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クライオイオンスライサ― (CRYO ION SLICER)

設備ID
KT-409
設置機関
京都大学
設備画像
クライオイオンスライサ―
メーカー名
日本電子 (JEOL)
型番
IB-09060CIS
仕様・特徴
1.アルゴンビーム薄片化装置(電圧1~8kV)
2.試料傾斜角最大±6度
3.クライオステージ(-120℃)

デュアルビーム走査電子顕微鏡 (Dual Beam FIB-SEM)

設備ID
KT-408
設置機関
京都大学
設備画像
デュアルビーム走査電子顕微鏡
メーカー名
日本電子 (JEOL)
型番
JIB-4700F
仕様・特徴
1.SEM装置(0.1~30kV)
2.FIB装置(1~30kV)
3.EDS検出器
4.EBSD検出器
5.クライオステージ
6.WとCのガス吹付装置

集束イオンビーム加工観察装置(FIB) (MultiBeam System (FIB))

設備ID
UT-156
設置機関
東京大学
設備画像
集束イオンビーム加工観察装置(FIB)
メーカー名
日本電子株式会社 (JEOL Ltd.)
型番
JIB-PS500i
仕様・特徴
□ 特長
・ 高分解能 FE-SEM を搭載し、ピンポイントでの断面作製が可能
・ 高分解能 SEM で FIB 加工状況をリアルタイムにモニタ可能
・ インレンズサーマル電子銃を搭載し、最大 500nA の大電流による安定した高速分析が可能
・ STEM観察が可能(BF,HAADF)
□ 主な仕様
FIB(収束イオンビーム)
・ イオン源:Ga液体金属イオン源
・ 加速電圧:0.5~30kV
・ 倍率:×50~×300,000
・ イオンビーム加工形状:矩形、ライン、スポット
SEM(電子ビーム)
・ 加速電圧:0.01~30kV
・ 倍率:×20~×1,000,000
・ 像分解能:0.7nm(加速電圧15kV)、1.0nm(加速電圧1kV)

微細組織3次元マルチスケール解析装置 (Orthogonal FIB-SEM)

設備ID
NM-302
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
設備画像
微細組織3次元マルチスケール解析装置
メーカー名
日立ハイテク (Hitachi High-Tech)
型番
SMF-1000
仕様・特徴
最高1nmピッチで制御可能で,加工と観察を繰り返すこと(シリアルセクショニング)で3D像再構築が可能.更にEBSDを併用した3D-EBSDやTEM試料作製も対応可能.
・SEM:ZEISS Gemini
・EDS:EDAX
・EBSD:EDAX TSL Hikari
・Ar-ion gun
・Depo. gas:Carbon

TEM試料自動作製FIB-SEM複合装置 (FIB-SEM combined apparatus for automatic preparation of TEM specimens)

設備ID
NM-403
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
設備画像
TEM試料自動作製FIB-SEM複合装置
メーカー名
日立ハイテク (Hitachi High-Tech)
型番
NX5000
仕様・特徴
・FIB: Ga液体金属イオン源、加速電圧0.5-30kV、分解能4nm (30kV)、最大ビーム電流100nA
・SEM: 冷陰極電界放射型電子銃、加速電圧0.1-30kV、分解能0.7nm (15kV)、最大ビーム電流10nA
・低加速Arイオンビーム:加速電圧0.5-2kV、最大ビーム電流20nA

無損傷電子顕微鏡試料薄片化装置 (Damage-less TEM specimen milling apparatus)

設備ID
NM-404
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
設備画像
無損傷電子顕微鏡試料薄片化装置
メーカー名
フィッシオーネ (Fischione)
型番
Model 1040 Nanomill
仕様・特徴
・イオン:アルゴン
・イオンエネルギー:50~2000eV 可変
・イオン電流:1mA/cm2
・イオンビームサイズ:2μm

セラミックス試料作製装置群 (Ceramics sample preparation facilities)

設備ID
NM-407
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
設備画像
セラミックス試料作製装置群
メーカー名
ガタン日立ハイテク真空デバイスマルトーTECHNOORG-LINDA (GatanHitachi High-TechVacuum DeviceMarutoTECHNOORG-LINDA)
型番
695PIPS II(精密イオン研磨装置)656 DimpleGrinder(ディンプルグラインダ)TM4000Plus II(卓上SEM)VES-30T(マルチコーター)ML-180 DoctorLap(卓上研磨機)MS2 MICROSAW(小型精密切断器)
仕様・特徴
・精密イオン研磨装置:イオンビームエネルギー: 0.1~8 keV、試料冷却が可能、観察用デジタルズームカメラ付属

・ディンプルグラインダ:研磨ホイール径 15 mm、研磨荷重 0~40 g、自動停止機構付属

・卓上SEM:加速電圧:5-20kV、二次電子検出器および反射電子検出器

・マルチコーター:蒸着、イオンスパッタ、親水化処理

・卓上研磨機:研磨回転数 50~500 rpm

・小型精密切断器:50mmダイヤモンド回転刃

デュアルビーム加工観察装置 (Dual Beam system)

設備ID
NM-509
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
設備画像
デュアルビーム加工観察装置
メーカー名
日立ハイテクノロジーズ (Hitachi High-Technologies)
型番
NB5000
仕様・特徴
・FIB:加速電圧1~40 kV、最大電流50nA、倍率x600~
・SEM:加速電圧0.5~30kV、分解能1nm@15kV, 倍率x250~
・付属:マイクロサンプリング、STEM, EDS

FIB加工装置群 (Focused Ion Beam systems)

設備ID
NM-510
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
設備画像
FIB加工装置群
メーカー名
日本電子 (JEOL)
型番
JIB-4000
仕様・特徴
・FIB:加速電圧1~30 kV、最大電流60nA
・分解能:5nm (@30kV)

FIB加工装置群 (Focused Ion Beam systems)

設備ID
NM-511
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
設備画像
FIB加工装置群
メーカー名
日本電子 (JEOL)
型番
JEM-9320FIB
仕様・特徴
・FIB:加速電圧5~30 kV、最大電流30nA
・分解能:6nm (@30kV)
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