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誘導結合プラズマ反応性イオンエッチング装置 (Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etcher)

設備ID
KT-236
設置機関
京都大学
設備画像
誘導結合プラズマ反応性イオンエッチング装置
メーカー名
(株)アルバック (ULVAC, Inc.)
型番
Gemini-200E
仕様・特徴
有磁場ICP方式の高密度プラズマエッチング装置。
・基板サイズ:Φ6
・プロセスガス:C4F8、CHF3、CF4、Cl2、BCl3ほか
・用途:各種メタル、GaN、ITOほか
・スター電極による汚れ防止対策
・カセット室装備

赤外線ランプ加熱装置 (Rapid Thermal Annealing System)

設備ID
KT-237
設置機関
京都大学
設備画像
赤外線ランプ加熱装置
メーカー名
アドバンス理工(株) (ADVANCE RIKO, Inc.)
型番
RTP-6
仕様・特徴
赤外線ランプを用いた汎用的な急速アニール装置。
・基板サイズ:MAXΦ6
・温度:RT~1100℃
・雰囲気:各種ガス(N2、Ar、H2/4%)、真空、大気

パリレン成膜装置 (Parylene Coater)

設備ID
KT-251
設置機関
京都大学
設備画像
パリレン成膜装置
メーカー名
日本パリレン合同会社 (Specialty Coating Systems Inc.)
型番
LABCOTER PDS-2010
仕様・特徴
全面に均一な極薄コーティングが可能であり、微細な隙間中なども均一にカバーする。
・蒸着室有効内容積:215mm(径)×270mm(高さ)

ICP-RIE装置 (Inductive Coupled Plasma Reactive Ion Etcher)

設備ID
KT-252
設置機関
京都大学
設備画像
ICP-RIE装置
メーカー名
(株)アルバック (ULVAC, Inc.)
型番
NE-730
仕様・特徴
ULVAC社製 NE-730
使用ガス:SF6,CF4,C4F8,O2,Ar
4インチウェハ

簡易RIE装置 (Tabletop Reactive Ion Etcher )

設備ID
KT-253
設置機関
京都大学
設備画像
簡易RIE装置
メーカー名
サムコ(株) (Samco Inc.)
型番
FA-1
仕様・特徴
サムコ社製 FA-1
使用ガス:CF4,O2
チラー付属

ウエハ接合装置 (Surface Activated Wafer Bonder)

設備ID
KT-254
設置機関
京都大学
設備画像
ウエハ接合装置
メーカー名
ボンドテック(株) (Bondtech Co., Ltd.)
型番
WAP-100
仕様・特徴
特殊仕様につきアライメント接合不可 プラズマ活性4インチウエハ対応
・4インチウェハ,高精度アライメント
・常温接合・陽極接合

ナノインプリント装置 (Nanoimprint Lithography)

設備ID
KT-255
設置機関
京都大学
設備画像
ナノインプリント装置
メーカー名
(株)マルニ (MARUNI CO., LTD.)
型番
TP-32937
仕様・特徴
国内で最も多く普及しているエアプレス動きを油圧で制御するハイチェック機構付き4インチウエハ対応
・4インチウェハ

ダイシング装置 (Automatic Dicing Saw)

設備ID
KT-256
設置機関
京都大学
設備画像
ダイシング装置
メーカー名
(株)ディスコ (DISCO Corporation)
型番
DAD322
仕様・特徴
ディスコ社製 DAD322
6インチウェハまで対応
1.5kWエアースピンドル

超高分解能電界放出形走査電子顕微鏡 (Ultra-High Resolution Filed Emission SEM)

設備ID
KT-301
設置機関
京都大学
設備画像
超高分解能電界放出形走査電子顕微鏡
メーカー名
(株)日立ハイテクノロジーズ (Hitachi High-Technologies Corporation)
型番
SU8000
仕様・特徴
絶縁物試料は、チャージアップ抑制機能を用いて観察可能
通常の二次電子像に加え、組成コントラスト、電位コントラストでの像取得が可能
・像分解能 1.0nm@15kV 1.4nm@1kV
・取得可能像 二次電子像,組成像,透過像,透過暗視野像
・試料サイズ Max100mmΦ,高さ30mm以下

分析走査電子顕微鏡 (Analytical Variable-Pressure Field Emission SEM)

設備ID
KT-302
設置機関
京都大学
設備画像
分析走査電子顕微鏡
メーカー名
(株)日立ハイテクノロジーズ (Hitachi High-Technologies Corporation)
型番
SU6600
仕様・特徴
(株)日立ハイテクノロジーズ社製 SU6600
分解能 二次電子分解能:1.2nm
反射電子分解能:3.0nm
EDX、EBSD、IRカメラ搭載
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