1. ホーム>
  2. 共用設備検索

共用設備検索結果

フリーワード検索

イオンビームスパッタ装置 (Ion Beam Sputter)

メーカー名
伯東株式会社 (Hakuto Co., Ltd.)
型番
特注品
設備画像
イオンビームスパッタ装置
設置機関
早稲田大学
仕様・特徴
デュアルイオンビームスパッタ装置
試料サイズ 4インチ以下
4ターゲット
基板昇温可能(約400℃)

電子ビーム蒸着装置 (Electron Beam Vaper Deposition system )

メーカー名
キヤノンアネルバ株式会社 (CANON ANELVA CORPORATION)
型番
EVC-1501
設備画像
電子ビーム蒸着装置
設置機関
早稲田大学
仕様・特徴
試料サイズ 4インチ以下
Au, Cr, Ti専用
4インチウエハ18枚同時成膜可能(プラネタリーホルダー)

電子ビーム蒸着装置 (Electron Beam Vaper Deposition system )

メーカー名
株式会社アルバック (ULVAC, Inc.)
型番
EBX-6D
設備画像
電子ビーム蒸着装置
設置機関
早稲田大学
仕様・特徴
試料サイズ 4インチ以下
Au,Ag,Cu,Al,Mg,Cr,Ti,Ni等
4インチウエハ15枚同時成膜可能(プラネタリーホルダー)

原子層堆積装置 (Atomic Layer Deposition Systems)

メーカー名
PICOSUN JAPAN株式会社 (Picosun Japan Co. Ltd.)
型番
SUNALE R-150
設備画像
原子層堆積装置
設置機関
早稲田大学
仕様・特徴
Al2O3膜を原子一層レベルで成膜可能
H2O及びO3使用可
基板サイズ小片~4インチ
4”, 6”ウエハ, 及び20x20mm試料対応
基板材料は原則としてダイヤモンドまたはSi

精密めっき装置群+ドラフト群 (plating system)

メーカー名
特注品  (Custom-made products)
型番
特注品
設備画像
精密めっき装置群+ドラフト群
設置機関
早稲田大学
仕様・特徴
各種無電解、電解めっきに対応、Auめっき、合金めっきに対応、基板サイズ4インチまで

プラズマアッシャー (Plasma Asher)

メーカー名
ヤマト科学株式会社 (Yamato Scientific Co., Ltd.)
型番
PR500
設備画像
プラズマアッシャー
設置機関
早稲田大学
仕様・特徴
使用ガス:O2ガス
試料サイズ:φ4インチ以下
用途:レジストの灰化除去
(ドライエッチング後のO2アッシング)
有機系汚染物質のクリーニング
Si表面の親水化処理等

ICP-RIE装置 (Inductively Coupled Plasma reactive ion etching)

メーカー名
サムコ株式会社 (Samco Inc.)
型番
RIE-101iPH
設備画像
ICP-RIE装置
設置機関
早稲田大学
仕様・特徴
汎用反応性エッチング装置
Si、Ti等の微細エッチング可
基板サイズは~4inch

CCP-RIE装置 (Capacitive Coupled Plasma reactive ion etching)

メーカー名
サムコ株式会社 (Samco Inc.)
型番
RIE-10NR
設備画像
CCP-RIE装置
設置機関
早稲田大学
仕様・特徴
SF6、CHF3によるSi、SiO2等のエッチング及びO2によるアッシング

Deep-RIE装置 (deep reactive ion etching)

メーカー名
サムコ株式会社 (Samco Inc.)
型番
RIE-400iPB
設備画像
 Deep-RIE装置
設置機関
早稲田大学
仕様・特徴
Siの深堀り可能、基板サイズ小片~4インチ、Si基板のみ

集束イオン/電子ビーム加工観察装置 (Focused Ion Beam Scanning Electron Microscopy)

メーカー名
株式会社 日立ハイテク (Hitachi High-Tech Corporation)
型番
NB-5000
設備画像
集束イオン/電子ビーム加工観察装置
設置機関
早稲田大学
仕様・特徴
FIB加工中の同時SEM観察可能
~80万倍, 試料サイズ最大30mmΦ
エネルギー分散型X線元素分析機能(EDAX)
・ シリコンドリフトディテクター (SDD検出器)
・ エネルギー分解能: 133eV以下
・ 検出元素:B~U
・ 定性分析/定量分析/マッピング機能搭載
STEM機能付き(薄膜化した後の高精度観察が可能)
スマートフォン用ページで見る