共用設備検索

共用設備検索結果

フリーワード検索

走査プローブ顕微鏡SPM_1[NanoscopeⅣ/Dimension3100] (Scanning Probe Microscope 1 (SPM1, NanoscopeIV/Dimension 3100))

設備ID
AT-046
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
走査プローブ顕微鏡SPM_1[NanoscopeⅣ/Dimension3100]
メーカー名
デジタルインスツルメンツ (Veeco/Digital Instruments )
型番
NanoscopeⅣ/Dimension3100
仕様・特徴
・型式:NanoscopeⅣ/Dimension3100(Veeco社製)
・試料サイズ:150 mm以内(面範囲)、12 mm(高さ範囲)
・試料固定:真空チャック
・測定範囲:90 μm×90 μm(面範囲)、6 μm以内(高さ範囲)
・測定精度:最大2%(最大レンジ幅)

走査プローブ顕微鏡SPM_2[SPM-9600/9700] (Scanning Probe Microscope 2〔SPM2, SPM-9600/9700〕)

設備ID
AT-047
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
走査プローブ顕微鏡SPM_2[SPM-9600/9700]
メーカー名
島津製作所 (SHIMADZU)
型番
SPM-9700
仕様・特徴
・型式:SPM-9700
・試料サイズ:24mmφ×8mm
・試料固定:マグネットによる固定
・スキャナ走査範囲:125μm×125μm×7μm
・分解能: 0.2nm(水平)、0.01nm(垂直)
・測定モード:ダイナミック、コンタクト、位相、電流、表面電位(KFM)

ナノサーチ顕微鏡SPM_3[SFT-3500] (Scanning Probe Microscope 3〔SPM3, SFT-3500, Nano Search Microscope〕)

設備ID
AT-048
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
ナノサーチ顕微鏡SPM_3[SFT-3500]
メーカー名
島津製作所 (SHIMADZU)
型番
SFT_3500
仕様・特徴
・型式:SFT_3500
・試料サイズ:6インチφ、最大高さ:54.5mm
・ステージストローク:100×100mm
LSM部
・観察視野:2,560μm~21μm
・対物レンズ:5×, 20×, 100× (光学ズーム 1×~6×)
SPM部
・最大走査範囲:30μm(X,Y)、4μm(Z)
・垂直分解能:0.1nm程度
・検出方式:光てこ方式
・測定モード:ダイナミックモード(タッピングモード)、コンタクトモード、位相モード、表面電位モード[KFM]、電流モード

ナノプローバ[N-6000SS] (NanoProber〔N-6000SS〕)

設備ID
AT-049
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
ナノプローバ[N-6000SS]
メーカー名
日立ハイテクノロジーズ (Hitachi High-Tech)
型番
N-6000SS
仕様・特徴
・型式:N-6000SS
・試料サイズ:15mm×15mm、厚さ1mm以下
・試料ステージ:加熱・冷却機能付
・可動範囲:15mm×15mm以上
・付加機能:EBAC(Electron Beam Absorbed Current)
プローブユニット
・ユニット数:6本(探針数)
・駆動方式:ピエゾ素子使用
・微動範囲:5μm(X,Y軸)
・粗動範囲:5mm(X,Y軸)
電子光学系
・電子銃:冷陰極電界放出型電子顕微鏡
・加速電圧:0.5~5kV (※EBACモード:最大30kV)
・イメージシフト:±100μm以上(2kV、WD=15mm)
デバイスアナライザ
・型式:B1500(Agilent製)
・モジュール:B1520A MFCMU [1KHz~5MHz CV機能]
B1517A HRSMU [100mA/42V 電流/電圧出力、1fA/0.5μV電流/電圧測定分解能]

四探針プローブ抵抗測定装置 (Four Point Probe Resistance Measurement System)

設備ID
AT-050
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
四探針プローブ抵抗測定装置
メーカー名
ケースレーインスツルメンツ (Keithley Instruments)
型番
K-89PS40μR, K-89PS150μR
仕様・特徴
・型式:K-89PS40μR, K-89PS150μR
・試料サイズ: 4インチ□
・プローブ材質:タングステンカーバイト
・針間:1mm
・プローブ径:40μm, 150μm
・針圧:約800g, 約200g
・ステージZ軸移動:40mm(ラックピニオン式)
・針圧調整:ウエイト加減方式
・デジタルソースメータ(抜粋)
最大印加電圧 ±210V, 電流 ±1.05A(MAX 21V), ±1.05mA(MAX 210V)
最小設定分解能 5μV(200mVレンジ), 50 pA(1μAレンジ)

デバイスパラメータ評価装置 (Semiconductor Device Parameter Analyzer)

設備ID
AT-051
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
デバイスパラメータ評価装置
メーカー名
アジレントテクノロジー (Agilent)
型番
4156C
仕様・特徴
・型式:4156C
・試料サイズ:150φ×10mm以下
・最小電流レンジと測定分解能:±10 pAレンジ(電圧 0~±100 V)⇒ 1 fA
・最大電流レンジと測定分解能:±100 mAレンジ(電圧 0~±20 V)⇒ 100 nA
・最小電圧レンジと測定分解能:±2 Vレンジ(電流 0~±100 mA)⇒ 2 µV
・最大電圧レンジと測定分解能:±100 Vレンジ(電流 0~±20 mA)⇒ 100 µV

デバイス容量評価装置 (Capacitance-Voltage (C-V) Analyzer)

設備ID
AT-052
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
デバイス容量評価装置
メーカー名
ケースレー アジレント (Keithley Agilent)
型番
Model 82-WIN, 4284A LCRメータ
仕様・特徴
・型式:Model 82-WIN(ケースレー社製), 4284A LCRメータ(アジレントテクノロジーズ社製)
・試料サイズ:2インチ
・Model 82-WIN: Quasistatic C-Vと高周波C-V(100kHz or 1MHz)の同時特性評価
・4284A LCRメータ:低周波20Hz~高周波1MHzの主にC-V特性評価、及び 周波数変化時の容量であるC-F特性評価

短波長レーザー顕微鏡[VK-9700] (Laser Microscope〔VK-9700〕)

設備ID
AT-060
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
短波長レーザー顕微鏡[VK-9700]
メーカー名
キーエンス (KEYENCE)
型番
VK-9700
仕様・特徴
・型式:VK-9700 Generation II(キーエンス社製)
・試料サイズ:100mmφ
・倍率:最大18000倍
・分解能:1 nm(Z方向、高さ)
・高さ測定範囲:7 mm
・表示分解能:0.001 μm
・幅測定表示分解能:0.001 μm
・フレームピクセル数:2048×1536
・モノクロ映像:14 bit
・カラー映像:RGB各8 bit、高さ測定用:24 bit
・光学ズーム:1x~6x
・測定レーザー:波長408 nm、最大出力0.9 mW
・受光:光電子増倍管
・観測:100 Wハロゲン光源
・撮像素子:カラーCCDイメージセンサ

短波長レーザー顕微鏡[OLS-4100] (Laser Microscope〔OLS-4100〕)

設備ID
AT-061
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
短波長レーザー顕微鏡[OLS-4100]
メーカー名
オリンパス (Olympus)
型番
OLS-4100
仕様・特徴
・型式:OLS4100
・試料サイズ:100mmφ
・倍率:最大17280倍
・高さ測定範囲:10mm
・XYステージ:100mm×100mm(電動ステージ)
・表示分解能:0.001μm
・フレームピクセル数:4096×4096
・光学ズーム:1x~8x
・測定レーザー:波長405nm、最大出力1mW
・微分干渉ユニット:微分干渉スライダ(U-DICR)、偏光板ユニット内蔵

分光エリプソメータ (Spectroscopic Ellipsometer)

設備ID
AT-063
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
分光エリプソメータ
メーカー名
堀場 Jovin-Yvon (Horiba Jovin-Yvon)
型番
UVISEL-M200-FUV-FGMS
仕様・特徴
・型式:UVISEL-M200-FUV-FGMS
・試料サイズ:150mmφ
・ステージ上下調整幅:20mm
・波長範囲:190~826nm(1.5~6.5eV)
スマートフォン用ページで見る