exposure system)

メーカー名
大日本科研 (Japan Science Engineering Co., Ltd.)
型番
MX-1204
設備画像
マスクレス露光装置
設置機関
東京工業大学
仕様・特徴
DMDによるパターン生成露光、150mm角露光サイズ、最小描画画素2μm、アライメント精度±0.15μm

コンタクト光学露光装置 (Contact optical exposure)

メーカー名
ズース ( Süss)
型番
MA-8
設備画像
コンタクト光学露光装置
設置機関
東京工業大学
仕様・特徴
・アシスト機能装備、TSA/BSA装備
・表面アライメント制度 TSA:±0.25μm以下 BSA:±1.00μm以下
・露光解像度 0.5μm
・対応基板 小片~直径2inch ウェハ

走査型電子顕微鏡 (scanning electron microscope)

メーカー名
日立 (Hitachi)
型番
S5200
設備画像
走査型電子顕微鏡
設置機関
東京工業大学
仕様・特徴
高解像度用インレンズ式高解像度用インレンズ式 加速電圧1kV~30kV 分解能0.5nm(30kV)~1.7nm(1kV) 倍率X100~X2000K STEMモード可

走査型電子顕微鏡 (scanning electron microscope)

メーカー名
日立 (Hitachi)
型番
S4500
設備画像
走査型電子顕微鏡
設置機関
東京工業大学
仕様・特徴
電界放出型 ・冷陰極電界放出型電子銃 ・分解能:1.5 nm (加速電圧 15 kV WD=4mm) 4.0 nm (加速電圧1 kV WD=3mm) ・試料サイス:最大50 mm (直径)

3連Eガン蒸着装置 ( Elecrton beam evaporator with 3 pocket)

メーカー名
アルバック ( Ulvac)
型番
EX-300
設備画像
3連Eガン蒸着装置
設置機関
東京工業大学
仕様・特徴
300mm対応 高速排気

高真空Eガン蒸着装置 (High-vaccum electon beam evaporator)

メーカー名
エイコーエンジニアリング ( Eiko-engineering)
型番
特注品
設備画像
高真空Eガン蒸着装置
設置機関
東京工業大学
仕様・特徴
ロードロックチャンバ付 6連E-gun 6kW 3連EBガン×2 到達真空度: 5e-8Torr以下 基板サイズ: 20mm角まで 蒸着原材料: Ti,Pd,Ni,Cr,Au

有機金属気相成長装置 (Metal organic vapor phase epitaxy)

メーカー名
日本酸素 ( Nippon Sanso)
型番
HR-3246
設備画像
有機金属気相成長装置
設置機関
東京工業大学
仕様・特徴
InP用 ・ウェハトレイ:石英製2インチウェハトレイ ・III族材料:TEG,TMG,TMA,TMI,CBr4 ・V族材料:AsH3(100%),AsH3(1%),PH3(100%),Si2H6,C2H6Zn
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