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共用設備検索結果

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サンドブラスト (Sandblasting Machine)

メーカー名
不二製作所 (Fuji Manufacturing)
型番
設備画像
サンドブラスト
設置機関
東京大学
仕様・特徴
クリーンルーム対応装置。アルミナ粉末によってブラスト加工ができます

UVオゾンクリーナー  (UV ozone cleaner)

メーカー名
サムコ (SAMCO)
型番
UV-1
設備画像
UVオゾンクリーナー
設置機関
東京大学
仕様・特徴
レジスト等のアッシング処理が可能

プラズマ表面改質装置  (Plasama Surface Modificaton Equipment)

メーカー名
サムコ (SAMCO)
型番
AQ-50
設備画像
プラズマ表面改質装置
設置機関
東京大学
仕様・特徴
特にポリマーの接合前の表面処理、超臨界流体製膜前処理、親水化処理が可能。

超高密度大気圧プラズマ装置 (Ultra-high density atomospheric pressure plasma system)

メーカー名
FUJI (FUJI)
型番
特注
設備画像
超高密度大気圧プラズマ装置
設置機関
名古屋大学
仕様・特徴
・大気圧プラズマ中のラジカルを用いた材料の表面処理(改質、洗浄)
・使用ガス:Ar,N2.Ar+O2
・電源:AC交流電源、9 kV,60 Hz

ラジカル計測付多目的プラズマプロセス装置 (Multipurpose plasma process system with radical monitor)

メーカー名
自作 (Lab made)
型番
設備画像
ラジカル計測付多目的プラズマプロセス装置
設置機関
名古屋大学
仕様・特徴
・プラズマ処理の際に生成する温度,ラジカル密度,励起種,表面分析をIn-situで行う.
・プロセスガス:H2,N2,Ar,O2,He
・基板温度:-10℃-60℃
・サンプル:4インチウエハ

表面解析プラズマビーム装置 (Plasma beam system with surface analysis)

メーカー名
自作 (Lab made)
型番
設備画像
表面解析プラズマビーム装置
設置機関
名古屋大学
仕様・特徴
・プラズマビームを材料表面に照射後のin-situ XPS評価により,表面-プラズマ間の反応の解析が可能.
・使用ガス:HBr,Ar,CF4,C4F8,Cl2,H2,N2,O2

in-situプラズマ照射表面分析装置 (In-situ plasma exposure and analysis system)

メーカー名
自作 (Lab made)
型番
設備画像
in-situプラズマ照射表面分析装置
設置機関
名古屋大学
仕様・特徴
・プラズマ照射後の表面のin-situ XPS,FT-IR,STM分析が可能.
・プロセスガス:H2,N2,O2,Ar,He,SiH4,SF6,CF4

超高密度液中プラズマ装置 (In-liquid ultra-high density plasma system)

メーカー名
NUシステム (NU System)
型番
特注
設備画像
超高密度液中プラズマ装置
設置機関
名古屋大学
仕様・特徴
・有機溶媒を用いたナノグラフェン合成,液体分析,細胞改質が可能
・電源9 kV,60 Hz
・液体:アルコール類 500 mL
・プロセスガス Ar 3 L/min

3次元レーザ・リソグラフィシステム群 (3 dimentional laser lithography system)

メーカー名
Nanoscribe KISCO (Nanoscribe KISCO)
型番
Photonic Professional SCLEAD3CD2000
設備画像
3次元レーザ・リソグラフィシステム群
設置機関
名古屋大学
仕様・特徴
Nanoscribe Photonic Professional
・2次元加工精度:100 nm
・3次元加工精度:150 nm
・対応データ:DXF, STL
KISCO SCLEAD3CD2000
・設計温度:100 ℃
・設計圧力:20 MPa

UVオゾンクリーナー・キュア装置 (UV Ozone Cleaner & DeepUV Cure Equipment)

メーカー名
サムコ(株) (Samco Inc.)
型番
UV-300HKU
設備画像
UVオゾンクリーナー・キュア装置
設置機関
京都大学
仕様・特徴
サムコ株式会社 UV-300HKU
UVランプと高濃度オゾナイザを備える
Φ8インチウェハ対応
O2、N2ガス
ステージ加熱:室温~300℃
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