共用設備検索結果
シリコン酸化膜犠牲層ドライエッチングシステム (Vapor HF Release Etcher)
- 設備ID
- KT-212
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- 住友精密工業(株) (Sumitomo Precision Products CO., LTD.)
- 型番
- MLT-SLE-Ox
- 仕様・特徴
- 気相HFによってSiO2を選択除去するためのドライエッチング装置（非プラズマ）。
・基板：MAX Φ8（常用Φ6）×3枚、不定形可
・用途：SOIデバイスのBOXエッチ など
シリコン犠牲層ドライエッチングシステム (Vapor XeF2 Release Etcher )
- 設備ID
- KT-213
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- 住友精密工業(株) (Xactix, Inc.SPTS Technologies Ltd.)
- 型番
- Xetch X3B
- 仕様・特徴
- XeF2を用いたPoly-Si、c-Siの等方ドライエッチング装置（非プラズマ）。
・基板サイズ：MAXΦ6
・プロセスガス：XeF2、N2
・用途：Si、Ge ほか
赤外フェムト秒レーザ加工装置 (Femtosecond Cr:Forsterite Laser System )
- 設備ID
- KT-214
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- AVESTA PROJECT社 (AVESTA PROJECT LTD.)
- 型番
- CrF-65
- 仕様・特徴
- 中心波長1,250nmの短パルスレーザーを集光して精密加工を実現。
・レーザー：Cr-Forsterite結晶（発振波長：1,230-1,270nm）
・平均出力：180～250mW
・パルス幅：<100fs
・再生増幅器：Fregat-200+
・マルチパス増幅器:GIGARUS-10
レーザアニール装置 (KrF Laser Annealing System )
- 設備ID
- KT-215
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- AOV(株) (AOV Co., ltd.)
- 型番
- LAEX-1000
- 仕様・特徴
- KrFレーザーを結像マスクを介して真空チャンバー内のサンプルに縮小投影することで、ターゲット表面のアニーリングを実現。
・波長：248nm
・ビーム縮小率：7.95
・分解能：5.3μm＠L/S
基板接合装置 (Wafer Bonder)
- 設備ID
- KT-217
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- ズース・マイクロテック(株) (SUSS MicroTec)
- 型番
- SB8e SPEC-KU
- 仕様・特徴
- プログラマブル接合チャンバを備えた半自動基板接合装置。
・基板サイズ：Φ150mm
・荷重：MAX 20kN
・温度：MAX 550℃
・接合プロセス：陽極接合、拡散接合、熱圧着、接着接合 ほか
レーザダイシング装置 (Laser Stealth Dicer)
- 設備ID
- KT-218
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- (株)東京精密 (TOKYO SEIMITSU CO., LTD.)
- 型番
- Mahoh Dicer ML200
- 仕様・特徴
- 完全ドライプロセスに対応したSi専用のダイシングマシン。
・基板サイズ：MAX Φ6
・高速切断可（300mm/sec）
・エンジン：浜松ホトニクス製
ダイシングソー (Automatic Dicing Saw)
- 設備ID
- KT-219
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- (株)ディスコ (DISCO Corporation)
- 型番
- DA D322
- 仕様・特徴
- ブレードを高速回転させてシリコン、サファイヤ、金属等の基板をカットする
・ワークサイズ MAX Φ6ウエハ
・加工対象 Si，セラミックス，PZT，LiTaO3，ガラス，石英，複合材 ほか
真空マウンター (Wafer Vacuum Mounter)
- 設備ID
- KT-220
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電気(株) (NEC Corporation)
- 型番
- VTL-201
- 仕様・特徴
- 低真空圧力環境下でウエハーに粘着テープを貼り付ける装置
・基板サイズ Wafer Φ6以下
紫外線照射装置 (UV Curing System)
- 設備ID
- KT-221
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- (株)テクノビジョン (Technovision, Inc.)
- 型番
- LED-4082
- 仕様・特徴
- LEDを光源として特定波長の紫外線を照射することにより、UV硬化フィルムなどの粘着力を低下させ、 ダイボンディング時のピックアップ性を高めることを目的とした装置
・UV硬化フィルムなどの粘着力を低下させ、 ダイボンディング時のピックアップ性を高める装置
・基板サイズ Wafer Φ6以下
エキスパンド装置 (Die Matrix Expander)
- 設備ID
- KT-222
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- (株)テクノビジョン (Technovision, Inc.)
- 型番
- TEX-21BG GR-5
- 仕様・特徴
- ダイシングされたウエハーを粘着フィルムごとX-Y方向に均一に引き伸ばし拡張する装置。
・基板サイズ Wafer Φ6以下