共用設備検索結果
CCP-RIE装置 [RIE-200NL] (CCP-RIE [RIE-200NL])
- 設備ID
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![CCP-RIE装置 [RIE-200NL]](data/facility_item/NM-614.jpg)
- メーカー名
- サムコ (samco)
- 型番
- RIE-200NL
- 仕様・特徴
- ・用途:多種材料のドライエッチング
・プラズマ励起方式:平行平板型
・電源出力:最大300W
・プロセスガス:CHF3,CF4,SF6,Ar,O2,N2
・試料ステージ温度:室温
・最大試料サイズ:φ8inch
ICP-RIE装置 [RIE-101iPH] (ICP-RIE [RIE-101iPH])
- 設備ID
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![ICP-RIE装置 [RIE-101iPH]](data/facility_item/NM-615.jpg)
- メーカー名
- サムコ (samco)
- 型番
- RIE-101iPH
- 仕様・特徴
- ・用途:化合物半導体のドライエッチング
・金属薄膜のドライエッチング
・プラズマ励起方式:誘導結合型
・電源出力:ICP出力:最大1kW/バイアス出力:最大300W
・プロセスガス:Cl2,BCl3,Ar,O2,N2
・試料ステージ温度:200度以下
・最大試料サイズ:φ4inch
シリコンDRIE装置 [ASE-SRE] (Si Deep RIE [ASE-SRE])
- 設備ID
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![シリコンDRIE装置 [ASE-SRE]](data/facility_item/NM-616.jpg)
- メーカー名
- 住友精密工業 (Sumitomo Precision Products)
- 型番
- MUC-21 ASE-SRE
- 仕様・特徴
- ・用途:MEMS等,シリコン深掘エッチング
・プラズマ励起方式:誘導結合型
・電源出力:ICP出力:最大1kW/バイアス出力:最大100W
・プロセスガス:SF6,C4F8,Ar,O2
・試料ステージ温度:室温
・最大試料サイズ:φ6inch
ICP-RIE装置 [RV-APS-SE] (ICP-RIE [RV-APS-SE])
- 設備ID
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![ICP-RIE装置 [RV-APS-SE]](data/facility_item/NM-617.jpg)
- メーカー名
- 住友精密工業 (Sumitomo Precision Products)
- 型番
- MUC-21 RV-APS-SE
- 仕様・特徴
- ・用途:SiC,SiN,SiO2等の高速エッチング
・プラズマ励起方式:誘導結合型
・電源出力:ICP出力:最大3kW/バイアス出力:最大1kW
・プロセスガス:CHF3,CF4,C4F8,SF6,Ar,O2,He
・試料ステージ温度:-10~+40度
・最大試料サイズ:φ6inch
・その他:SiO2エッチングレート:0.5μm/min以上,終点検出機能装備
原子層エッチング装置 [PlasmaPro 100 ALE] (ALE [PlasmaPro 100 ALE])
- 設備ID
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![原子層エッチング装置 [PlasmaPro 100 ALE]](data/facility_item/NM-618.jpg)
- メーカー名
- オックスフォード・インストゥルメンツ (Oxford Instruments)
- 型番
- PlasmaPro 100 Cobra 300 ALE
- 仕様・特徴
- ・用途:GaN、GaAs、化合物半導体のドライエッチング
・プラズマ励起方式:誘導結合型
・電源出力:ICP出力:最大3kW/バイアス出力:最大300W
・プロセスガス:Cl2,BCl3,SF6,Ar,N2,O2
・試料ステージ温度:-30~+80度
・最大試料サイズ:φ6インチ(オプションで8インチ可)
・その他:ICP エッチング加工, ALE プロセス, 終点検出機能装備
エッチングチャンバー (Draft chamber)
- 設備ID
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像

- メーカー名
- アズワン (As one)
- 型番
- PSH1200
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ:小片~8インチ
リン酸槽 (Draft chamber for SiN etching)
- 設備ID
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像

- メーカー名
- - (-)
- 型番
- -
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ:小片~8インチ
DeepRIE装置#1 (DeepRIE #1)
- 設備ID
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像

- メーカー名
- 住友精密工業 (Sumitomo Precision Products)
- 型番
- MUC-21 ASE-SRE
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ:4インチ(小片~4インチ)
基板固定方式:メカニカルチャック
プラズマ方式:ICP
ガス:SF6、C4F8、Ar、O2
メタルマスク(Al、Crなど)不可
DeepRIE装置#2 (DeepRIE #2)
- 設備ID
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像

- メーカー名
- 住友精密工業 (Sumitomo Precision Products)
- 型番
- MUC-21 ASE-SRE
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ:6インチ、または、4インチ(小片~6または4インチ)
基板固定方式:メカニカルチャック
プラズマ方式:ICP
ガス:SF6、C4F8、Ar、O2
メタルマスク(Al、Crなど)不可
DeepRIE装置#3 (DeepRIE #3)
- 設備ID
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像

- メーカー名
- STS (STS)
- 型番
- Multiplex-ICP SR
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ:6インチ、または、4インチ(小片~6または4インチ)
基板固定方式:メカニカルチャック
プラズマ方式:ICP
ガス:SF6、C4F8、CHF3、Ar、O2
メタルマスク(Al、Crなど)可