共用設備検索結果
表示件数
超高温炉 (Rapid Thermal Annealing (RTA) System)
- 設備ID
- BA-022
- 設置機関
- 筑波大学
- 設備画像
- メーカー名
- サーモ理工 (THERMO RIKO CO., LTD)
- 型番
- SR1800TS
- 仕様・特徴
- ・ 真空中で試料加熱を行うことができ、最大昇温速度は300℃/sec、最高到達温度は1800℃.
・ 昇温速度、熱処理時間等の詳細な熱処理条件をプログラムすることが可能.
・ 試料ホルダーはグラファイト製に加え、石英製も備えられており、酸化性雰囲気での熱処理も可能.
加熱方式：赤外線導入加熱方式、最高到達温度：1800℃、最大昇温速度：300℃/sec、最大到達真空度：5 × 10-5 Pa、加熱面積：φ15mm.
- 設備状況
- 稼働中
卓上型ランプ加熱装置 (Infrared Gold Image Furnace / RTA System Mini Lamp Annealer)
- 設備ID
- HK-628
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像
- メーカー名
- アドバンス理工 (ADVANCE RIKO,Inc.)
- 型番
- MILA-5000
- 仕様・特徴
- 温度範囲：RT ～ 1200℃
試料寸法：角 20mm × 厚 2mm
加熱雰囲気：大気中、真空中、不活性ガス中
到達真空度：6.5Pa（RP使用、室温無負荷）
- 設備状況
- 稼働中
レーザアニール装置 (KrF Laser Annealing System )
- 設備ID
- KT-215
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- AOV(株) (AOV Co., ltd.)
- 型番
- LAEX-1000
- 仕様・特徴
- KrFレーザーを結像マスクを介して真空チャンバー内のサンプルに縮小投影することで、ターゲット表面のアニーリングを実現。
・波長：248nm
・ビーム縮小率：7.95
・分解能：5.3μm＠L/S
- 設備状況
- 稼働中
高性能マッフル炉 (Muffle Furnace)
- 設備ID
- KT-229
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- アズワン(株) (AS ONE CORPORATION)
- 型番
- HPM-2N
- 仕様・特徴
- アズワン 高性能マッフル炉 HPM-2N
設定温度 １００℃～１２８０℃
- 設備状況
- 稼働中
赤外線ランプ加熱装置 (Rapid Thermal Annealing System)
- 設備ID
- KT-237
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- アドバンス理工(株) (ADVANCE RIKO, Inc.)
- 型番
- RTP-6
- 仕様・特徴
- 赤外線ランプを用いた汎用的な急速アニール装置。
・基板サイズ：MAXΦ6
・温度：RT～1100℃
・雰囲気：各種ガス（N2、Ar、H2/4%）、真空、大気
- 設備状況
- 稼働中
赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #2] (RTA [RTP-6 #2])
- 設備ID
- NM-619
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #2]](data/facility_item/NM-619.jpg)
- メーカー名
- アドバンス理工株式会社 (ADVANCE RIKO)
- 型番
- RTP-6
- 仕様・特徴
- ・用途：多目的熱処理プロセス
・加熱方式：赤外線ランプによる上部片面加熱
・プロセス温度：1200℃以下
・昇温速度：10℃/秒以下
・プロセスガス：Ar, N2, Ar+H2(3%)
・最大試料サイズ：φ6inch
・その他：タッチパネル操作系
- 設備状況
- 稼働中
赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #3] (RTA [RTP-6 #3])
- 設備ID
- NM-634
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #3]](data/facility_item/1673319163_10.jpg)
- メーカー名
- アドバンス理工株式会社 (ADVANCE RIKO)
- 型番
- RTP-6
- 仕様・特徴
- ・用途：多目的熱処理プロセス
・加熱方式：赤外線ランプによる上部片面加熱
・プロセス温度：1200℃以下
・昇温速度：10℃/秒以下
・プロセスガス：N2,O2,Ar+3%H2
・最大試料サイズ：φ6inch
・その他：タッチパネル操作系
- 設備状況
- 稼働中
赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #1] (RTA [RTP-6 #1])
- 設備ID
- NM-646
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #1]](data/facility_item/1687416772_11.jpg)
- メーカー名
- アドバンス理工株式会社 (ADVANCE RIKO,Inc.)
- 型番
- RTP-6
- 仕様・特徴
- ・温度範囲：室温～1000℃
・加熱方式：赤外ゴールドイメージ炉、９ゾーン制御
・加熱性能：最大 10℃/s
・プロセスガス：N2, Ar+H2(3%), Ar, O2, 真空置換機能あり
・試料台材質・サイズ：SiCコートグラファイト、６インチφ または Si、６インチ
- 設備状況
- 稼働中
急速加熱処理装置 (Rapid thermal annealing)
- 設備ID
- NU-202
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- AG Associates (AG Associates)
- 型番
- Heatpulse 610
- 仕様・特徴
- ・温度範囲：400～1200℃
・昇温速度：200℃/sec
- 設備状況
- 稼働中
プログラム・ホットプレート (Program hot plate)
- 設備ID
- RO-122
- 設置機関
- 広島大学
- 設備画像
- メーカー名
- アズワン株式会社 (AS ONE)
- 型番
- EC-1200NP
- 仕様・特徴
- ・16ステップ以内のプログラムを4パターン記憶
・制御可能温度範囲：室温＋50 ～ 300℃
・プレート面積：412*312mm
- 設備状況
- 稼働中