共用設備検索
共用設備検索結果
"デバイス特性"で検索した結果 56件
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- 設備ID
- UT-607
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- FEI (FEI)
- 型番
- 400ACE
- 仕様・特徴
- LSI配線を効率的に修正するための装置です。DCG P2Xを置き換えました。ガスを利用した金属配線カット、絶縁膜堆積、金属配線堆積が可能。大規模集積回路（VLSI）の配線修正を最も得意とする装置です。それ以外の利用は東大拠点では微細構造解析で公開しているXvision 200TBの利用がお勧めです。（案内します）
- 設備ID
- UT-852
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- キーサイト (KEYSIGHT)
- 型番
- B1500A
- 仕様・特徴
- キーサイト社製。IV測定、CV測定の他、最先端のデバイス評価で必要とされる高速パルスドIV測定まで、様々な測定に対応しており、各種デバイス、材料、半導体、能動部品／受動部品をはじめ、あらゆる電子デバイスの特性評価に最適です。
- 設備ID
- UT-856
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- Cascade (Cascade)
- 型番
- Elite300
- 仕様・特徴
- シールドチャンバー付き
- 設備ID
- UT-857
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- Cascade (Cascade)
- 型番
- Elite 300
- 仕様・特徴
- B1500A,DS090804A,N6705B,81160A,3498-A,DSO-Xを含むラック。MicroChamber、AttoGuard、AttoGuard、および PureLine テクノロジーを備えた半自動プローブ ステーション プラットフォーム。
- 設備ID
- UT-860
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 国際電気アルファ（日立国際電気） (Hitachi Kokusai Electric Inc.)
- 型番
- VR-120S
- 仕様・特徴
- ・測定可能ウェハーサイズ：76.2-300mm
・ 0.95秒／1点、1分／49点の高速処理
・浅いイオン注入層、薄い金属膜他の高精度測定
・シート抵抗分布が一目で分かるインテリジェントマッピング
・ Windowsライクな画面で操作性が飛躍的に向上
- 設備ID
- KT-316
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- ポリテックジャパン(株) (Polytec)
- 型番
- MSA-500-TPM2-20-D
- 仕様・特徴
- MEMSデバイスの動的特性(面外,面内)
および表面形状を3次元で測定
・MEMSデバイスの動的特性(面外,面内)および表面形状を3次元で測定
- 設備ID
- KT-317
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- (株)日本マイクロニクス (MICRONICS JAPAN CO., LTD.)
- 型番
- Model 708fT
- 仕様・特徴
- 微小電流(ｆAレベル)領域の解析・評価を行うためのマニュアルプローバ
・マニュアルタイプ
・ウエハサイズ ～Φ200mm
- 設備ID
- KT-318
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- カスケード・マイクロテック(株) (Cascade Microtech, Inc.)
- 型番
- PLV50
- 仕様・特徴
- Φ150mm基板まで対応できるマニュアルプローブシステム
(-40℃～+200℃過調制御可能)
・チャックサイズ：Φ150mm，Φ100mm，小片基板 ほか
・チャック温度：-40～+200℃
・真空チャンバー 制御圧力：10～10-2Pa
- 設備ID
- KT-319
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- アジレント・テクノロジー(株) (Agilent Technologies, Inc.)
- 型番
- B1505A
- 仕様・特徴
- 基本的にC17のプローバと組み合わせて使用する。(別のプローバ等を使用される場合は、要相談)
・IV測定 電流: 10 fA～1 A 電圧: 2μV～200 V
- 設備ID
- KT-320
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- アジレント・テクノロジー(株) (Agilent Technologies, Inc.)
- 型番
- 4294A
- 仕様・特徴
- アジレント・テクノロジー(株)社製 4294A
基本インピーダンス確度 ±0.08%
周波数 40Hz～110MHz
真空プローバ；カスケード・マイクロテック社製 PLV50
チャックサイズ：Φ150mm，Φ100mm，小片基板 ほか
チャック温度：-40～+200℃
真空チャンバー 制御圧力：10～10-2Pa
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