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"産業技術総合研究所（AIST)"で検索した結果　　63件

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走査プローブ顕微鏡SPM_1[NanoscopeⅣ/Dimension3100] (Scanning Probe Microscope 1 (SPM1, NanoscopeIV/Dimension 3100))

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設置機関: 産業技術総合研究所（AIST)

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メーカー名: デジタルインスツルメンツ (Veeco/Digital Instruments )

型番: NanoscopeⅣ/Dimension3100

仕様・特徴: ・型式:NanoscopeⅣ/Dimension3100（Veeco社製）
・試料サイズ:150 mm以内（面範囲）、12 mm（高さ範囲）
・試料固定:真空チャック
・測定範囲:90 μm×90 μm（面範囲）、6 μm以内（高さ範囲）
・測定精度:最大2%（最大レンジ幅）

走査プローブ顕微鏡SPM_2[SPM-9600/9700] (Scanning Probe Microscope 2〔SPM２, SPM-9600/9700〕)

設備ID

設置機関: 産業技術総合研究所（AIST)

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メーカー名: 島津製作所 (SHIMADZU)

型番: SPM-9700

仕様・特徴: ・型式:SPM-9700
・試料サイズ:24mmφ×8mm
・試料固定:マグネットによる固定
・スキャナ走査範囲:125μm×125μm×7μm
・分解能: 0.2nm（水平）、0.01nm（垂直）
・測定モード:ダイナミック、コンタクト、位相、電流、表面電位（KFM）

ナノサーチ顕微鏡SPM_3[SFT-3500] (Scanning Probe Microscope 3〔SPM3, SFT-3500, Nano Search Microscope〕)

設備ID

設置機関: 産業技術総合研究所（AIST)

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メーカー名: 島津製作所 (SHIMADZU)

型番: SFT_3500

仕様・特徴: ・型式:SFT_3500
・試料サイズ:6インチφ、最大高さ:54.5mm
・ステージストローク:100×100mm
LSM部
・観察視野:2,560μm～21μm
・対物レンズ:5×, 20×, 100× （光学ズーム 1×～6×）
SPM部
・最大走査範囲:30μm（X,Y）、4μm（Z）
・垂直分解能：0.1nm程度
・検出方式:光てこ方式
・測定モード:ダイナミックモード（タッピングモード）、コンタクトモード、位相モード、表面電位モード[KFM]、電流モード

ナノプローバ[N-6000SS] (NanoProber〔N-6000SS〕)

設備ID

設置機関: 産業技術総合研究所（AIST)

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メーカー名: 日立ハイテクノロジーズ (Hitachi High-Tech)

型番: N-6000SS

仕様・特徴: ・型式:N-6000SS
・試料サイズ:15mm×15mm、厚さ1mm以下
・試料ステージ:加熱・冷却機能付
・可動範囲:15mm×15mm以上
・付加機能:EBAC（Electron Beam Absorbed Current）
プローブユニット
・ユニット数:6本（探針数）
・駆動方式:ピエゾ素子使用
・微動範囲:5μm（X,Y軸）
・粗動範囲:5mm（X,Y軸）
電子光学系
・電子銃:冷陰極電界放出型電子顕微鏡
・加速電圧:0.5～5kV （※EBACモード:最大30kV）
・イメージシフト:±100μm以上（2kV、WD=15mm）
デバイスアナライザ
・型式:B1500（Agilent製）
・モジュール:B1520A MFCMU [1KHz～5MHz CV機能]
B1517A HRSMU [100mA/42V 電流/電圧出力、1fA/0.5μV電流/電圧測定分解能]

四探針プローブ抵抗測定装置 (Four Point Probe Resistance Measurement System)

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設置機関: 産業技術総合研究所（AIST)

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メーカー名: ケースレーインスツルメンツ (Keithley Instruments)

型番: K-89PS40μR, K-89PS150μR

仕様・特徴: ・型式:K-89PS40μR, K-89PS150μR
・試料サイズ: 4インチ□
・プローブ材質:タングステンカーバイト
・針間:1mm
・プローブ径:40μm, 150μm
・針圧:約800g, 約200g
・ステージZ軸移動:40mm(ラックピニオン式)
・針圧調整:ウエイト加減方式
・デジタルソースメータ(抜粋)
最大印加電圧 ±210V, 電流 ±1.05A(MAX 21V), ±1.05mA(MAX 210V)
最小設定分解能 5μV(200mVレンジ), 50 pA(1μAレンジ)

デバイスパラメータ評価装置 (Semiconductor Device Parameter Analyzer)

設備ID

設置機関: 産業技術総合研究所（AIST)

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メーカー名: アジレントテクノロジー (Agilent)

型番: 4156C

仕様・特徴: ・型式:4156C
・試料サイズ:150φ×10mm以下
・最小電流レンジと測定分解能:±10 pAレンジ（電圧 0～±100 V）⇒ 1 fA
・最大電流レンジと測定分解能:±100 mAレンジ（電圧 0～±20 V）⇒ 100 nA
・最小電圧レンジと測定分解能:±2 Vレンジ（電流 0～±100 mA）⇒ 2 µV
・最大電圧レンジと測定分解能:±100 Vレンジ（電流 0～±20 mA）⇒ 100 µV

デバイス容量評価装置 (Capacitance-Voltage (C-V) Analyzer)

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設置機関: 産業技術総合研究所（AIST)

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メーカー名: ケースレーアジレント (Keithley Agilent)

型番: Model 82-WIN, 4284A LCRメータ

仕様・特徴: ・型式:Model 82-WIN（ケースレー社製）, 4284A LCRメータ（アジレントテクノロジーズ社製）
・試料サイズ:2インチ
・Model 82-WIN: Quasistatic C-Vと高周波C-V（100kHz or 1MHz）の同時特性評価
・4284A LCRメータ:低周波20Hz～高周波1MHzの主にC-V特性評価、及び周波数変化時の容量であるC-F特性評価

短波長レーザー顕微鏡[VK-9700] (Laser Microscope〔VK-9700〕)

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設置機関: 産業技術総合研究所（AIST)

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メーカー名: キーエンス (KEYENCE)

型番: VK-9700

仕様・特徴: ・型式:VK-9700 Generation II（キーエンス社製）
・試料サイズ:100mmφ
・倍率:最大18000倍
・分解能:1 nm（Z方向、高さ）
・高さ測定範囲:7 mm
・表示分解能:0.001 μm
・幅測定表示分解能:0.001 μm
・フレームピクセル数:2048×1536
・モノクロ映像:14 bit
・カラー映像:RGB各8 bit、高さ測定用:24 bit
・光学ズーム:1x～6x
・測定レーザー:波長408 nm、最大出力0.9 mW
・受光:光電子増倍管
・観測:100 Wハロゲン光源
・撮像素子:カラーCCDイメージセンサ

短波長レーザー顕微鏡[OLS-4100] (Laser Microscope〔OLS-4100〕)

設備ID

設置機関: 産業技術総合研究所（AIST)

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メーカー名: オリンパス (Olympus)

型番: OLS-4100

仕様・特徴: ・型式:OLS4100
・試料サイズ:100mmφ
・倍率:最大17280倍
・高さ測定範囲:10mm
・XYステージ:100mm×100mm（電動ステージ）
・表示分解能:0.001μm
・フレームピクセル数:4096×4096
・光学ズーム:1x～8x
・測定レーザー:波長405nm、最大出力1mW
・微分干渉ユニット:微分干渉スライダ（U-DICR）、偏光板ユニット内蔵

分光エリプソメータ (Spectroscopic Ellipsometer)

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設置機関: 産業技術総合研究所（AIST)

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メーカー名: 堀場 Jovin-Yvon (Horiba Jovin-Yvon)

型番: UVISEL-M200-FUV-FGMS

仕様・特徴: ・型式:UVISEL-M200-FUV-FGMS
・試料サイズ:150mmφ
・ステージ上下調整幅:20mm
・波長範囲:190～826nm（1.5～6.5eV）

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