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ナノプローバ[N-6000SS] (NanoProber〔N-6000SS〕)

設備ID
AT-049
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
ナノプローバ[N-6000SS]
メーカー名
日立ハイテクノロジーズ (Hitachi High-Tech)
型番
N-6000SS
仕様・特徴
・型式:N-6000SS
・試料サイズ:15mm×15mm、厚さ1mm以下
・試料ステージ:加熱・冷却機能付
・可動範囲:15mm×15mm以上
・付加機能:EBAC(Electron Beam Absorbed Current)
プローブユニット
・ユニット数:6本(探針数)
・駆動方式:ピエゾ素子使用
・微動範囲:5μm(X,Y軸)
・粗動範囲:5mm(X,Y軸)
電子光学系
・電子銃:冷陰極電界放出型電子顕微鏡
・加速電圧:0.5~5kV (※EBACモード:最大30kV)
・イメージシフト:±100μm以上(2kV、WD=15mm)
デバイスアナライザ
・型式:B1500(Agilent製)
・モジュール:B1520A MFCMU [1KHz~5MHz CV機能]
B1517A HRSMU [100mA/42V 電流/電圧出力、1fA/0.5μV電流/電圧測定分解能]
設備状況
稼働中

四探針プローブ抵抗測定装置 (Four Point Probe Resistance Measurement System)

設備ID
AT-050
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
四探針プローブ抵抗測定装置
メーカー名
ケースレーインスツルメンツ (Keithley Instruments)
型番
K-89PS40μR, K-89PS150μR
仕様・特徴
・型式:K-89PS40μR, K-89PS150μR
・試料サイズ: 4インチ□
・プローブ材質:タングステンカーバイト
・針間:1mm
・プローブ径:40μm, 150μm
・針圧:約800g, 約200g
・ステージZ軸移動:40mm(ラックピニオン式)
・針圧調整:ウエイト加減方式
・デジタルソースメータ(抜粋)
最大印加電圧 ±210V, 電流 ±1.05A(MAX 21V), ±1.05mA(MAX 210V)
最小設定分解能 5μV(200mVレンジ), 50 pA(1μAレンジ)
設備状況
稼働中

デバイスパラメータ評価装置 (Semiconductor Device Parameter Analyzer)

設備ID
AT-051
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
デバイスパラメータ評価装置
メーカー名
アジレントテクノロジー (Agilent)
型番
4156C
仕様・特徴
・型式:4156C
・試料サイズ:150φ×10mm以下
・最小電流レンジと測定分解能:±10 pAレンジ(電圧 0~±100 V)⇒ 1 fA
・最大電流レンジと測定分解能:±100 mAレンジ(電圧 0~±20 V)⇒ 100 nA
・最小電圧レンジと測定分解能:±2 Vレンジ(電流 0~±100 mA)⇒ 2 µV
・最大電圧レンジと測定分解能:±100 Vレンジ(電流 0~±20 mA)⇒ 100 µV
設備状況
稼働中

デバイス容量評価装置 (Capacitance-Voltage (C-V) Analyzer)

設備ID
AT-052
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
デバイス容量評価装置
メーカー名
ケースレーアジレント (KeithleyAgilent)
型番
Model 82-WIN, 4284A LCRメータ
仕様・特徴
・型式:Model 82-WIN(ケースレー社製), 4284A LCRメータ(アジレントテクノロジーズ社製)
・試料サイズ:2インチ
・Model 82-WIN: Quasistatic C-Vと高周波C-V(100kHz or 1MHz)の同時特性評価
・4284A LCRメータ:低周波20Hz~高周波1MHzの主にC-V特性評価、及び 周波数変化時の容量であるC-F特性評価
設備状況
稼働中

マニュアルウエハープローバー(2F) (Manual Wafer Prober)

設備ID
AT-086
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
マニュアルウエハープローバー(2F)
メーカー名
MJCKEYTHLEYHP (MJCKEYTHLEYHP)
型番
MJC_708fT-0114200SCSHP4284A
仕様・特徴
・型式:MJC_708fT-011(マニュアルプローバ)
・試料サイズ:75~200 mmφ、 10~30 mm□
・300 mmウェーハ:中央付近のみ測定可能
・小片試料:0.5インチΦ(専用チャック)
・ステージトラベル:X, Y ±110 mm (取り出し用ストローク含まず)
・サブステージトラベル:X, Y ±5 mm (マイクロメータ駆動)
・Zトラベル:0, 0.3, 3.5 mm固定+3 mm
・プローブ接続:リモートセンシング対応(Force, Sence独立配線)
・プローブ数:3系統+チャックテーブル1系統
・プローブ先端径:R=12.5μm
KEITHLEY 4200-SCS
・SMU搭載数:4200-SMU(4200-PA付き)×4
・電流分解能:0.1fA~100pA
・最大電流:±100mA
・電圧レンジ:200mV~210V(4レンジ)
HP4284A LCRメータ
設備状況
稼働中

半導体特性評価システム (Electrical Measurement System)

設備ID
BA-013
設置機関
筑波大学
設備画像
半導体特性評価システム
メーカー名
キーサイト (Keysight)
型番
B1500A
仕様・特徴
IV測定、CV測定、高速パルスドIV測定に対応。
IV測定範囲;0.1fA~1A/0.5μV~200V
タイムサンプリング;100μs
パルス最小測定幅;100μs(MCSMU)
容量測定 周波数範囲;1kHz~5MHz
パルスド測定 波形生成分解能;10ns 測定分解能;5ns
設備状況
稼働中

パワーデバイス特性評価装置 (Power Device Electrical Measurement System)

設備ID
BA-016
設置機関
筑波大学
設備画像
パワーデバイス特性評価装置
メーカー名
キーサイト (Keysight)
型番
B1505A
仕様・特徴
高電圧・高電流のIV測定、CV測定に対応。
電圧・電流特性: 印加電圧 3000V、電流 20A(パルスモード).
容量・電圧特性: 測定周波数 1kHz ~ 5MHz、最小分解能: 1mHz.
設備状況
稼働中

極低温プローブステーション (Cryogenic Probe station )

設備ID
BA-021
設置機関
筑波大学
設備画像
極低温プローブステーション
メーカー名
ナガセテクノエンジニアリング / TNSシステムズ / 東機通商 (Nagase Techno-Engineering Co., Ltd / TNS Systems LLC / Toki Commercial Co., Ltd)
型番
CMPS-308-4K-6P-20
仕様・特徴
・さまざまな試作デバイスを極低温(~5K)から室温に至る広い温度領域での電気特性を低ノイズ状態で測定可能.
・計測器としてB2912A (2ch SMU、10fA, 210V)を設置. また、他の計測器(持込可)も接続可能.
冷却時間:40K台まで約4時間. 4K台までさらに1時間.
温度安定性:±0.2 K 以下.
電流ノイズ:±50 fA 以下、リーク電流:±50 fA 以下.
マニピュレータ:4基.
基板バイアス印加.
設備状況
稼働中

10kV計測システム (10kV Measurement System)

設備ID
BA-027
設置機関
筑波大学
設備画像
10kV計測システム
メーカー名
アポロウエーブ/テクトロニクス・ケースレーインスツルメンツ (Apollowave/Tektronics-Keithley)
型番
α150PW/2290-10, 2636B
仕様・特徴
最大10kVの電圧印加によるリーク電流、耐圧測定
200V,1Aの汎用IV測定(SMU:4ch)
4端子デバイス測定
高温ステージ(最高300℃)のマニュアルプローバ(最大φ4インチ。5㎜□、φ2インチの吸着可)
設備状況
稼働中

ウェハプローバ (Wafer prober)

設備ID
GA-011
設置機関
香川大学
設備画像
ウェハプローバ
メーカー名
カール・ズース (SUSS MicroTec)
型番
PM5
仕様・特徴
対応基板サイズ:直径1インチ~150mm
X・Y移動範囲(粗動):最大150mm×150mm
X・Y移動範囲(微動):10mm×10mm
Θ調整範囲:360°
高さ調整範囲:10mm
顕微鏡X・Y移動範囲:50mm×50mm
設備状況
稼働中
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