共用設備検索
共用設備検索結果
- 設備ID
- KT-154
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- ユニオン光学(株) (Union Optical Co., Ltd.)
- 型番
- PEM-800
- 仕様・特徴
- 実験用両面マスクアライナ
・基板サイズ：Φ4
・マスクサイズ：□5
・両面露光、アライメント機能
- 設備ID
- KT-201
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- キャノンアネルバ(株) (CANON ANELVA CORPORATION)
- 型番
- EB-1100
- 仕様・特徴
- 研究開発～小規模生産用の高性能RFマグネトロンスパッタリング装置（高温対応）。
・基板サイズ：Φ4、Φ6、不定形
・カソード：非磁性体Φ4PMC×4（RF電源：1,000W×2）
・TS距離：100～200mm
・温度：RT～800℃（ハロゲンランプ）
・ガス：Ar、O2
・ターゲット：Ti、Pt、PZT、PLT ほか
・ロードロック機構
- 設備ID
- KT-202
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- キャノンアネルバ(株) (CANON ANELVA CORPORATION)
- 型番
- EB-1100
- 仕様・特徴
- 研究開発～小規模生産用の高性能RFマグネトロンスパッタリング装置（高温対応）。
・基板サイズ：Φ4、Φ6、不定形
・カソード：非磁性体Φ4PMC×3（RF電源：1,000W×3）
・TS距離：100～200mm
・温度：RT～800℃（ハロゲンランプ）
・ガス：Ar、O2、N2
・ターゲット： 各種メタル、各種金属酸化物 ほか
・ロードロック機構
- 設備ID
- KT-203
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- キャノンアネルバ(株) (CANON ANELVA CORPORATION)
- 型番
- EB-1200
- 仕様・特徴
- リフトオフ対応の電子線蒸着装置
・基板サイズ：MAX Φ6×3枚
・電子銃：10kW 4連E型電子銃（22ml x 4）
・温度：RT～300℃（ハロゲンランプ）
・蒸着源-基板間距離：300mm（リフトオフ対応）
・蒸着材料：Al、Ti、Cr、Ni、Au、Pt、Ag、Pd ほか
- 設備ID
- KT-205
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- 住友精密工業(株) (Sumitomo Precision Products CO., LTD.)
- 型番
- MPX-CVD
- 仕様・特徴
- 液体ソース（酸化膜／窒化膜用）を用いたプラズマCVD装置。
・基板サイズ：MAX Φ6
・RF電源：500W＠上部(13.56MHz)、500W＠下部(380kHz)
・プロセスガス：C4F8、H2 ほか
・液体ソース：TEOS（テトラエトキシシラン）、TSA（トリシリルアミン）
・温度：150～350℃
- 設備ID
- KT-206
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- エスアイアイ・ナノテクノロジー(株) (SII NanoTechnology Inc.)
- 型番
- NVision40PI
- 仕様・特徴
- 高性能FIBとFE-SEMのクロスビーム装置（各種分析機能付）。
・基板サイズ：MAX Φ30mm
・検出器：SE×2（インレンズSE、チャンバーSE）、反射電子（EsB）
・ガスインジェクションシステム：C、W、SiOx
・マイクロプロービングシステム
・EDX/EBSDインテグレーションシステム：EDAX Pegasus
・ピコインデンターシステム
- 設備ID
- KT-207
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- 光洋サーモシステム(株) (Koyo Thermo Systems Co., Ltd.)
- 型番
- MT-8X28-A
- 仕様・特徴
- ドライまたはウェット状態でウエハの高温加熱が可能（常用最高温度1,050℃）
・基板サイズ：MAXΦ6×25枚/バッチ
・常用最高温度：1,050℃
・雰囲気：N2、O2（乾燥または湿潤状態）
- 設備ID
- KT-209
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- (株)アルバック (ULVAC, Inc.)
- 型番
- NLD-570
- 仕様・特徴
- 磁気中性線プラズマ（NLD）による低圧・低電子温度・高密度プラズマを搭載したドライエッチング装置。
・基板サイズ：Φ6
・RF電源：2kW＠ICP(13.56MHz)、600W＠BIAS(12.5MHz)
・プロセスガス：C4F8、CHF3、CF4、Cl2、BCl3 ほか
・用途：石英、ガラス、サファイア、金属酸化物 ほか
・ロードロック機構
- 設備ID
- KT-210
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- サムコ(株) (Samco Inc.)
- 型番
- RIE-10NR-KF
- 仕様・特徴
- 汎用的な平行平板型反応性イオンエッチング装置。
・基板サイズ：MAX Φ8
・プロセスガス：CHF3、CF4、Ar、O2
・用途： SiO2、SiN、アッシング ほか
- 設備ID
- KT-211
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- (株)エリオニクス (ELIONIX INC.)
- 型番
- EIS-1200
- 仕様・特徴
- ECRプラズマを用いた異方性ドライエッチング装置。（ナノインプリントモールド作成用途に最適）
・基板サイズ：Φ2.5、Φ6、□75×7mm
・加速電圧Vac：30～3,000V
・ビーム電流密度：>1.0mA/cm2＠Vac 1,000V／ArまたはO2
・ビーム径：Φ108mm＠Vac 700V／ArまたはO2／0,4～0.6mA/cm2
・用途：Si、磁性体 ほか
・ロードロック機構
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