共用設備検索結果
CCP-RIE装置 [RIE-200NL] (CCP-RIE [RIE-200NL])
- 設備ID
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![CCP-RIE装置 [RIE-200NL]](data/facility_item/NM-614.jpg)
- メーカー名
- サムコ (samco)
- 型番
- RIE-200NL
- 仕様・特徴
- ・用途：多種材料のドライエッチング
・プラズマ励起方式：平行平板型
・電源出力：最大300W
・プロセスガス：CHF3，CF4，SF6，Ar，O2，N2
・試料ステージ温度：室温
・最大試料サイズ：φ8inch
ICP-RIE装置 [RIE-101iPH] (ICP-RIE [RIE-101iPH])
- 設備ID
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![ICP-RIE装置 [RIE-101iPH]](data/facility_item/NM-615.jpg)
- メーカー名
- サムコ (samco)
- 型番
- RIE-101iPH
- 仕様・特徴
- ・用途：化合物半導体のドライエッチング
・金属薄膜のドライエッチング
・プラズマ励起方式：誘導結合型
・電源出力：ICP出力：最大1kW／バイアス出力：最大300W
・プロセスガス：Cl2，BCl3，Ar，O2，N2
・試料ステージ温度：200度以下
・最大試料サイズ：φ4inch
シリコンDRIE装置 [ASE-SRE] (Si Deep RIE [ASE-SRE])
- 設備ID
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![シリコンDRIE装置 [ASE-SRE]](data/facility_item/NM-616.jpg)
- メーカー名
- 住友精密工業 (Sumitomo Precision Products)
- 型番
- MUC-21 ASE-SRE
- 仕様・特徴
- ・用途：MEMS等，シリコン深掘エッチング
・プラズマ励起方式：誘導結合型
・電源出力：ICP出力：最大1kW／バイアス出力：最大100W
・プロセスガス：SF6，C4F8，Ar，O2
・試料ステージ温度：室温
・最大試料サイズ：φ6inch
ICP-RIE装置 [RV-APS-SE] (ICP-RIE [RV-APS-SE])
- 設備ID
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![ICP-RIE装置 [RV-APS-SE]](data/facility_item/NM-617.jpg)
- メーカー名
- 住友精密工業 (Sumitomo Precision Products)
- 型番
- MUC-21 RV-APS-SE
- 仕様・特徴
- ・用途：SiC，SiN，SiO2等の高速エッチング
・プラズマ励起方式：誘導結合型
・電源出力：ICP出力：最大3kW／バイアス出力：最大1kW
・プロセスガス：CHF3，CF4，C4F8，SF6，Ar，O2，He
・試料ステージ温度：-10～+40度
・最大試料サイズ：φ6inch
・その他：SiO2エッチングレート：0.5μm/min以上，終点検出機能装備
原子層エッチング装置 [PlasmaPro 100 ALE] (ALE [PlasmaPro 100 ALE])
- 設備ID
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![原子層エッチング装置 [PlasmaPro 100 ALE]](data/facility_item/NM-618.jpg)
- メーカー名
- オックスフォード・インストゥルメンツ (Oxford Instruments)
- 型番
- PlasmaPro 100 Cobra 300 ALE
- 仕様・特徴
- ・用途：GaN、GaAs、化合物半導体のドライエッチング
・プラズマ励起方式：誘導結合型
・電源出力：ICP出力：最大3kW／バイアス出力：最大300W
・プロセスガス：Cl2，BCl3，SF6，Ar，N2，O2
・試料ステージ温度：-30～+80度
・最大試料サイズ：φ6インチ（オプションで8インチ可）
・その他：ICP エッチング加工, ALE プロセス, 終点検出機能装備
エッチングチャンバー (Draft chamber)
- 設備ID
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- アズワン (As one)
- 型番
- PSH1200
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ：小片～8インチ
リン酸槽 (Draft chamber for SiN etching)
- 設備ID
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- - (-)
- 型番
- -
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ：小片～8インチ
DeepRIE装置#1 (DeepRIE #1)
- 設備ID
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- 住友精密工業 (Sumitomo Precision Products)
- 型番
- MUC-21 ASE-SRE
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ：4インチ(小片～4インチ)
基板固定方式：メカニカルチャック
プラズマ方式：ICP
ガス：SF6、C4F8、Ar、O2
メタルマスク（Al、Crなど）不可
DeepRIE装置#2 (DeepRIE #2)
- 設備ID
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- 住友精密工業 (Sumitomo Precision Products)
- 型番
- MUC-21 ASE-SRE
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ：6インチ、または、4インチ(小片～6または4インチ)
基板固定方式：メカニカルチャック
プラズマ方式：ICP
ガス：SF6、C4F8、Ar、O2
メタルマスク（Al、Crなど）不可
DeepRIE装置#3 (DeepRIE #3)
- 設備ID
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- STS (STS)
- 型番
- Multiplex-ICP SR
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ：6インチ、または、4インチ(小片～6または4インチ)
基板固定方式：メカニカルチャック
プラズマ方式：ICP
ガス：SF6、C4F8、CHF3、Ar、O2
メタルマスク（Al、Crなど）可