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多目的ドライエッチング装置 (CCP-RIE)

メーカー名
サムコ (samco)
型番
RIE-200NL
設備画像
多目的ドライエッチング装置
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
仕様・特徴
・用途:多種材料のドライエッチング
・プラズマ励起方式:平行平板型
・電源出力:最大300W
・プロセスガス:CHF3,CF4,SF6,Ar,O2,N2
・試料ステージ温度:室温
・最大試料サイズ:φ8inch

化合物ドライエッチング装置 (ICP-RIE)

メーカー名
サムコ (samco)
型番
RIE-101iPH
設備画像
化合物ドライエッチング装置
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
仕様・特徴
・用途:化合物半導体のドライエッチング
・金属薄膜のドライエッチング
・プラズマ励起方式:誘導結合型
・電源出力:ICP出力:最大1kW/バイアス出力:最大300W
・プロセスガス:Cl2,BCl3,Ar,O2,N2
・試料ステージ温度:200度以下
・最大試料サイズ:φ4inch

シリコン深掘りエッチング装置 (Si Deep RIE)

メーカー名
住友精密工業 (Sumitomo Precision Products)
型番
MUC-21 ASE-SRE
設備画像
シリコン深掘りエッチング装置
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
仕様・特徴
・用途:MEMS等,シリコン深掘エッチング
・プラズマ励起方式:誘導結合型
・電源出力:ICP出力:最大1kW/バイアス出力:最大100W
・プロセスガス:SF6,C4F8,Ar,O2
・試料ステージ温度:室温
・最大試料サイズ:φ6inch

酸化膜ドライエッチング装置 (Oxide Etcher)

メーカー名
住友精密工業 (Sumitomo Precision Products)
型番
MUC-21 RV-APS-SE
設備画像
酸化膜ドライエッチング装置
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
仕様・特徴
・用途:SiC,SiN,SiO2等の高速エッチング
・プラズマ励起方式:誘導結合型
・電源出力:ICP出力:最大3kW/バイアス出力:最大1kW
・プロセスガス:CHF3,CF4,C4F8,SF6,Ar,O2,He
・試料ステージ温度:-10~+40度
・最大試料サイズ:φ6inch
・その他:SiO2エッチングレート:0.5um/min以上,終点検出機能装備

ICP原子層エッチング装置 (Atomic Layer Etching System)

メーカー名
オックスフォード・インストゥルメンツ (Oxford Instruments)
型番
PlasmaPro 100 Cobra 300 ALE
設備画像
ICP原子層エッチング装置
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
仕様・特徴
・用途:GaN、GaAs、化合物半導体のドライエッチング
・プラズマ励起方式:誘導結合型
・電源出力:ICP出力:最大3kW/バイアス出力:最大300W
・プロセスガス:Cl2,BCl3,SF6,Ar,N2,O2
・試料ステージ温度:-30~+80度
・最大試料サイズ:φ6インチ(オプションで8インチ可)
・その他:ICP エッチング加工, ALE プロセス, 終点検出機能装備

エッチングチャンバー (Draft chamber)

メーカー名
アズワン (As one)
型番
PSH1200
設備画像
エッチングチャンバー
設置機関
東北大学
仕様・特徴
サンプルサイズ:小片~8インチ

リン酸槽 (Draft chamber for SiN etching)

メーカー名
- (-)
型番
-
設備画像
リン酸槽
設置機関
東北大学
仕様・特徴
サンプルサイズ:小片~8インチ

DeepRIE装置#1 (DeepRIE #1)

メーカー名
住友精密工業 (Sumitomo Precision Products)
型番
MUC-21 ASE-SRE
設備画像
DeepRIE装置#1
設置機関
東北大学
仕様・特徴
サンプルサイズ:4インチ(小片~4インチ)
基板固定方式:メカニカルチャック
プラズマ方式:ICP
ガス:SF6、C4F8、Ar、O2
メタルマスク(Al、Crなど)不可

DeepRIE装置#2 (DeepRIE #2)

メーカー名
住友精密工業 (Sumitomo Precision Products)
型番
MUC-21 ASE-SRE
設備画像
DeepRIE装置#2
設置機関
東北大学
仕様・特徴
サンプルサイズ:6インチ、または、4インチ(小片~6または4インチ)
基板固定方式:メカニカルチャック
プラズマ方式:ICP
ガス:SF6、C4F8、Ar、O2
メタルマスク(Al、Crなど)不可

DeepRIE装置#3 (DeepRIE #3)

メーカー名
STS (STS)
型番
Multiplex-ICP SR
設備画像
DeepRIE装置#3
設置機関
東北大学
仕様・特徴
サンプルサイズ:6インチ、または、4インチ(小片~6または4インチ)
基板固定方式:メカニカルチャック
プラズマ方式:ICP
ガス:SF6、C4F8、CHF3、Ar、O2
メタルマスク(Al、Crなど)可
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