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共用設備検索結果
"成膜装置"で検索した結果 157件
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- 設備ID
- WS-030
- 設置機関
- 早稲田大学
- 設備画像
- メーカー名
- サムコ株式会社 (Samco Inc.)
- 型番
- PD-220
- 仕様・特徴
- プラズマCVDの原理による成膜
高いカバレッジ成形
基板サイズ６インチ以下
面内分布 5%以内(仕様)
標準条件での基板温度300℃
- 設備ID
- NM-633
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![SiO2プラズマCVD装置 [PD-220NL]](data/facility_item/1673319140_10.jpg)
- メーカー名
- サムコ (samco)
- 型番
- PD-220NL
- 仕様・特徴
- ・プラズマ方式：平行平板型
・電源出力：30-300W
・原料：TEOS (SiO2)
・成膜温度：400度以下
・最大試料サイズ：φ8inch
- 設備ID
- NM-607
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![スパッタ装置 [CFS-4EP-LL #3]](data/facility_item/NM-607.jpg)
- メーカー名
- 芝浦メカトロニクス (SHIBAURA MECHATRONICS)
- 型番
- CFS-4EP-LL (i-Miller)
- 仕様・特徴
- ・用途：金属・絶縁薄膜形成
・スパッタ方式：DC/RFマグネトロンスパッタ，反応性／2元同時／逆スパッタ／バイアススパッタ可能
・電源出力：Max 500W
・カソード：φ3インチ×4式
・プロセスガス：Ar，O2，N2
・最大試料サイズ：φ8inch（水冷ステージ）
・現有ターゲット：Ti, Au, Al, Si, Cu, W, Ta, Ag, Ni, Cr, ITO, ZnO, SiO2（2020年4月時点）
- 設備ID
- NM-608
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![スパッタ装置 [JSP-8000]](data/facility_item/NM-608.jpg)
- メーカー名
- アルバック (ULVAC)
- 型番
- j-Sputter
- 仕様・特徴
- ・用途：金属・絶縁薄膜形成
・スパッタ方式：DC/RFマグネトロンスパッタ，反応性／3元同時／逆スパッタ可能
・電源出力：Max 500W
・カソード：φ4インチ×4式
・プロセスガス：Ar，O2，N2
・最大試料サイズ：φ6inch
・その他：試料ステージ水冷／加熱可 （最大300度）
・現有ターゲット：Al, Ag, Au, Al2O3, Cr, Cu, ITO, Mo, Ni, Pt, Si, Si3N4, SiO2, Ta, Ta2O5, Ti, TiN, TiO2, W, Zn, ZnO
- 設備ID
- NM-609
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![電子銃型蒸着装置 [ADS-E86]](data/facility_item/NM-609.jpg)
- メーカー名
- アールデック (R-DEC)
- 型番
- ADS-E86
- 仕様・特徴
- ・用途：自動金属薄膜形成
・蒸着方式：電子銃型
・ターゲット：Ti, Cr, Al, Ni, Au, Pt
・到達真空度：10-5 Pa
・ＴＳ間距離：500 mm
・最大試料サイズ：φ8inch
・その他：ロードロック式、水冷式試料ステージ
- 設備ID
- NM-610
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![電子銃型蒸着装置 [RDEB-1206K]](data/facility_item/NM-610.jpg)
- メーカー名
- アールデック (R-DEC)
- 型番
- RDEB-1206K
- 仕様・特徴
- ・用途：リフトオフ向け金属薄膜形成
・蒸着方式：電子銃型×1式
・ターゲット：12連式（Ti, Cr, Al, Ni, Cu, Pt, Au×2, Pd, Ag, MgO, Co, Fe, AuGe, Ge, 他）
・到達真空度：1.0e-5 Pa
・TS間距離：500mm
・最大試料サイズ：φ6inch
・その他：水冷式試料ステージ
- 設備ID
- NM-611
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![原子層堆積装置 [AD-230LP]](data/facility_item/NM-611.jpg)
- メーカー名
- サムコ (Samco)
- 型番
- AD-230LP
- 仕様・特徴
- ・用途：多種ALD薄膜形成装置
・仕様成膜方式：サーマルまたはプラズマALD
・原料：TMA, TDMAT, BDEAS, 他
・酸化剤：H2O, O3, O2プラズマ
・窒化剤：N2プラズマ, NH3プラズマ
・試料サイズ：最大φ8インチ
・その他：ロードロック式
- 設備ID
- NM-612
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![SiNプラズマCVD装置 [PD-220NL]](data/facility_item/NM-612.jpg)
- メーカー名
- サムコ (samco)
- 型番
- PD-220NL
- 仕様・特徴
- ・用途：PECVDによるSiO2, SiNの薄膜形成
・プラズマ方式：平行平板型
・電源出力：30-300W
・原料：TEOS (SiO2), SN-2 (SiN)
・成膜温度：400度以下
・最大試料サイズ：φ8inch
- 設備ID
- NM-627
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![イオンスパッタ [E-1045]](data/facility_item/NM-627.jpg)
- メーカー名
- 日立ハイテク (Hitachi High-Tech)
- 型番
- E-1045
- 仕様・特徴
- ・用途：SEM，FIB-SEMの前処理
・成膜材料：プラチナ／カーボン
・プラチナ成膜方式：ダイオード放電マグネトロン型
・カーボン成膜方式：直接通電加熱蒸着
・最大試料サイズ：φ60mm
- 設備ID
- NM-628
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![薄膜応力測定装置 [FLX-2000-A]](data/facility_item/NM-628.jpg)
- メーカー名
- 東朋テクノロジー (Toho Technology)
- 型番
- FLX-2000-A
- 仕様・特徴
- ・用途：薄膜応力測定
・測定方式：レーザースキャン方式（670nm＆750nm半導体レーザー）
・測定範囲：1～4000MPa
・測定再現性：1.3MPa（1σ）
・試料サイズ：φ3inch, φ6inch, φ8inch
・その他：3Dマッピング機能
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