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共用設備検索結果

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グロー放電分光分析装置 (Glow Discharge OpticalEmission Spectrometry)

設備ID
WS-032
設置機関
早稲田大学
設備画像
グロー放電分光分析装置
メーカー名
株式会社堀場製作所 (HORIBA, Ltd.)
型番
GDA750
仕様・特徴
軽元素(N, O, H等)の分析可能、分析範囲4mmφ以上、10mm□以上4"までのSi、ガラス基板

共焦点レーザー走査型顕微鏡 (Confocal Laser Scanning Microscopy: CLSM)

設備ID
WS-031
設置機関
早稲田大学
設備画像
共焦点レーザー走査型顕微鏡
メーカー名
株式会社 エビデント (EVIDENT)
型番
FLUOVIEW FV3000
仕様・特徴
高感度、高速を必要とする生きた細胞・組織のイメージングや、マイクロプレートを用いた複雑なプロトコルを使い易くイメージング

プラズマCVD装置 (TEOS-CVD)

設備ID
WS-030
設置機関
早稲田大学
設備画像
プラズマCVD装置
メーカー名
サムコ (samco)
型番
PD-220
仕様・特徴
プラズマCVDの原理による成膜
高いカバレッジ成形
基板サイズ6インチ以下
面内分布 5%以内(仕様)
標準条件での基板温度300℃

イオンビームスパッタ装置 (Ion Beam Sputter)

設備ID
WS-001
設置機関
早稲田大学
設備画像
イオンビームスパッタ装置
メーカー名
伯東株式会社 (Hakuto Co., Ltd.)
型番
特注品
仕様・特徴
デュアルイオンビームスパッタ装置
試料サイズ 4インチ以下
4ターゲット
基板昇温可能(約400℃)

電子ビーム蒸着装置 (Electron Beam Vaper Deposition system )

設備ID
WS-002
設置機関
早稲田大学
設備画像
電子ビーム蒸着装置
メーカー名
キヤノンアネルバ株式会社 (CANON ANELVA CORPORATION)
型番
EVC-1501
仕様・特徴
試料サイズ 4インチ以下
Au, Cr, Ti専用
4インチウエハ18枚同時成膜可能(プラネタリーホルダー)

電子ビーム蒸着装置 (Electron Beam Vaper Deposition system )

設備ID
WS-003
設置機関
早稲田大学
設備画像
電子ビーム蒸着装置
メーカー名
株式会社アルバック (ULVAC, Inc.)
型番
EBX-6D
仕様・特徴
試料サイズ 4インチ以下(プラネタリーホルダーにより、複数枚成膜可能)
金属(Cu, Cr, Ni, Al, Au, Ag等)および絶縁膜(SiO2, ZnO等)の成膜

原子層堆積装置 (Atomic Layer Deposition Systems)

設備ID
WS-004
設置機関
早稲田大学
設備画像
原子層堆積装置
メーカー名
PICOSUN JAPAN株式会社 (Picosun Japan Co. Ltd.)
型番
SUNALE R-150
仕様・特徴
Al2O3膜を原子一層レベルで成膜可能
H2O及びO3使用可
基板サイズ小片~4インチ
4”, 6”ウエハ, 及び20×20mm試料対応
基板材料は原則としてダイヤモンドまたはSi

精密めっき装置群+ドラフト群 (plating system)

設備ID
WS-005
設置機関
早稲田大学
設備画像
精密めっき装置群+ドラフト群
メーカー名
特注品  (Custom-made products)
型番
特注品
仕様・特徴
各種無電解、電解めっきに対応、Auめっき、合金めっきに対応、基板サイズ4インチまで

プラズマアッシャー (Plasma Asher)

設備ID
WS-006
設置機関
早稲田大学
設備画像
プラズマアッシャー
メーカー名
ヤマト科学株式会社 (Yamato Scientific Co., Ltd.)
型番
PR500
仕様・特徴
使用ガス:O2ガス
試料サイズ:φ4インチ以下
用途:レジストの灰化除去
ドライエッチング後のO2アッシング)
有機系汚染物質のクリーニング
Si表面の親水化処理等

ICP-RIE装置 (Inductively Coupled Plasma reactive ion etching)

設備ID
WS-007
設置機関
早稲田大学
設備画像
ICP-RIE装置
メーカー名
サムコ株式会社 (Samco Inc.)
型番
RIE-101iPH
仕様・特徴
汎用反応性エッチング装置
Si、Ti等の微細エッチング可
基板サイズは~4inch
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