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共用設備検索結果

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デバイスシミュレーター (Device Simulator)

メーカー名
SILVACO (SILVACO)
型番
ATHENA/ATLAS
設備画像
デバイスシミュレーター
設置機関
筑波大学
仕様・特徴
2次元プロセスシミュレーター
2次元シリコン・デバイスシミュレーター
2次元先端材料・デバイスシミュレーター
3次元シリコン/先端材料・デバイスシミュレーター

スパッタリング装置 (Sputtering System)

メーカー名
芝浦メカトロニクス (SHIBAURA MECHATRONICS)
型番
CFS-4EP-LL (i-miller)
設備画像
スパッタリング装置
設置機関
筑波大学
仕様・特徴
スパッタ方式:マグネトロン・サイドスパッタ RF500W (DC)
スパッタ源:3インチ×4(強磁性体材料用GUN1基含む)、逆スパッタ可
サンプルホルダ:最大φ220 mm/最小20 mm
(4インチウエハ用および不定形用ホルダあり)
加熱温度:室温~300℃
到達真空度・時間:10-5 Pa、10分以内に7 x 10-3 Pa
排気系:ロータリーポンプ、ターボ分子ポンプ、クライオトラップ
操作方式:全自動(レシピ設定可)
プロセスガス:Ar、N2、O2

FIB-SEM (Focused Ion beam - Scanning Electron Microscope)

メーカー名
FEI (FEI)
型番
Helios NanoLab 600i
設備画像
FIB-SEM
設置機関
筑波大学
仕様・特徴
電子とイオンの2種のソースにより、TEM試料作製、イオン照射による直接加工をSEM観察をしながら実施できる。
加速電圧:1-30kV(電子ビーム)
0.5-30kV(Gaイオンビーム)
デポジション用ガス:C,Ptガス
分析機能:EDS

電子線蒸着装置 (Electron Beam Evaporator)

メーカー名
エイコー (eiko)
型番
EB-350T
設備画像
電子線蒸着装置
設置機関
筑波大学
仕様・特徴
到達圧力:1.0×10-6 Pa以下
蒸発源:5 kW 5連EBガン
ルツボ容量:5 cc
基板ホルダー:φ3インチ

電子線描画装置 (Electron Beam Lithography)

メーカー名
ELIONIX (ELIONIX)
型番
ELS-7500EX
設備画像
電子線描画装置
設置機関
筑波大学
仕様・特徴
電子銃エミッター:ZrO/W熱電界放射型
加速電圧:5~50 kV
最小線幅:10 nm
試料サイズ:最大4インチ
ステージ移動範囲: X:100 mm以上 Y:110 mm以上
重ねあわせ精度:40 nm
フィールド継ぎ精度:40 nm

走査型プローブ顕微鏡 (Scanning Probe Microscope)

メーカー名
Bruker (Bruker)
型番
Dimension Icon
設備画像
走査型プローブ顕微鏡
設置機関
筑波大学
仕様・特徴
形状測定モード:
タッピングモード, コンタクトモード
物性測定モード:
電気・磁気特性(EFM/SSRM/KPFM/MFM他)
機械特性(粘弾性/水平力)
試料サイズ:直径 <Φ150mm, 厚さ <10mm
最大スキャン範囲:XY 90μmx90μm, Z 10μm
Z方向ノイズ:0.03nm RMS
測定環境:大気中, 液中(要相談)

ウェハーダイシングマシン (Wafer Dicing Machine)

メーカー名
DISCO (DISCO)
型番
DAD322
設備画像
ウェハーダイシングマシン
設置機関
筑波大学
仕様・特徴
ワークサイズ;φ6
切削可能範囲;160mm
送り速度範囲;0.1~500mm/s

電界放出型走査電子顕微鏡 (Field-Emission Scanning Electron Microscope)

メーカー名
日立ハイテク (Hitachi High-Tech)
型番
SU-8020
設備画像
電界放出型走査電子顕微鏡
設置機関
筑波大学
仕様・特徴
二次電子分解能;1.0nm(加速電圧15kV,WD=4mm) 1.3nm(照射電圧1kV,WD=1.5mm)
照射電圧;0.1~30kV
低倍率モード;20~2,000倍(写真倍率)
高倍率モード;100~800,000倍(写真倍率)
SE/BSE信号可変方式

パターン投影リソグラフィシステム (Maskless Lithography System)

メーカー名
Heidelberg instruments (Heidelberg instruments)
型番
μPG501
設備画像
パターン投影リソグラフィシステム
設置機関
筑波大学
仕様・特徴
描画エリア;125×125mm2
最小描画サイズ;1.0μm
最小アドレッシンググリッド;50nm@1μm
描画スピード;50mm2/min@1μm,100mm2/min@2μm

インクジェットパターン形成装置 (Inkjet Printer)

メーカー名
SIJテクノロジ (SIJTechnology)
型番
STO50-TBD01
設備画像
インクジェットパターン形成装置
設置機関
筑波大学
仕様・特徴
最小吐出量;0.1fl
最小ライン;0.6μm
分解能;0.1μm
位置精度;±0.2μm
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