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"イオン注入"で検索した結果 4件
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中電流イオン注入装置 (Middle-current ion implanter)
- 設備ID
- TU-105
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日新イオン機器 (Nissin)
- 型番
- NH-20SR
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ：小片～4インチ
カセットtoカセット
加速電圧：～160kV
最大電流：0.6mA
イオン注入装置 (Ion implantation)
- 設備ID
- NU-201
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日新電機 (Nissin Electric)
- 型番
- NH-20SR-WMH
- 仕様・特徴
- ・加速電圧：5-200kV
・注入電流1 µA～100 µA
電界電離ガスイオン源搭載集束イオンビーム装置 (GFIS-FIB)
- 設備ID
- JI-016
- 設置機関
- 北陸先端科学技術大学院大学（JAIST）
- 設備画像
- メーカー名
- 日立ハイテクサイエンス (Hitachi High-Tech Science)
- 型番
- MR-GFIS
- 仕様・特徴
- N2イオンビームによる低汚染のFIB加工
最少加工幅：約10nm
高温イオン注入装置 (Ion implanter)
- 設備ID
- RO-212
- 設置機関
- 広島大学
- 設備画像
- メーカー名
- アルバック (ULVAC, Inc.)
- 型番
- IMX-3500（手動高温仕様）
- 仕様・特徴
- 対応wafer：～６inch、cut wafer
温度：常温、200～500℃、 加速電圧：10～200ｋV、
最大ﾋﾞｰﾑ電流：100μA以上（＠B＋、P＋）、
：10μA以上（＠Al＋）
Al，B，As，P，F，BF2，Ar，（Si，N，He） 等注入可能
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